Geri Dön

Ni/n-Si/Al Schottky diyotların sıcaklık bağımlı parametrelerinin hesaplanması

Calculation of temperature dependent parameters of Ni/n-Si/Al Schottky diodes

  1. Tez No: 284355
  2. Yazar: AYDIN ZENGİN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Atatürk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 75

Özet

Ni/n-Si/Al Schottky diyotların deneysel akım-gerilim (I-V) karakteristikleri çalışılmıştır. Diyotlar, antimon katkılanmış 0.01 özdirençli n+ taban Si üzerine LPE (Liquit-phase epitaxy) tekniği ile büyütülen fosfor katkılı 2 özdirençli, yaklaşık 18 kalınlıklı ve yönelimli silisyum yarıiletken tabaka kullanılarak hazırlanmıştır. Kristal boyutlarında kesildikten sonra omik kontak oluşturmak için mat yüzeylerine Al buharlaştırıldı. Parlatılmış yüzey üzerine dc manyetik sputtering tekniği kullanılarak 1.5 mm çapında Ni Schottky diyotlar oluşturuldu. Diyotların numune sıcaklığına bağlı değişimini incelemek için akım-gerilim (I-V) karakteristikleri 60-320 K sıcaklık aralığında 20 K adımlarla ölçüldü ve incelendi. Ni/n-Si diyotların değişen numune sıcaklığına bağlı doğru beslem I-V karakteristiklerinden Cheung fonksiyonları kullanılarak elde edilen idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri hesaplandı. Seri direnç değerlerinin artan sıcaklıkla azaldığı görüldü. Ayrıca, I-V karakteristikleri yardımıyla elde edilen engel yüksekliğinin artan sıcaklıkla arttığı, idealite faktörünün de azaldığı görüldü. Bu durum engelin inhomojenliğine atfedildi.

Özet (Çeviri)

Diodes have been prepared on P doped Si, (with tichnesses of 18 a resistivity of 2 W-cm) which was grown on Sb doped Si substrate, having resistivity of 0.01 W-cm by LPE. The wafer was cut into pieces of 0.5x0.5cm2. The ohmic contact was made by evaporating Al on the back side of these pieces (the 0.01 W-cm resistivity antimony-doped n+ side). The Schottky contacts have been formed using dc magnetron sputtering Ni as dots with diameter of about 1.5 mm on the front surface of the n-Si. The current-voltage (I-V) characteristics of the devices were in the temperature range of 60-320 K. Barrier heights and ideality factors were calculated from from I-V characteristics. Furthermore, barrier heights, ideality factors and series resistances calculated from Cheung functions using I-V characteristics depending on temperature. İt has been that, the value of series resistance decreased with increasing temperature. It was seen that, ideality factor decreased and barrier height were increased with increasing temperature.

Benzer Tezler

  1. Al/SiO2/p-Si (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) stuctures

    DİLBER ESRA YILDIZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  2. Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi

    The investigation of temperature dependent electrical characteristics of Schottky diodes

    HAVVA KUTLUCA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  3. İletken polimer/p-Si diyortlarının üretimi ve elektriksel özellikleri

    Electrical proporties and production of conducting polymer/p-Si diodes

    MALİK KAYA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ

  4. Al/p-Si ve Au/n-Si schottky diyotlarda I-V ve C-V karakteristiklerinin geniş bir sıcaklık aralığında analizi

    Analysis of I-V ve C-V measurements Al/p-Si and Au/n-Si schottky diodes in a wide temperature

    İLBİLGE DÖKME

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  5. Amorf silisyum güneş pillerinde 'degrading' olayının incelenmesi

    Degradation of amorphous silicon solar cells

    TÜLAY SERİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1988

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ARSIN AYDINURAZ