Au/SiO2/N-Si MOS yapıların C-V-F ve G-V-F karakteristiklerinin incelenmesi
Investigation of C-V-F and G-V-F characteristics of Au/SiO2/N-Si structures
- Tez No: 276344
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. Ö. FARUK YÜKSEL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Selçuk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 74
Özet
Bu çalışmada, Au/SiO2/n-Si (111) MOS (Metal ?Oksit-Yarıiletken) hazırlandı ve yapının bazı temel fiziksel özellikleri oda sıcaklığında ve geniş bir frekans aralığında yapılan kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik?voltaj (G-V) ölçümlerinden hesaplandı. Ölçümler 30 kHz-3 MHz frekans aralığı ve 9 farklı frekans değeri için -5 ile +5 Volt gerilim aralığında 0,01 Voltluk adımlarla alındı. Yapının parametrelerinden olan; seri direnç (Rs), ara yüzey durumları yoğunluğu (Nss) ve elektriksel iletkenlik (?ac) ile dielektrik sabiti (?^') ,dielektrik kaybı (?^'') , kayıp açısı (Ta), elektrik modüllerinin (M^'),(M^'') frekansa ve gerilime bağlı olarak değişimleri incelendi
Özet (Çeviri)
In this study, Au/SiO2/n-Si (111) MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) devices has been prepared and some properties of the structure have been calculated from capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G-V) measurements which are performed at room temperature and at a wide frequency range. Measurements have been taken between -5 and +5 bias range with 0,01V step For 30kHz-3MHz freguency range and 9 freguency values. The variations of series resistance (Rs),interface states density (Nss) and electrical conductivity (?ac),dielectric constant (?),dielectric lose (??),lose angle (Tan),electric modules (M?),(M??) with freguency and bias have been investigat
Benzer Tezler
- RF püskürtme metodu ile hazırlanan SiO2 arayüzeyli metal-yarı iletken kontaklarda parametrelerin belirlenmesi
The determination of the basic parameters of metal-semiconductor contact with SiO2 interface grown by RF sputtering method
ŞULE DEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZER
- Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi
Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures
ARDEN ERKOL
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ
- Au(MgO-PVP)/n-Si (MPS) yapıların hazırlanması, yapısal ve frekansa bağlı elektrik dielektrik özelliklerinin incelenmesi
The fabrication of Au(MgO-PVP)/n-Si (MPS) Schottky barrier diodes and the investigation their electrical and dielectrical properties
AYŞEGÜL EROĞLU
Doktora
Türkçe
2021
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET KASAP
- Au/SİO2/n-Sİ (MIS) yapının elektrik ve dielektrik karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation oftemperature dependent electric and dielectric characteristics of Au/SİO2/n-Sİ (MIS) structure
AYŞE GÜL EROĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Au/SiO2/n-Si (MYY) yapıların elektriksel parametrelerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence of electrical parametres ofAu/SiO2/n-Si (MİS) structures
MERT YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. PERİHAN DURMUŞ