Au/(Co, Zn-katkılı) polivinil alkol/n-Si schottky engel diyotlarının hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin aydınlatma şiddetine bağlı incelenmesi
The preparation of Au/polyvinyl alcohol (Co, Zn-doped)/n-Si schottky barrier diodes and the investigation of their electrical characteristics as a function of illumination intensity
- Tez No: 303515
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 126
Özet
Au/(Co, Zn-katkılı) Polivinil alkol/n-Si Schottky engel diyotların (SBD) elektriksel karakteristikleri, akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj (C-V) ve kondüktans-voltaj (G/ ? -V) ölçüm metotları kullanılarak karanlık ve farklı aydınlatma şiddetleri altında oda sıcaklığında incelendi. Doğru ön-gerilim I-V ölçümlerinden idealite faktörü (n), sıfır-beslem engel yüksekliği ( ? Bo), arayüzey durumlarının yoğunluğu (Nss), seri direnç (Rs) ve şönt direnç (Rsh) değerleri hesaplandı ve tüm bu parametrelerin aydınlatma şiddetine oldukça bağlı olduğu gözlendi. Nss' lerin enerjiye bağlı dağılım profilleri doğru ön-gerilim I-V ölçümlerinden, voltaja bağlı etkin potansiyel yüksekliği ( ? e) dikkate alınarak elde edildi. Karanlık ve tüm aydınlatma şiddetlerinde, C-V eğrileri yaklaşık 2,8 V civarında bir pik verdi. Bu davranış Nss' lerin yasak enerji aralığındaki özel bir dağılımına ve polimer arayüzey tabakasına atfedildi. C-2-V eğrileri tüm durumlarda geniş bir voltaj aralığında lineer bir davranış gösterdi. Katkı atomları konsantrasyonları (ND), tüketim tabakasının kalınlığı (WD) ve engel yüksekliği ( ? B (C-V)) bu C-2-V eğrilerinden elde edildi. Buna ilave olarak, voltaja bağlı Nss değerleri, karanlık ve aydınlatma şiddeti altındaki (Cill-Cdark) kapasitans ile Hill-Coleman metotlarından elde edildi. Yapının Rs değerleri; Ohm yasası ve Cheungs fonksiyonları kullanılarak I-V verilerinden ve Nicollian metodu kullanılarak C-V ve G/ ? -V verilerinden elde edildi ve Rs değerleri artan aydınlatma şiddeti ile azaldığı gözlendi. Üç metot kullanılarak elde edilen bu değerler birbirleriyle uyum içindedir. Sonuç olarak, aydınlatma altında Schottky engel diyotun elektriksel özellikleri yalnızca Nss' den değil aynı zamanda Rs' den de etkilenir ve bunlar I-V, C-V ve G/ ? -V karakteristiklerini güçlü bir şekilde etkiler. Bu yüzden, bu iki parametre hesaplamalarda özellikle doğru ön-gerilim koşulu için dikkate alınmalıdır.
Özet (Çeviri)
The electrical characteristics of Au/Polyvinyl alcohol (Co, Zn-Doped)/n-Si Schottky Barrier Diodes (SBDs) have been investigated by using current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/ ? -V) measurements in dark and under various illumination intensities at room temperature. The values of ideality factor (n), zero-bias barrier height ( ? Bo), the density of interface states (Nss), series resistance (Rs) and shunt resistance (Rsh) were obtained from the forward bias I-V measurements and all these parameters were found to be a strong function of illumination intensity. The Nss distribution profile as a function of energy (Ec-Ess) was also extracted from the forward bias I-V measurements by taking into account the voltage dependence of the effective barrier heights ( ? e). The C-V plots show that peaks at about 2,8 V are the results of the particular density distribution of interface states (Nss) and interfacial polymer layer. The C-2-V plots give a straight line in a wide bias voltage region for each illumination intensity. The values of doping concentration (ND), depletion layer width (WD) and barrier height ( ? B (C-V)) were obtained from these plots. In addition, the voltage dependent density distribution profile of Nss was obtained from both in dark and under illumination using (Cill-Cdark) capacitance method and Hill-Coleman method. The voltage dependent values of Rs were obtained from Ohm law and Cheungs methods using I-V data and Nicollian methods using C-V and G/ ? -V data and decrease with the increasing illumination intensity. These values obtained from three methods are in agreement with each other. As a result, the electrical characteristics of SBD are affected not only Nss but also Rs under illumination and they strongly influence the I-V, C-V and G/ ? -V characteristics. Therefore, they must be accounted in the calculations especially for the forward bias condition.
Benzer Tezler
- Boya duyarlı güneş pillerinde makro halkalı tetra pirollerin etkisi
The effect of macrocyclic tetrapyrroles on the dye sensitizied solar cells
OSMAN GÜRBÜZ
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA OKUTAN
- Aladağ-yatağan-kızılören (konya güneybatısı) arasındaki bölgede yer alan volkanik kayaçların maden potansiyelinin araştırılması
Investigation on the ore potential of volcanic rocks in the region among the aladağ-yatağan-kizilören towns (southwest konya-turkey)
EVREN SOLGUN
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Jeoloji MühendisliğiSelçuk ÜniversitesiJeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ ALİCAN ÖZTÜRK
- Tekstil ürün ve atıklarında bazı eser elementlerinin birlikte çöktürme ile değiştirilmeleri ve tayinleri
Başlık çevirisi yok
BİLAL ÖZCAN
- Kumarlar (Çan-Çanakkale) polimetalik (Pb-Zn-Cu±Au) cevherleşmesini oluşturan çözeltilerin özellikleri
Investigations on ore forming solutions in kumarlar (Çan-Çanakkale) lead-zinc polymetallic (Pb-Zn-Cu±Au) mineralization
MÜMİN ARAL ABAKA
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Jeoloji MühendisliğiPamukkale ÜniversitesiJeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜLCAN BOZKAYA
- Kılıçören (Gümüşhane ) Cu-Zn-Pb ± (Ag, Au) cevherleşmesinin jeolojik ve mineralojik incelenmesi
Geological and mineralogical investigation of Kılıçören (Gümüşhane) Pb-Zn-Cu±Au±Ag mineralization
FATİH ŞAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Jeoloji MühendisliğiGümüşhane ÜniversitesiJeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENVER AKARYALI