Er/p-Si Schottky yapılarında engel yüksekliği ve Gauss dağılımının sıcaklığa bağlılığı
Temperature dependence of Gaussian distrubition of barrier heights at Er/p-Si Schottky structures
- Tez No: 284349
- Danışmanlar: PROF. DR. HASAN EFEOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 93
Özet
Er/p-Si Schottky yapısı Erbiyumun sputter tabakalı metalizasyonu ile gerçekleştirildi. Erbiyum silisyum ara yüzeyindeki homojensizlik ısıl işlem sıcaklığına bağlı olarak incelenmiş olup engel yükseklindeki dağılımın sıcaklıkla değişimi de ilk kez bu çalışmada rapor edilmiştir. İki boyutta yapılan haritalama ölçümleri ile paralel fabrikasyonu yapılan diyotlarda gözlenen homojensizlik açıkça gösterilmiş olup erbiyumun yüksek kimyasal aktivitesinden dolayı optimum ısıl işlem sıcaklığı 2.5 dk. süre için 300oC olarak bulundu.
Özet (Çeviri)
Er/p-Si Schottky structure has been made with Erbium using sputter based metallization. The inhomogeneity of Erbium Silicon junction surface has been investigated depending on temperature and the dispersion of barrier height depending on temperature change has also been reported for the first time in this study.The inhomogeneity of parallel processed diodes with the two dimensional mapping performed and the fabrication has been shown obviously and through the high chemical activity of erbium the optimum annealing temperature for 2.5 minutes was determined as 300oC.
Benzer Tezler
- Fabrication and characterization of graphene/silicon based Schottky photodiode
Grafen/silikon tabanlı Schottky fotodiyotun fabrikasyon ve karakterizasyonu
GÜLÇİN DÖNMEZ
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEM ÇELEBİ
DR. EMRE SARI
- Investigation of SiO2 / P-Si structure by DLTS and various admittance techniques
SiO2 / P-Si yapısının DLTS ve çeşitli admıttans teknikleri ile belirlenmesi
SERHAT ÖZDER
Yüksek Lisans
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BAYRAM KATIRCIOĞLU
- Bazı nadir toprak elementi katkılı ZnO filmlerinin eldeedilmesi, karakterizasyonu ve heteroeklem uygulamaları
Preparation, characterization and heterojunction applications of ZnO films doped with some rare earth elements
GONCA İLGÜ BÜYÜK
Doktora
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SALİHA ILICAN
- Yaygın insitu duktal karsinomlu invaziv duktal karsinomlar ile insitu duktal karsinomsuz invaziv duktal karsinomlarınnormal meme epitelinde östrojen reseptörekspresyonununkarşılaştırılması
Comparison of estrogen receptor expression in normal breast epithelium of invasive ductal carcinoma with extensive in situ ductal carcinoma and invasive ductal carcinoma with in situ ductal carcinoma
TAŞKIN ERKİNÜRESİN