Geri Dön

Au/SiO2/N-Si MOS yapıların C-V-F ve G-V-F karakteristiklerinin incelenmesi

Investigation of C-V-F and G-V-F characteristics of Au/SiO2/N-Si structures

  1. Tez No: 276344
  2. Yazar: YAVUZ NURTAN
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. Ö. FARUK YÜKSEL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Selçuk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, Au/SiO2/n-Si (111) MOS (Metal ?Oksit-Yarıiletken) hazırlandı ve yapının bazı temel fiziksel özellikleri oda sıcaklığında ve geniş bir frekans aralığında yapılan kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik?voltaj (G-V) ölçümlerinden hesaplandı. Ölçümler 30 kHz-3 MHz frekans aralığı ve 9 farklı frekans değeri için -5 ile +5 Volt gerilim aralığında 0,01 Voltluk adımlarla alındı. Yapının parametrelerinden olan; seri direnç (Rs), ara yüzey durumları yoğunluğu (Nss) ve elektriksel iletkenlik (?ac) ile dielektrik sabiti (?^') ,dielektrik kaybı (?^'') , kayıp açısı (Ta), elektrik modüllerinin (M^'),(M^'') frekansa ve gerilime bağlı olarak değişimleri incelendi

Özet (Çeviri)

In this study, Au/SiO2/n-Si (111) MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) devices has been prepared and some properties of the structure have been calculated from capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G-V) measurements which are performed at room temperature and at a wide frequency range. Measurements have been taken between -5 and +5 bias range with 0,01V step For 30kHz-3MHz freguency range and 9 freguency values. The variations of series resistance (Rs),interface states density (Nss) and electrical conductivity (?ac),dielectric constant (?),dielectric lose (??),lose angle (Tan),electric modules (M?),(M??) with freguency and bias have been investigat

Benzer Tezler

  1. Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi

    Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures

    ARDEN ERKOL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ

  2. Au(MgO-PVP)/n-Si (MPS) yapıların hazırlanması, yapısal ve frekansa bağlı elektrik dielektrik özelliklerinin incelenmesi

    The fabrication of Au(MgO-PVP)/n-Si (MPS) Schottky barrier diodes and the investigation their electrical and dielectrical properties

    AYŞEGÜL EROĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET KASAP

  3. RF püskürtme metodu ile hazırlanan SiO2 arayüzeyli metal-yarı iletken kontaklarda parametrelerin belirlenmesi

    The determination of the basic parameters of metal-semiconductor contact with SiO2 interface grown by RF sputtering method

    ŞULE DEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZER

  4. Kuru incirlerde küf florası ve aflatoksigenik küflerin saptanması

    Başlık çevirisi yok

    SİBEL BÜYÜKŞİRİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1993

    BiyolojiEge Üniversitesi

    Biyoloji Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İSMAİL KARABOZ

  5. Kömür yakılan kazanda ve sobada ağır metal emisyonlarının incelenmesi

    Başlık çevirisi yok

    EMEL SAÇAKLI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1998

    Kimya Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HASANCAN OKUTAN