Geri Dön

Au/(Co, Zn-katkılı) polivinil alkol/n-Si schottky engel diyotlarının hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin aydınlatma şiddetine bağlı incelenmesi

The preparation of Au/polyvinyl alcohol (Co, Zn-doped)/n-Si schottky barrier diodes and the investigation of their electrical characteristics as a function of illumination intensity

  1. Tez No: 303515
  2. Yazar: HABİBE USLU
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 126

Özet

Au/(Co, Zn-katkılı) Polivinil alkol/n-Si Schottky engel diyotların (SBD) elektriksel karakteristikleri, akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G/ ? -V) ölçüm metotları kullanılarak karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında oda sıcaklığında incelendi. Doğru ön-gerilim I-V ölçümlerinden idealite faktörü (n), sıfır-beslem engel yüksekliği ( ? Bo), arayüzey durumlarının yoğunluğu (Nss), seri direnç (Rs) ve şönt direnç (Rsh) değerleri hesaplandı ve tüm bu parametrelerin aydınlatma şiddetine oldukça bağlı olduğu gözlendi. Nss' lerin enerjiye bağlı dağılım profilleri doğru ön-gerilim I-V ölçümlerinden, voltaja bağlı etkin potansiyel yüksekliği ( ? e) dikkate alınarak elde edildi. Karanlık ve tüm aydınlatma şiddetlerinde, C-V eğrileri yaklaşık 2,8 V civarında bir pik verdi. Bu davranış Nss' lerin yasak enerji aralığındaki özel bir dağılımına ve polimer arayüzey tabakasına atfedildi. C-2-V eğrileri tüm durumlarda geniş bir voltaj aralığında lineer bir davranış gösterdi. Katkı atomları konsantrasyonları (ND), tüketim tabakasının kalınlığı (WD) ve engel yüksekliği ( ? B (C-V)) bu C-2-V eğrilerinden elde edildi. Buna ilave olarak, voltaja bağlı Nss değerleri, karanlık ve aydınlatma şiddeti altındaki (Cill-Cdark) kapasitans ile Hill-Coleman metotlarından elde edildi. Yapının Rs değerleri; Ohm yasası ve Cheungs fonksiyonları kullanılarak I-V verilerinden ve Nicollian metodu kullanılarak C-V ve G/ ? -V verilerinden elde edildi ve Rs değerleri artan aydınlatma şiddeti ile azaldığı gözlendi. Üç metot kullanılarak elde edilen bu değerler birbirleriyle uyum içindedir. Sonuç olarak, aydınlatma altında Schottky engel diyotun elektriksel özellikleri yalnızca Nss' den değil aynı zamanda Rs' den de etkilenir ve bunlar I-V, C-V ve G/ ? -V karakteristiklerini güçlü bir şekilde etkiler. Bu yüzden, bu iki parametre hesaplamalarda özellikle doğru ön-gerilim koşulu için dikkate alınmalıdır.

Özet (Çeviri)

The electrical characteristics of Au/Polyvinyl alcohol (Co, Zn-Doped)/n-Si Schottky Barrier Diodes (SBDs) have been investigated by using current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/ ? -V) measurements in dark and under various illumination intensities at room temperature. The values of ideality factor (n), zero-bias barrier height ( ? Bo), the density of interface states (Nss), series resistance (Rs) and shunt resistance (Rsh) were obtained from the forward bias I-V measurements and all these parameters were found to be a strong function of illumination intensity. The Nss distribution profile as a function of energy (Ec-Ess) was also extracted from the forward bias I-V measurements by taking into account the voltage dependence of the effective barrier heights ( ? e). The C-V plots show that peaks at about 2,8 V are the results of the particular density distribution of interface states (Nss) and interfacial polymer layer. The C-2-V plots give a straight line in a wide bias voltage region for each illumination intensity. The values of doping concentration (ND), depletion layer width (WD) and barrier height ( ? B (C-V)) were obtained from these plots. In addition, the voltage dependent density distribution profile of Nss was obtained from both in dark and under illumination using (Cill-Cdark) capacitance method and Hill-Coleman method. The voltage dependent values of Rs were obtained from Ohm law and Cheungs methods using I-V data and Nicollian methods using C-V and G/ ? -V data and decrease with the increasing illumination intensity. These values obtained from three methods are in agreement with each other. As a result, the electrical characteristics of SBD are affected not only Nss but also Rs under illumination and they strongly influence the I-V, C-V and G/ ? -V characteristics. Therefore, they must be accounted in the calculations especially for the forward bias condition.

Benzer Tezler

  1. Boya duyarlı güneş pillerinde makro halkalı tetra pirollerin etkisi

    The effect of macrocyclic tetrapyrroles on the dye sensitizied solar cells

    OSMAN GÜRBÜZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA OKUTAN

  2. Aladağ-yatağan-kızılören (konya güneybatısı) arasındaki bölgede yer alan volkanik kayaçların maden potansiyelinin araştırılması

    Investigation on the ore potential of volcanic rocks in the region among the aladağ-yatağan-kizilören towns (southwest konya-turkey)

    EVREN SOLGUN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Jeoloji MühendisliğiSelçuk Üniversitesi

    Jeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ALİCAN ÖZTÜRK

  3. Tekstil ürün ve atıklarında bazı eser elementlerinin birlikte çöktürme ile değiştirilmeleri ve tayinleri

    Başlık çevirisi yok

    BİLAL ÖZCAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    KimyaErciyes Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. LATİF ELÇİ

  4. Kumarlar (Çan-Çanakkale) polimetalik (Pb-Zn-Cu±Au) cevherleşmesini oluşturan çözeltilerin özellikleri

    Investigations on ore forming solutions in kumarlar (Çan-Çanakkale) lead-zinc polymetallic (Pb-Zn-Cu±Au) mineralization

    MÜMİN ARAL ABAKA

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Jeoloji MühendisliğiPamukkale Üniversitesi

    Jeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. GÜLCAN BOZKAYA

  5. Kılıçören (Gümüşhane ) Cu-Zn-Pb ± (Ag, Au) cevherleşmesinin jeolojik ve mineralojik incelenmesi

    Geological and mineralogical investigation of Kılıçören (Gümüşhane) Pb-Zn-Cu±Au±Ag mineralization

    FATİH ŞAL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Jeoloji MühendisliğiGümüşhane Üniversitesi

    Jeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ENVER AKARYALI