Al/p-Si/Al Schottky kontakların yük depolama kabiliyeti
Charge storage capability of Al/p-Si/Al Schottky contacts
- Tez No: 268753
- Danışmanlar: DOÇ. DR. CABİR TEMİRCİ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky diyotları, İdealite faktörü, Engel yüksekliği, Seri direnç, Schottky diode, Ideality factor, Barrier height, Series resistance
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 55
Özet
Günümüz teknoloji ve elektronik sanayisinde kullanılan Schottky kontaklar geniş bir kullanım alanına sahiptir. Bu yüzden bu elemanlar üzerinde durulması gerekir..Bu çalışmada, p-Si kristali üzerine Al kontaklar yapıldı. Bu kontakların akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve kapasitans-frekans (C-f) karakteristikleri incelendi.Al/p-Si Schottky kontakların doyma akımı (Io), idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği ( ) değerleri I-V karakteristikleri kullanılarak belirlendi. Ayrıca, bu diyotların seri rezistans (Rs) değerleri Cheung fonksiyonları I-V verileriyle birlikte kullanılarak hesaplandı. Sonuçların doğru olup olmadığını kontrol etmek için idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği ( ) Cheung fonksiyonları kullanılarak bir kez daha elde edildi.Belli frekans değerlerinde, diyotların C-V karakteristikleri incelendi ve grafik üzerinde oluşan pikler gözlendi. Al/p-Si Schottky kontakların C-f karakteristikleri incelendi. Uzay yükü kapasitansına ilaveten ortaya çıkan artık kapasitansın oluşma nedenleri incelendi.
Özet (Çeviri)
Used in nowadays technology and electronic industry, Schottky contacts have a wide application area. So, we must focus on these circuit elements.In this study, aluminum contacts were made on p-Si crysital. The current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and capacitance-frequency (C-f) characteristics of the contacts were studied.The values of saturation current (Io), ideality factor (n) and barrier height ( ) of the Al/p-Si Schottky contacts were determined by using I-V characteristics. Moreover, the values of series resistance (Rs) of the diodes were calculated via using Cheungs? functions together with I-V data. To verify the results the values of the ideality factor (n) and the barrier height ( ) were also determined by using Cheungs? functions.At certain frequency values, C-V characteristics of the diodes were investigated and formed peaks on the graph were observed. The C-f characteristics of the Al/p-Si Schottky contacts were studied. The causes of generation of the excess capacitance in addition to space charge capacitance were studied.
Benzer Tezler
- Yüksek performanslı metal-yarı iletken Schottky diyotların elde edilmesi için yeni nesil nano yapılı grafen esaslı kompozit malzemelerin üretilmesi
Production of new generation nano-constructed graphen based composite materials for obtaining high performance metal-semiconductor Schottky diode
HALİL ÖZERLİ
Doktora
Türkçe
2017
Mühendislik BilimleriKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- Pb/p-Si/Al schottky kontakların sıcaklığa bağlı akım-voltaj ve kapasite-voltaj ölçümlerinden karakteristik parametrelerinin incelenmesi
Investigation of the characteristic parameters of Pb/p-Si/Al schottky contacts from the temperature dependent current-voltage and capacitance-voltage measurement
ENİSE ÖZERDEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
Y.DOÇ.DR. ÇİĞDEM NUHOĞLU
- Al/P-Si Schottky diyotlarında MS ve MOS yapılarda diyot parametrelerinin karşılaştırılması
In Al/P-Si Schottky diodes and MS and MOS states on the comparation of diodes parameters
İKRAM KELEŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI
- Kimyasal yüzey temizleme işleminin Sn/p-Si/Al Schottky tipi fotovoltaik karakteristikleri üzerine etkileri
Effects of surface chemical cleaning process on characteristic parameters at Sn/p-Si/Al Schottky type photovoltaics
ABDULLAH ÖZKARTAL
Doktora
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. CABİR TEMİRCİ
- Organik (metil moru) arayüzey tabakanın Sn/p-Si/Al schottky diyotlarının elektriksel karekteristikleri üzerine etkileri
Effects of organic (methyl-violet) interfacial layer on electrical characteristi̇c at Sn/p-Si/al Schottky diodes
ROZHGAR HASAN HAMAD AMEEN HAMAD AMEEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ABDULLAH ÖZKARTAL