AlGaN/GaN temelli yüksek elektron hareketlilikli transistörlerin (HEMT) elektron ve manyeto iletim özellikleri
Electron and magneto transport properties of AlGaN/GaN based high electron mobility transistors (HEMT)
- Tez No: 233741
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 184
Özet
Bu çalışmada AlGaN/GaN ve AlGaN/AlN/GaN/AlN yapısına sahip 6 numunenin elektron iletim ve manyeto iletim özellikleri incelendi. Özdirençleri 22 ? 350 K sıcaklığı arasında, Hall hareketliliği ve Hall taşıyıcı yoğunlukları aynı sıcaklık aralıklarında 0 ? 1,5 T manyetik alan altında ölçülmüştür. Manyeto iletim sonuçları, Nicel Hareketlilik Spektrumu Analizi (QMSA) yöntemi kullanılarak analiz edilmiş ve numunelerdeki 2-boyutlu ve 3-boyutlu iletim mekanizmaları birbirlerinden ayrıştırılmıştır. Hall ölçüm sonuçları ve QMSA ile ayrıştırılmış 2-boyutlu iletim mekanizmasına ait sonuçlar ayrı ayrı saçılma analizlerinde ve katmanlar arası gerginlik hesabında kullanılmış, aralarındaki fark irdelenmiştir. Yapılan analizlerle, 2-boyutlu iletimin gerçekleştiği kuvantum kuyusunun genişliği, iletimin gerçekleştiği arayüzeyin bozukluğu ve gerginlikleri hesaplanmıştır. Yapısal özelliklere ait bu parametrelerin başarılı tayini, ileride elektriksel özellikleri daha iyi numunelerin üretilmesine yol gösterecektir.
Özet (Çeviri)
In this study, electron and magnetotransport properties of 6 different AlGaN/GaN and AlGaN/AlN/GaN/AlN structures were investigated. Resistivities were measured at a temperature range of 22 ? 350 K, Hall mobilities and Hall carrier densities were measured at the same temperature range and magnetic fields between 0 ? 1.5 T. Two-dimensional and 3-dimensional conduction mechanisms were seperated using Quantitative Mobility Spectrum Analysis (QMSA) of magnetotransport measurement results. Results of Hall measurements and QMSA results were used to conduct scattering analysis and strain calculations separately and the differences were examined. Well width of the quantum well that the 2-dimensional conduction occured, roughness of the related interface where the conduction occured and the strain of the interface were calculated. Succesfull calculation of these parameters related with the sctructural properties will lead to produce samples which will have better electrical properties.
Benzer Tezler
- Ultraince bariyerli GaN-temelli yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörlerin elektriksel özellikleri ve saçılma analizleri
Electrical characteristics and scattering analysis of ultrathin barrier GaN-based high electron mobility transistors
MEHMET ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Çoklu kuvantum kuyu arkabariyer yapısına sahip AlQN/AlN/GaN-temelli (Q=Ga, In) transistörlerde 2-boyutlu taşıyıcıların özelliklerinin hesaplamalı incelenmesi
Numerical investigation of the 2-dimensional carriers in AlQN/AlN/GaN--based (Q=Ga, In) transistors with multi-quantum well back-barriers
GÖKHAN ATMACA
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Comparison of alloyed and non-alloyed ohmic contacts in GaN/algan HEMT for Ka band radar applications
Ka bant radar uygulamaları için GaN / algan HEMT yapılarında alaşımlı ve alaşımsız ohmik kontakların karşılaştırılması
HÜSEYİN ÇAKMAK
Doktora
İngilizce
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ MUHSİNE BİLGE İMER
DOÇ. DR. ALPAN BEK
- Si3N4 ile pasive edilmiş AlGaN/GaN temelli çoklu yapılarda düşük alan iletimi ve sıcak-elektron iletimi çalışmaları
Investigations of low-field transport and hot-electron transport in passivated AlGaN/GaN hemts with Si3N4
GÖKHAN ATMACA
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Ultraince Bariyerli GaN Temelli Çoklu yapılarda 2- Boyutlu Elektron Gazının Elektron Ve Manyeto İletim Özellikleri
Electron And Magnetotransport Investıgatıon Of 2- Dimensional Electron Gas In Ultrathin Barrier Gan- Based Heterostructures
CEM GÜNEŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN