Antrasen - imin türevi arayüzey tabakalı au/n-si schottky diyotların ışığa bağlı akım-gerilim (I-V) karakteristiklerinin araştırılması
Investigation of light dependent currentvoltage (I-V) characteristics of au/n-si schottkydiodes with anthracene-imine derivativeinterfaci̇al layers
- Tez No: 940144
- Danışmanlar: PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU, DOÇ. DR. IRMAK KARADUMAN ER
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Enerji, Energy
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2025
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Giresun Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Enerji Sistemleri Mühendisliği Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 70
Özet
Bu tez çalışmasında, Antrasen-imin türevi AA-AMB organik bileşiği sentezlendi ve spin kaplama metodu ile n-Si alttaş üzerinde ince film olarak kaplanmıştır. Altın (Au) metali, hem doğrultucu hem de omik kontak olarak termal buharlaştırma metodu ile kaplandı. Au/AA-AMB/n-Si/Au yapısında Schottky diyotlar üretilmiştir. Üretilen diyotların karakteristikleri ve parametreleri, karanlıkta ve farklı ışık şiddetlerinde akım-voltaj (I-V) metodu ile araştırılmıştır. Gaussian 09 W üzerinde DFT/B3LYP/6-311G(d,p) yöntemi kullanılarak AA-AMB organik bileşiğinin dielektrik sabiti ve enerji bant aralığının sırasıyla 3,46 ve 3,124 eV olduğunu belirlenmiştir. Karanlık I-V ölçümlerinden doğrultma oranı (RR) 2205 olarak bulunmuştur. Karanlıkta ideallik faktörü (n), engel yüksekliği (ɸ_b) ve doyma akımı (I_0) değerleri 1,96, 0,810 eV ve 43,8 nA olarak 100 mW/cm2 ışık şiddetinde ise 1,03, 0,891 eV ve 1,97 nA olarak hesaplanmıştır. Farklı ışık şiddetlerinde ters beslem akımlarının artışı üretilen diyotun ışığa duyarlı olduğunu ve fotodiyot olarak kullanılabileceğini gösterdi. Farklı ışık şiddetlerinde düz beslem akımlarının davranışı fotovoltaik davranış göstermiştir. Açık devre voltajı (V_oc) ve kısa devre akımı (I_sc) gibi fotovoltaik parametreler ise 20 mW/cm2 ve 100 mW/cm2 ışık şiddetlerinde sırasıyla 0,22 V, 21,53 μA ve 0,17 V, 31,74 μA olarak belirlendi. Fotodiyotun, fotohassasiyeti (S), fototepkiselliği (R), spesifik dedektivite (D^*) ve doğrusal dinamik aralığı (LDR) ters voltaj ve ışık şiddeti ile değişti. Işık şiddeti arttıkça görüntü sensörleri için önemli bir özellik olan doğrusal dinamik aralığın (LDR) da arttığı bulundu (20 ve 100 mW/cm2 için 35,66 dB ve 50,83 dB).
Özet (Çeviri)
In this thesis, anthracene-imine derivative AA-AMB organic compound was synthesized and coated as a thin film on n-Si substrate by spin coating method. Gold (Au) metal was coated by thermal evaporation method as both rectifier and ohmic contact. Schottky diodes with Au/AA-AMB/n-Si/Au structure were fabricated. Characteristics and parameters of the fabricated diodes were investigated by current-voltage (I-V) method in the dark and at different light intensities. By using DFT/B3LYP/6-311G(d,p) method on Gaussian 09 W, the dielectric constant and energy band gap of AA-AMB organic compound were determined as 3.46 and 3.124 eV, respectively. From the dark I-V measurements, the rectification ratio (RR) was found as 2205. The ideality factor (n), barrier height (ɸ_b) and saturation current (I_0) values were calculated as 1.96, 0.810 eV and 43.8 nA in the dark and 1.03, 0.891 eV and 1.97 nA at 100 mW/cm2 light intensity. The increase in the reverse bias currents at different light intensities showed that the produced diode was light sensitive and could be used as a photodiode. The behavior of the forward bias currents at different light intensities showed photovoltaic behavior. Photovoltaic parameters such as open circuit voltage (V_oc) and short circuit current (I_sc) were determined as 0.22 V, 21.53 μA and 0.17 V, 31.74 μA at 20 mW/cm2 and 100 mW/cm2 light intensities, respectively. The photosensitivity (S), photoresponsivity (R), specific detectivity (D^*) and linear dynamic range (LDR) of the photodiode changed with the reverse voltage and light intensity. It was found that the linear dynamic range (LDR), which is an important property for image sensors, also increased as the light intensity increased (35.66 dB and 50.83 dB for 20 and 100 mW/cm2).
Benzer Tezler
- Antrasen-imin arayüzey tabakalı Au/n-Si Schottky diyotlarda frekansa bağlı kapasitans voltaj ve iletkenlik-voltaj karakteristiklerinden seri direnç ve yüzey durumlarının araştırılması
Investigation of series resistance and surface states from frequency-dependent capacitance voltage and conductance-voltage characteristics in Au/n-Si Schottky diodes with anthracene-imine interfacial layer
BİRKUT GÜLER
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
EnerjiGiresun ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU
- İmin grubu içeren yeni kolorimetrik ve fluorimetrik sensörlerin hazırlanması
The preparation of novel fluorimetric and colorimetric sensors bearing imine group
DİLEK TURHAN
- İlaç aktif maddesi olması muhtemel antrasen içeren tiyazolidinon türevlerinin sentezi
Synthesis of thiazolidinone derivatives containing anthracene likely to be pharmaceutical active agent
OSMAN YÜNSEL
- Timol çekirdeği içeren yeni bileşiklerin sentezi, karakterizasyonu ve antiproliferatif aktivite özelliklerinin in vitro olarak incelenmesi
Synthesis, characterization, and in vitro investigation of antiproliferative activity of new compounds containing thymol nuclei
DİCLE ŞAHİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Eczacılık ve FarmakolojiSüleyman Demirel Üniversitesiİlaç Araştırma ve Geliştirme Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SENEM AKKOÇ
- Antrasen yan kollu yeni floresent makrosiklik ligandın sentezi ve metal katyonları ile kompleksleşme özelliklerinin spektroskopik yöntemlerle incelenmesi
The synthesis and complexation of metal ions with the novel fluorescent crown ether carrying anthracene pendant in acetonitril-dichloromethane
SEMANUR PARLAYAN