Geri Dön

Al/P-Si Schottky diyotlarında MS ve MOS yapılarda diyot parametrelerinin karşılaştırılması

In Al/P-Si Schottky diodes and MS and MOS states on the comparation of diodes parameters

  1. Tez No: 179400
  2. Yazar: İKRAM KELEŞ
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Arayüzey halleri, Engel yüksekliği, Schottky diyodu, Omik kontak
  7. Yıl: 2008
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 53

Özet

Al/p-Si/Al Schottky kontaklarını ürettik. Üretilen yapının elektriksel karakteristiklerini incelemek için iki örnek göz önüne alındı. Numune fabrikasyonu için, 13 Wcm özdirençli ve 500 mm kalınlıklı p-Si taban malzeme (substrate) olarak kullanıldı.Numunelerin akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve kapasitans-frekans (C-f) ölçümleri oda sıcaklığında ve karanlıkta alındı. Ters doyma akım yoğunluğu (Io), idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği (Fb) değerleri her iki yapı için yarı logaritmik I-V grafikleri kullanılarak elde edildi. İlave olarak, hesaplanan idealite faktörü ve engel yüksekliği değerlerini kontrol etmek ve seri direnç değerlerini belirlemek için Cheung fonksiyonları kullanıldı.Numunelerin ters beslem kapasitans-voltaj (C-V) ve (C-2-V) grafikleri -3 V-0 V aralığında ve 1MHz'de çizildi. Al/p-Si/Al kontakların C-V karakteristikleri bu grafikler kullanılarak incelendi. Ayrıca, numunelerin kapasitans-frakans karakteristikleri, C-f grafikleri kullanılarak araştırıldı. C-f grafiklerinden görüldüki, ölçülen kapasitansın büyük değerleri düşük frekanslarda meydana gelmektedir ve frekansın belli bir değerine kadar neredeyse sabit kalmaktadır. Kapasitansın büyük değerlerinin küçük frekanslarda meydana gelmesi, düşük frekanslarda ac sinyaline ayak uydurabilen ve p-Si ile dengede olan arayüzey hallerinden kaynaklanan artık sığadan ileri gelmektedir.

Özet (Çeviri)

In this study, we have used Al/p-Si Schottky contacts fabricated previously. Samples have been named to be diode I and II diode.In nowadays technology and in electronic industry Schottky contacts are widely used and they have large applied field. Due to that useful necessity of them, they must be vastly investigated.In this study, on the n-type silicon crystal the contacts of aluminum have been made and the characteristics of ln (I)-V, C-V, C-f of Al/p-Si Schottky diode have been investigated.From ln(I)-V plot of the Al/n-Si/Al diode, idealizing factor (n), barrier height (eFbn), donor density (ND), saturation current (I0) and serial resistor (Rs) have been calculated. In addition by using of Cheung functions the same parameters have been checked.In a certain frequency interval of the diode C-V characteristics have been examined and in obtained graphic peak values have been observed. The C-f characteristics of the Al/n-Si/Al diode have been studied. Causes of addition capacity of the space charge have also been researched.Key words : Barrier height, Interface states , Ohmic contact, Schottky diode.

Benzer Tezler

  1. Organik arayüzey tabakalı metal-yarıiletken yapıların elektriksel özelliklerinin radyasyona bağlı incelenmesi

    Investigation of radiation effects on the electrical properties of metal-semiconductor structures with organic interfacial layer

    AHMET KAYMAZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HABİBE TECİMER

  2. Al/p-Si/Al Schottky diyotlarında I-V, C-f, C-V karakteristiklerinden diyod parametrelerinin hesaplanması

    Calculation of current-voltage, capacitance- voltaj and capacitance-frequnce characteristics of Al /p-Si/Al Schottky diode

    AKSEL BAYRAM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATİ

  3. Al/p-Si ve Au/n-Si schottky diyotlarda I-V ve C-V karakteristiklerinin geniş bir sıcaklık aralığında analizi

    Analysis of I-V ve C-V measurements Al/p-Si and Au/n-Si schottky diodes in a wide temperature

    İLBİLGE DÖKME

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  4. Al/p-Si Schottky bariyer diyotun y-ışını radyasyon etkisi üzerinde elektriksel parametrelerinin hesaplanması

    y-ray irradiation effect on the calculation of electronic parameters of a Al/p-Si Schottky barrier diode

    SERHAT GÜLOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle Üniversitesi

    Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. M. ENVER AYDIN

  5. Farklı fonksiyonel grup bulunduran naftalimit bileşiği ile schottky diyot yapımı ve diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Fabrication of schottky diode with naphthalimide having different functional groups and investigation of its electrical properties

    EMİNE KARAGÖZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZİYA MERDAN

    DOÇ. DR. SONGÜL FİAT VAROL