Er/p-Si Schottky yapılarında engel yüksekliği ve Gauss dağılımının sıcaklığa bağlılığı
Temperature dependence of Gaussian distrubition of barrier heights at Er/p-Si Schottky structures
- Tez No: 284349
- Danışmanlar: PROF. DR. HASAN EFEOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Schottky engelleri, Schottky barriers
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Er/p-Si Schottky yapısı Erbiyumun sputter tabakalı metalizasyonu ile gerçekleştirildi. Erbiyum silisyum ara yüzeyindeki homojensizlik ısıl işlem sıcaklığına bağlı olarak incelenmiş olup engel yükseklindeki dağılımın sıcaklıkla değişimi de ilk kez bu çalışmada rapor edilmiştir. İki boyutta yapılan haritalama ölçümleri ile paralel fabrikasyonu yapılan diyotlarda gözlenen homojensizlik açıkça gösterilmiş olup erbiyumun yüksek kimyasal aktivitesinden dolayı optimum ısıl işlem sıcaklığı 2.5 dk. süre için 300oC olarak bulundu.
Özet (Çeviri)
Er/p-Si Schottky structure has been made with Erbium using sputter based metallization. The inhomogeneity of Erbium Silicon junction surface has been investigated depending on temperature and the dispersion of barrier height depending on temperature change has also been reported for the first time in this study.The inhomogeneity of parallel processed diodes with the two dimensional mapping performed and the fabrication has been shown obviously and through the high chemical activity of erbium the optimum annealing temperature for 2.5 minutes was determined as 300oC.
Benzer Tezler
- Schottky diyotlarında akım iletim olayı ve seri direnç etkisi
Başlık çevirisi yok
AHMET GÜMÜŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
1992
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NECATİ YALÇIN
- S-katkılı DLC (elmas benzeri karbon) ara katmanlı yapıların elektriksel özelliklerine frekansın etkisi
The effect of frequency on the electrical properties of s doped DLC (diamond like carbon) interlayer structures
ESRA KESEN İÇÖZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YASEMİN ŞAFAK ASAR
- Fabrication and characterization of graphene/silicon based Schottky photodiode
Grafen/silikon tabanlı Schottky fotodiyotun fabrikasyon ve karakterizasyonu
GÜLÇİN DÖNMEZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEM ÇELEBİ
DR. EMRE SARI
- Antrasen - imin türevi arayüzey tabakalı au/n-si schottky diyotların ışığa bağlı akım-gerilim (I-V) karakteristiklerinin araştırılması
Investigation of light dependent currentvoltage (I-V) characteristics of au/n-si schottkydiodes with anthracene-imine derivativeinterfaci̇al layers
ÜMİT ATLIHAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
EnerjiGiresun ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU
DOÇ. DR. IRMAK KARADUMAN ER
- p-n ve p-i-n temelli aygıtların üretimi ve fotodiyot karakteristiklerinin incelenmesi
Production of p-n and p-i-n based devices and investigation of photodiode characteristics characteristics
AHMED ALI AREEBI ALARABI
Doktora
Türkçe
2024
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKastamonu ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. OSMAN ÇİÇEK