Ni/n-Si/Al Schottky diyotların sıcaklık bağımlı parametrelerinin hesaplanması
Calculation of temperature dependent parameters of Ni/n-Si/Al Schottky diodes
- Tez No: 284355
- Danışmanlar: PROF. DR. ABDÜLMECİT TÜRÜT
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Atatürk Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 75
Özet
Ni/n-Si/Al Schottky diyotların deneysel akım-gerilim (I-V) karakteristikleri çalışılmıştır. Diyotlar, antimon katkılanmış 0.01 özdirençli n+ taban Si üzerine LPE (Liquit-phase epitaxy) tekniği ile büyütülen fosfor katkılı 2 özdirençli, yaklaşık 18 kalınlıklı ve yönelimli silisyum yarıiletken tabaka kullanılarak hazırlanmıştır. Kristal boyutlarında kesildikten sonra omik kontak oluşturmak için mat yüzeylerine Al buharlaştırıldı. Parlatılmış yüzey üzerine dc manyetik sputtering tekniği kullanılarak 1.5 mm çapında Ni Schottky diyotlar oluşturuldu. Diyotların numune sıcaklığına bağlı değişimini incelemek için akım-gerilim (I-V) karakteristikleri 60-320 K sıcaklık aralığında 20 K adımlarla ölçüldü ve incelendi. Ni/n-Si diyotların değişen numune sıcaklığına bağlı doğru beslem I-V karakteristiklerinden Cheung fonksiyonları kullanılarak elde edilen idealite faktörü, engel yüksekliği ve seri direnç değerleri hesaplandı. Seri direnç değerlerinin artan sıcaklıkla azaldığı görüldü. Ayrıca, I-V karakteristikleri yardımıyla elde edilen engel yüksekliğinin artan sıcaklıkla arttığı, idealite faktörünün de azaldığı görüldü. Bu durum engelin inhomojenliğine atfedildi.
Özet (Çeviri)
Diodes have been prepared on P doped Si, (with tichnesses of 18 a resistivity of 2 W-cm) which was grown on Sb doped Si substrate, having resistivity of 0.01 W-cm by LPE. The wafer was cut into pieces of 0.5x0.5cm2. The ohmic contact was made by evaporating Al on the back side of these pieces (the 0.01 W-cm resistivity antimony-doped n+ side). The Schottky contacts have been formed using dc magnetron sputtering Ni as dots with diameter of about 1.5 mm on the front surface of the n-Si. The current-voltage (I-V) characteristics of the devices were in the temperature range of 60-320 K. Barrier heights and ideality factors were calculated from from I-V characteristics. Furthermore, barrier heights, ideality factors and series resistances calculated from Cheung functions using I-V characteristics depending on temperature. İt has been that, the value of series resistance decreased with increasing temperature. It was seen that, ideality factor decreased and barrier height were increased with increasing temperature.
Benzer Tezler
- Al/SiO2/p-Si (MYY) yapıların akım iletim mekanizması ve elektriksel özelliklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependence current-conduction mechanism and electrical characteristics of Al/SiO2/p-Si (MIS) stuctures
DİLBER ESRA YILDIZ
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Bölümü
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependent electrical characteristics of Schottky diodes
HAVVA KUTLUCA
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- İletken polimer/p-Si diyortlarının üretimi ve elektriksel özellikleri
Electrical proporties and production of conducting polymer/p-Si diodes
MALİK KAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiErciyes ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENİSE AYYILDIZ
- Al/p-Si ve Au/n-Si schottky diyotlarda I-V ve C-V karakteristiklerinin geniş bir sıcaklık aralığında analizi
Analysis of I-V ve C-V measurements Al/p-Si and Au/n-Si schottky diodes in a wide temperature
İLBİLGE DÖKME
Doktora
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Amorf silisyum güneş pillerinde 'degrading' olayının incelenmesi
Degradation of amorphous silicon solar cells
TÜLAY SERİN
Doktora
Türkçe
1988
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ARSIN AYDINURAZ