AlGaN/GaN heteroeklemlerde sıcak elektron güç kaybı mekanizmaları
Hot electron power loss mechanisms in AlGaN/GaN heterojunctions
- Tez No: 295578
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ENGİN TIRAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 81
Özet
Metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) tekniğiyle büyütülmüş AlGaN/GaN heteroeklemlerde klasik Hall olayı ölçümleri sabit manyetik alan altında 1,8 - 275 K aralığında sıcaklığın fonksiyonu olarak yapıldı. Elde edilen deneysel verilerden boyuna optik (LO) fonon enerjisini hesaplandı.Sıcaklığın fonksiyonu olarak ölçülen Hall mobiliteleri literatürde verilen kuramsal saçılma mekanizmalarının sonuçlarıyla karşılaştırıldı. Kuramsal mobilite hesaplamalarında polar optik fonon saçılması, iyonize safsızlık saçılması, arka-plan (background) safsızlık saçılması, arayüzey pürüzlülüğü saçılması, piezoelektrik saçılma, akustik fonon saçılması, dislokasyon ve alaşım düzensizliği saçılması hesaba katıldı. Elde edilen verilerden düşük sıcaklıklarda alaşım düzensizliği saçılmasının, yüksek sıcaklıkta ise polar optik fonon saçılmasının başat saçılma mekanizması olduğu sonucuna varıldı.AlGaN/GaN heteroeklemdeki iki boyutlu (2D) elektronların transport özellikleri ve güç kaybı mekanizmaları Shubnikov-de Haas (SdH) osilasyonları ölçümleriyle incelendi. SdH osilasyonlarını elde etmek için ölçülen magnetorezistans Rxx(B) verilerinin ikinci türevi alındı. SdH osilasyonları periyodundan 2D elektron yoğunluğu ve Fermi enerjisi (EF?E1) belirlendi. SdH osilasyonları genliğinin sıcaklık ve manyetik alanla değişiminden 2D elektronların düzlem-içi etkin kütlesi (m*) ve kuantum ömrü (?q) elde edildi.
Özet (Çeviri)
Hall effect measurements on AlGaN/GaN heterojunctions grown by a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) technique have been carried out as a function of temperature in the range between 1.8 and 275 K at a fixed magnetic field. The experimental data have been used to calculate the longitudinal optical (LO) phonon energy.The experimental data for the temperature dependence of Hall mobility were compared with the theoretical formula for scattering mechanisms taken from the literature. In the numerical calculations, polar optical phonon scattering, ionized impurity scattering, background impurity scattering, interface roughness scattering, piezoelectric scattering, acoustic phonon scattering, dislocation and alloy disorder scattering were taken into account. It is concluded that alloy disorder scattering is the dominant scattering mechanism at low temperatures and polar optical phonon scattering is dominant at high temperatures.Shubnikov?de Haas (SdH) oscillations have been used to investigate the electronic transport properties and power loss mechanisms of two-dimensional (2D) electrons in AlGaN/GaN heterojunctions. The SdH oscillations were obtained from the measured magnetoresistance Rxx(B) by taking the second derivative of the raw experimental data. The 2D carrier density and the Fermi energy with respect to subband energy (EF?E1) have been determined from the period of the SdH oscillations. The in-plane effective mass (m*) and the quantum lifetime (?q) of 2D electrons have been obtained from the temperature and magnetic field dependences of the SdH oscillation amplitude, respectively.
Benzer Tezler
- Growth, characterization and fabrication of AlGaN/GaN high electron mobility transistors on silicon carbide substrates
Yüksek elektron mobiliteli transistörlerin silisyum karbür alttaşlar üzerine büyütülmesi, karakterizasyonu ve fabrikasyonu
AYÇA EMEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiDOÇ. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN
PROF. DR. RAŞİT TURAN
- An analytical method for the accurate and effective thermal modelling of AlGaN/GaN hemts
Doğru ve verimli AlGaN/GaN hemt ısıl modellenmesi için geliştirilmiş analitik model
MOHAMMAD AZARIFAR
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Makine MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
Assist. Prof. Dr. FATMA NAZLI DÖNMEZER AKGÜN
- Si3N4 ile pasive edilmiş AlGaN/GaN temelli çoklu yapılarda düşük alan iletimi ve sıcak-elektron iletimi çalışmaları
Investigations of low-field transport and hot-electron transport in passivated AlGaN/GaN hemts with Si3N4
GÖKHAN ATMACA
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- SiN pasivasyonu öncesi ön işlemlerin GaN HEMT'lerin performansına etkisi
The effect of pretreatment on GaN HEMT performance before SiN passivation
KÜBRA ELİF ASAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Bilim ve TeknolojiGazi ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABBAS TAMER ÖZDEMİR
- AlGaN/GaN temelli yüksek elektron hareketlilikli transistörlerin (HEMT) elektron ve manyeto iletim özellikleri
Electron and magneto transport properties of AlGaN/GaN based high electron mobility transistors (HEMT)
SEFER BORA LİŞESİVDİN