Geri Dön

Au/SİO2/n-Sİ (MIS) yapının elektrik ve dielektrik karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

The investigation oftemperature dependent electric and dielectric characteristics of Au/SİO2/n-Sİ (MIS) structure

  1. Tez No: 312749
  2. Yazar: AYŞE GÜL EROĞLU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 57

Özet

Bu çalışmada, Au/SiO2/n-Si (MIS) yapıların elektrik ve dielektrik özellikleri 1 MHz'de 120-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Sıcaklık bağımlılığı; elektriksel iletkenlik (sac) ve özdirenç (?ac), dielektrik sabiti (?'), dielektrik kayıp (?''), kayıp tanjant (tan?), elektrik modülüsün reel ve gerçek kısımları (M' and M") kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümlerinden elde edildi. ?', ?'' ve sac değerleri, 280-400 K sıcaklık aralığında artan sıcaklıkla üstel olarak artmaktadır. Diğer taraftan bu değerler 120 K-240 K sıcaklık aralığında hemen hemen sabit kalmaktadır. Buna ilaveten deneysel dielektrik verileri elektrik modülüs formalizmi dikkate alınarak analiz edildi. Lnsac - 1000/T grafiği düşük (120-240 K) ve yüksek (280-400 K) sıcaklık aralığında farklı eğimli iki lineer bölge vermektedir. İki farklı iletim mekanizması için aktivasyon enerjisi değerleri, düşük ve yüksek sıcaklıklar için sırasıyla 4 meV ve 201 meV olarak bulundu.

Özet (Çeviri)

In this study, the temperature dependence of the electric and dielectric characteristics of Au/SiO2/n-Si (MIS) structures were investigated in the temperature range of 120-400 K at 1 MHz. The temperature dependence of ac electrical conductivity (sac) and resistivity (?ac), dielectric constant (?'), dielectric loss (?''), loss tangent (tan?), the real and imaginary parts of electric modulus (M' and M") were obtained from capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurements. The ?', ?'' and sac values increase as exponentially with increasing temperature between 280 K and 400 K. On the other hand, these values remain almost constant between 120 K and 240 K. In addition, the experimental dielectric datas were analyzed by considering electric modulus formalism. The lnsac vs. 1000/T plot gives two linear regions with different slopes at low (120-240 K) and high (280-400 K) temperature ranges. The values of activation energy for two different conduction mechanisms were found as 4 meV and 201 meV for low and high temperatures, respectively.

Benzer Tezler

  1. Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi

    Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures

    ARDEN ERKOL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ

  2. RF püskürtme metodu ile hazırlanan SiO2 arayüzeyli metal-yarı iletken kontaklarda parametrelerin belirlenmesi

    The determination of the basic parameters of metal-semiconductor contact with SiO2 interface grown by RF sputtering method

    ŞULE DEMİR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZER

  3. Au/SiO2/n-Si (MYY) yapıların elektriksel parametrelerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigation of temperature dependence of electrical parametres ofAu/SiO2/n-Si (MİS) structures

    MERT YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. PERİHAN DURMUŞ

  4. Electrical and photoelectrical characterization of Au/ZrO2/N-Si MIS contact

    Au/ZrO2/N-Si MIS kontağın elektriksel ve fotoelektriksel karakterızasyonu

    MASOUD GIYATHADDIN OBAID

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK

  5. Au/SiO2/N-Si MOS yapıların C-V-F ve G-V-F karakteristiklerinin incelenmesi

    Investigation of C-V-F and G-V-F characteristics of Au/SiO2/N-Si structures

    YAVUZ NURTAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. Ö. FARUK YÜKSEL