Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigation of temperature dependent electrical characteristics of Schottky diodes
- Tez No: 200982
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2007
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 76
Özet
Bu çalışmada, Al/SiO2/p-Si Schottky diyotlarının akım-voltaj(I-V) karakteristikleri 295-400 K sıcaklık aralığında incelendi. Deneysel doğru belsem I-V karakteristiklerinin Termiyonik emisyon (TE) teorisine göre analizi, sıfır beslem engel yüksekliğinin ?B0 nın artan sıcaklıkla artarken idealite faktörünün azaldığını göstermiştir. Bu davranışlar, metal yarıiletken ara yüzeyinde engel yüksekliğinin Gaussyen bir dağılımına atfedildi. Gaussyen dağılımına bir delil olarak ?B0 - q/2kT grafiği çizildi ve bu grafikten ?Bo=1.18 eV ve standart sapma ?o=0.1386 V olarak elde edildi. Bu standart sapma değeri kullanılarak modifiye Richardson grafiğinden elde edilen Richardson sabitini 33.26 A/cm2K2 değeri 32 A/cm2K2 değerine oldukça yakındır. Aynı zamanda ara yüzey durumlarının enerjiye göre (ESS-EV) dağılım profili doğru belsem I-V ölçümlerinden voltaja bağlı etkin engel yüksekliği değeri kullanılarak elde edildi ve bu yüzey durumlarını artan sıcaklıkla azaldığı gözlendi. Buna ilaveten C-2-V grafiğinden , diffizyon potansiyeli (Vd), engel yüksekliği (??) ve ? tüketim tabakasının genişliği (WD) 500 kHz için oda sıcaklığında hesaplandı.
Özet (Çeviri)
Current-voltage (I-V) characteristics of (Al/SiO2/p-Si) Schottky diodes have been investigated in the temperature range of 295-400 K. The experimental forward bias I-V analysis based on the Thermionic Emission (TE) theory has revealed the zero-bias barrier height ?B0 decrease, the ideality factor n increases as the temperature decreases. These behaviors are attributed to Schottky barrier inhomogeneties by assuming a Gaussian distribution of barrier heights (BHs) due to barrier height inhomogeneties that prevails at interface. To obtain evidence of a Gaussian distribution of the BHs, we have drawn a ?B0 vs q/2kT plot, and the values of ??Bo=1.18 eV and ?o=0.1386 V for the mean barrier height and standard deviation at zero bias, respectively, have been obtained from this plot. The obtained value of the Richardson constant, obtained from modified Richardson plot using the value of ?o, 33.26 A/cm2K2 is very close to the theoretical value of 32 A/cm2K2. At the same time, the density of interface states distribution profile as a function of Ess-Ev, obtained from forward bias I-V measurements by taking into account the bias dependence of the effective BH, decreased with increasing temperature. In addition, using the plots of C-2-V, diffusion potential (Vd), barrier high (?? ?? ) depletion layer width (WD), were calculated at a frequency of 500 kHz, at a room temperature.
Benzer Tezler
- Yalıtkan arayüzey tabakası ve seri dirence sahip Al/ SnO2/ p-Si schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesi
Investigation of temperature dependent electrical characteristics of Al/ SnO2/ p-Si schottky diodes with serial resistance and interfacial insulator layers
ZEKİ TEKELİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2002
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Metal-yarıiletken Schottky diyotların elektriksel karakteristiklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigetion of frequency and temperature dependence of electrical characteristics of metal-semiconductor Schottky diodes
İDRİS KAYA
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Au/C20H12/n -Si Schottky engel diyotların (SBDs) elektriksel karakteristiklerinin sıcaklığa bağlı incelenmesı
Investigation of temperature dependent electrical characteristics of the Au/C20H12/n -Si schottky barrier diodes (SDSs)
KANİ MORAKİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET MAHİR BÜLBÜL
- Sn/p-Si metal yarı iletken Schottky yapıların elektriksel karakteristiklerinin radyasyon ve sıcaklığa bağlı olarak incelenmesi
Investigation dependence of temperature and irradiation of the electrical characterizations of Sn/p-Si Schottky diode
MEHMET EMİN FIRAT
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Mühendislik BilimleriKahramanmaraş Sütçü İmam ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- Al/p-Si Schottky kontak yapıların sıcaklığa bağlı akım gerilim (I-V) karakteristiklerinin incelenmesi
Investigation temperature dependence of the current-voltage (I-V) of Al/p-Si Schottky contact
ORKUN GÜLTEPE
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiErzincan ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD. DOÇ. DR. MURAT GÜLNAHAR