Al/P-Si Schottky diyotlarında MS ve MOS yapılarda diyot parametrelerinin karşılaştırılması
In Al/P-Si Schottky diodes and MS and MOS states on the comparation of diodes parameters
- Tez No: 179400
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Arayüzey halleri, Engel yüksekliği, Schottky diyodu, Omik kontak
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 53
Özet
Al/p-Si/Al Schottky kontaklarını ürettik. Üretilen yapının elektriksel karakteristiklerini incelemek için iki örnek göz önüne alındı. Numune fabrikasyonu için, 13 Wcm özdirençli ve 500 mm kalınlıklı p-Si taban malzeme (substrate) olarak kullanıldı.Numunelerin akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve kapasitans-frekans (C-f) ölçümleri oda sıcaklığında ve karanlıkta alındı. Ters doyma akım yoğunluğu (Io), idealite faktörü (n) ve engel yüksekliği (Fb) değerleri her iki yapı için yarı logaritmik I-V grafikleri kullanılarak elde edildi. İlave olarak, hesaplanan idealite faktörü ve engel yüksekliği değerlerini kontrol etmek ve seri direnç değerlerini belirlemek için Cheung fonksiyonları kullanıldı.Numunelerin ters beslem kapasitans-voltaj (C-V) ve (C-2-V) grafikleri -3 V-0 V aralığında ve 1MHz'de çizildi. Al/p-Si/Al kontakların C-V karakteristikleri bu grafikler kullanılarak incelendi. Ayrıca, numunelerin kapasitans-frakans karakteristikleri, C-f grafikleri kullanılarak araştırıldı. C-f grafiklerinden görüldüki, ölçülen kapasitansın büyük değerleri düşük frekanslarda meydana gelmektedir ve frekansın belli bir değerine kadar neredeyse sabit kalmaktadır. Kapasitansın büyük değerlerinin küçük frekanslarda meydana gelmesi, düşük frekanslarda ac sinyaline ayak uydurabilen ve p-Si ile dengede olan arayüzey hallerinden kaynaklanan artık sığadan ileri gelmektedir.
Özet (Çeviri)
In this study, we have used Al/p-Si Schottky contacts fabricated previously. Samples have been named to be diode I and II diode.In nowadays technology and in electronic industry Schottky contacts are widely used and they have large applied field. Due to that useful necessity of them, they must be vastly investigated.In this study, on the n-type silicon crystal the contacts of aluminum have been made and the characteristics of ln (I)-V, C-V, C-f of Al/p-Si Schottky diode have been investigated.From ln(I)-V plot of the Al/n-Si/Al diode, idealizing factor (n), barrier height (eFbn), donor density (ND), saturation current (I0) and serial resistor (Rs) have been calculated. In addition by using of Cheung functions the same parameters have been checked.In a certain frequency interval of the diode C-V characteristics have been examined and in obtained graphic peak values have been observed. The C-f characteristics of the Al/n-Si/Al diode have been studied. Causes of addition capacity of the space charge have also been researched.Key words : Barrier height, Interface states , Ohmic contact, Schottky diode.
Benzer Tezler
- Organik arayüzey tabakalı metal-yarıiletken yapıların elektriksel özelliklerinin radyasyona bağlı incelenmesi
Investigation of radiation effects on the electrical properties of metal-semiconductor structures with organic interfacial layer
AHMET KAYMAZ
Doktora
Türkçe
2020
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. HABİBE TECİMER
- Al/p-Si/Al Schottky diyotlarında I-V, C-f, C-V karakteristiklerinden diyod parametrelerinin hesaplanması
Calculation of current-voltage, capacitance- voltaj and capacitance-frequnce characteristics of Al /p-Si/Al Schottky diode
AKSEL BAYRAM
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATİ
- Al/p-Si ve Au/n-Si schottky diyotlarda I-V ve C-V karakteristiklerinin geniş bir sıcaklık aralığında analizi
Analysis of I-V ve C-V measurements Al/p-Si and Au/n-Si schottky diodes in a wide temperature
İLBİLGE DÖKME
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Al/p-Si Schottky bariyer diyotun y-ışını radyasyon etkisi üzerinde elektriksel parametrelerinin hesaplanması
y-ray irradiation effect on the calculation of electronic parameters of a Al/p-Si Schottky barrier diode
SERHAT GÜLOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiDicle ÜniversitesiKatıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. M. ENVER AYDIN
- Farklı fonksiyonel grup bulunduran naftalimit bileşiği ile schottky diyot yapımı ve diyotun elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Fabrication of schottky diode with naphthalimide having different functional groups and investigation of its electrical properties
EMİNE KARAGÖZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ZİYA MERDAN
DOÇ. DR. SONGÜL FİAT VAROL