Silikon detektörlerde benzetim, modelleme ve analiz süreçleri
The simulation, modelling and analysis process in the silicon detectors
- Tez No: 295181
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SUAT ÖZKORUCUKLU
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Süleyman Demirel Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 138
Özet
Silikon tabanlı cihazlar (piksel sensörler, silikon mikro-şerit detektörler, CMOS yapılar) son yıllarda hızlandırıcılarda, nükleer ve yüksek enerji fiziği deneylerinde, medikal görünteleme alanında, dozimetrelerde, yüklü parçacıkların tayini ve teşhisinde sıklıkla kullanılmaktadır.İyonize edici radyasyona cevap veren silikon tabanlı cihazların benzetiminde; uygulama voltajı, geometrik boyutlar ve katkılama değerleri gibi birçok teknolojik parametrelerin fonksiyonu belirlenerek sinyal, uzaysal ve enerji çözünürlüğü açısından performanslarını anlamak önemlidir.Bu tezde, farklı boyut, yapı ve doplama oranlarına sahip birkaç silikon detektörün modelleme çalışmaları yapılmıştır. Bu modelleme çalışmaları silikon tabanlı detektörlerde; enerji kaybı, yük dağılımı, kapasite hesabı, sinyal oluşumu, voltaj düşüsü ve I-V grafikleri üzerine yapılmıştır.
Özet (Çeviri)
In recent years, silicon based devices such as pixel sensors, silicon micro-strip detectors and CMOS structures have been used in accelerators, nuclear and high energy physics, medical imaging, dosimetry, idendification and diagnostics of charged particles.In the simulation studies, it is important to understand the response of of silicon-based devices to ionizing radiation with respect to applied voltage, geometric dimensions and doping concantration as the function of many technological parameters in terms of spatial, energy resolution, signal and noise ratio.In this thesis, simulation strudies carried out on a few silicon based detectors for different size, structure and doping concentration. These simulation studies are based on energy loss, charge distribution, capacitance, signal formation, voltage drops and I-V graphics for the silicon based detectors.
Benzer Tezler
- Yüksek enerji fiziği parçacık detektörlerinde silikon şerit detektörün Geant 4 simülasyonu ve root nesneye yönelik veri analiz yapısı
Geant 4 simulation of silicon strip detector on high energy physics particle detectors and root a data analysis framework
VELİ ÇAPALI
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SUAT ÖZKORUCUKLU
- Radyasyon hasarının yüksek enerji silikon detektörlere etkisi
Effect of radiation damage on high energy silicon detectors
ERCAN PİLİÇER
Doktora
Türkçe
2008
Fizik ve Fizik MühendisliğiUludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İLHAN TAPAN
- Hybrid photo-diode noise library at CMS hadron calorimeter
CMS hadron kalorimetresinde hibrit fotodiyot detektörlere gürültü kütüphanesi yaratılması
HÜSEYİN BAHTİYAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2012
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. KEREM CANKOÇAK
DR. TAYLAN YETKİN
- CMS dedektörünün hadronik kapak kalorimetresindeki silikon fotoçoğaltıcıların performans analizi
Performance analysis of silicon photomultiplayer in hadronic endcap calorimeter of CMS detector
DORUK AĞYEL
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE POLATÖZ
- 2023 yılında alınan proton-proton çarpışma verileri ile CMS dedektörünün Hadronik Uç Kapak (HE) kalorimetresindeki silikon foto çoğaltıcıların performans analizi
Performance analysis of silicon photomultipliers in the Hadronic Endcap (HE) calorimeter of the CMS detector with proton-proton collision data collected in 2023
DERYA KALIR
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE POLATÖZ