Au/SİO2/n-Sİ (MIS) yapının elektrik ve dielektrik karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation oftemperature dependent electric and dielectric characteristics of Au/SİO2/n-Sİ (MIS) structure
- Tez No: 312749
- Danışmanlar: PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 57
Özet
Bu çalışmada, Au/SiO2/n-Si (MIS) yapıların elektrik ve dielektrik özellikleri 1 MHz'de 120-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Sıcaklık bağımlılığı; elektriksel iletkenlik (sac) ve özdirenç (?ac), dielektrik sabiti (?'), dielektrik kayıp (?''), kayıp tanjant (tan?), elektrik modülüsün reel ve gerçek kısımları (M' and M") kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) ölçümlerinden elde edildi. ?', ?'' ve sac değerleri, 280-400 K sıcaklık aralığında artan sıcaklıkla üstel olarak artmaktadır. Diğer taraftan bu değerler 120 K-240 K sıcaklık aralığında hemen hemen sabit kalmaktadır. Buna ilaveten deneysel dielektrik verileri elektrik modülüs formalizmi dikkate alınarak analiz edildi. Lnsac - 1000/T grafiği düşük (120-240 K) ve yüksek (280-400 K) sıcaklık aralığında farklı eğimli iki lineer bölge vermektedir. İki farklı iletim mekanizması için aktivasyon enerjisi değerleri, düşük ve yüksek sıcaklıklar için sırasıyla 4 meV ve 201 meV olarak bulundu.
Özet (Çeviri)
In this study, the temperature dependence of the electric and dielectric characteristics of Au/SiO2/n-Si (MIS) structures were investigated in the temperature range of 120-400 K at 1 MHz. The temperature dependence of ac electrical conductivity (sac) and resistivity (?ac), dielectric constant (?'), dielectric loss (?''), loss tangent (tan?), the real and imaginary parts of electric modulus (M' and M") were obtained from capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) measurements. The ?', ?'' and sac values increase as exponentially with increasing temperature between 280 K and 400 K. On the other hand, these values remain almost constant between 120 K and 240 K. In addition, the experimental dielectric datas were analyzed by considering electric modulus formalism. The lnsac vs. 1000/T plot gives two linear regions with different slopes at low (120-240 K) and high (280-400 K) temperature ranges. The values of activation energy for two different conduction mechanisms were found as 4 meV and 201 meV for low and high temperatures, respectively.
Benzer Tezler
- Metal-organik-yarı iletken yapıların arayüzey özelliklerinin belirlenmesi
Investigation of interface properties of metal-organic semiconductor structures
ARDEN ERKOL
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÇİĞDEM ORUÇ
- RF püskürtme metodu ile hazırlanan SiO2 arayüzeyli metal-yarı iletken kontaklarda parametrelerin belirlenmesi
The determination of the basic parameters of metal-semiconductor contact with SiO2 interface grown by RF sputtering method
ŞULE DEMİR
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZER
- Au/SiO2/n-Si (MYY) yapıların elektriksel parametrelerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence of electrical parametres ofAu/SiO2/n-Si (MİS) structures
MERT YILDIRIM
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. PERİHAN DURMUŞ
- Electrical and photoelectrical characterization of Au/ZrO2/N-Si MIS contact
Au/ZrO2/N-Si MIS kontağın elektriksel ve fotoelektriksel karakterızasyonu
MASOUD GIYATHADDIN OBAID
Yüksek Lisans
İngilizce
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. YUSUF SELİM OCAK
- Au/SiO2/N-Si MOS yapıların C-V-F ve G-V-F karakteristiklerinin incelenmesi
Investigation of C-V-F and G-V-F characteristics of Au/SiO2/N-Si structures
YAVUZ NURTAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. Ö. FARUK YÜKSEL