AlGaAs/GaAs heteroyapılarda öz uyumlu potansiyel hesabı
Self-consistent calculation of the potential at AlGaAs/GaAs heterostructures
- Tez No: 295949
- Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. GÖRKEM OYLUMLUOĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Muğla Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 53
Özet
Bu tezde, ilginç çok parçacık fizik olaylarının gerçekleştiği iki boyutlu elektron gazı (2BEG) ve birbirine paralel çoklu 2BEG'i modellemek için III-V grubu yarı iletken elementlerinden AlGaAs/GaAs heteroyapısının enerji band dağılımı Schrödinger ve Poissson denkleminin öz uyumlu çözümüyle elde edilmiştir. AlGaAs/GaAs heteroyapıların elektronik özellikleri katkılamanın 2BEG'in tek ve her iki tarafına yapılması durumunda katkılamanın bir fonksiyonu olarak incelenmiştir. Aşırı katkılama durumunda 2BEG'e paralel kanal oluştuğu gözlenmiştir. Ayrıca; enerji band dağılımının alüminyum konsantrasyonuna ve sıcaklığa bağlı değişimi sistematik olarak araştırılmıştır.
Özet (Çeviri)
In this thesis, we propose the one dimensional energy band dispersion of semiconductor considering III-V group elements by solving the Schrödinger and Poisson equations self-consistently for the modeling of 2DEGs and multi 2DEGs placed parallel to each other which is interesting many-body physics take place. We investigate systematically the electronic properties of AlGaAs/GaAs systems as a function of the doping level at the heavy doping region a parallel channel located immediately, and we obtain several different donor exist on one side one donor sheet or two and on both side of systems. We present our numerical result of Al concentration, and most importantly the temperature dependence is systematically investigated for these systems.
Benzer Tezler
- Heteroeklem yapılarda eklem düzlemi boyunca yük taşınımının Monte Carlo yöntemi ile incelenmesi
Investigation of charge transport confined at a heterojunction along the junction plane by Monte Carlo tecniques
ZEKİ YARAR
Doktora
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. METİN ÖZDEMİR
- The Electronic and transport properties of modulation doped heterostructures
Modülasyon katkılı bhetero-yapıların elektronik ve transport özellikleri
MOHAMED AYMAN MOGDY ELDENGİ
Doktora
İngilizce
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET TOMAK
- Modülasyon katkılı hetero-eklemlerin elektronik özellikleri
Electronic properties of modulation doped heterojunctions
A. TÜRKER TÜZEMEN
Yüksek Lisans
Türkçe
1999
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZDEMİR
- Fabrication and characterization of GaInP/InGuAs/GuAs modulation doped field effect transistors
GaInP/InGuits/GuAs modüle katkılı alan etkili transistörlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu
TOLGA YALÇIN
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- Lazer alanı altındaki çift-bariyer heteroyapılarda resonant tünelleme
Resonant tunneling in double-barrier heterostructure under intense laser field
NESLİHAN AKINCI
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SERPİL ŞAKİROĞLU