Geri Dön

AlGaAs/GaAs heteroyapılarda öz uyumlu potansiyel hesabı

Self-consistent calculation of the potential at AlGaAs/GaAs heterostructures

  1. Tez No: 295949
  2. Yazar: SELMAN MİRİOĞLU
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. GÖRKEM OYLUMLUOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Muğla Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 53

Özet

Bu tezde, ilginç çok parçacık fizik olaylarının gerçekleştiği iki boyutlu elektron gazı (2BEG) ve birbirine paralel çoklu 2BEG'i modellemek için III-V grubu yarı iletken elementlerinden AlGaAs/GaAs heteroyapısının enerji band dağılımı Schrödinger ve Poissson denkleminin öz uyumlu çözümüyle elde edilmiştir. AlGaAs/GaAs heteroyapıların elektronik özellikleri katkılamanın 2BEG'in tek ve her iki tarafına yapılması durumunda katkılamanın bir fonksiyonu olarak incelenmiştir. Aşırı katkılama durumunda 2BEG'e paralel kanal oluştuğu gözlenmiştir. Ayrıca; enerji band dağılımının alüminyum konsantrasyonuna ve sıcaklığa bağlı değişimi sistematik olarak araştırılmıştır.

Özet (Çeviri)

In this thesis, we propose the one dimensional energy band dispersion of semiconductor considering III-V group elements by solving the Schrödinger and Poisson equations self-consistently for the modeling of 2DEGs and multi 2DEGs placed parallel to each other which is interesting many-body physics take place. We investigate systematically the electronic properties of AlGaAs/GaAs systems as a function of the doping level at the heavy doping region a parallel channel located immediately, and we obtain several different donor exist on one side one donor sheet or two and on both side of systems. We present our numerical result of Al concentration, and most importantly the temperature dependence is systematically investigated for these systems.

Benzer Tezler

  1. Heteroeklem yapılarda eklem düzlemi boyunca yük taşınımının Monte Carlo yöntemi ile incelenmesi

    Investigation of charge transport confined at a heterojunction along the junction plane by Monte Carlo tecniques

    ZEKİ YARAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. METİN ÖZDEMİR

  2. The Electronic and transport properties of modulation doped heterostructures

    Modülasyon katkılı bhetero-yapıların elektronik ve transport özellikleri

    MOHAMED AYMAN MOGDY ELDENGİ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    1994

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET TOMAK

  3. Modülasyon katkılı hetero-eklemlerin elektronik özellikleri

    Electronic properties of modulation doped heterojunctions

    A. TÜRKER TÜZEMEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1999

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. METİN ÖZDEMİR

  4. Fabrication and characterization of GaInP/InGuAs/GuAs modulation doped field effect transistors

    GaInP/InGuits/GuAs modüle katkılı alan etkili transistörlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu

    TOLGA YALÇIN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2000

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ

  5. Lazer alanı altındaki çift-bariyer heteroyapılarda resonant tünelleme

    Resonant tunneling in double-barrier heterostructure under intense laser field

    NESLİHAN AKINCI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SERPİL ŞAKİROĞLU