Geri Dön

Püskürtme tekniği ile elde edilen TiO2 filminin yapısal ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

The investigation of structural and electrical analyses of TiO2 films deposited by sputtering method

  1. Tez No: 303554
  2. Yazar: YUNUS ÖZEN
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. PERİHAN DURMUŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2010
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 96

Özet

Bu tez çalışması kapsamında, DC magnetron püskürtme sistemi ile biriktirilmiş 1500 Å kalınlığındaki TiO2 arayüzey tabakasına sahip Au/TİO2/n-Si Schottky diyotların yapısal ve elektriksel analizi yapıldı. Metal kontaklar oluşturulmadan önce kristal kalitesinin artırılması, amorf fazdan anataz ve rutil fazlara geçişin sağlanabilmesi için numuneler 700 ? C ve 900 ? C'de hava ortamında tavlandı. Tavlama ile faz değişimlerinin gerçekleşip gerçekleşmediğinin anlaşılabilinmesi için tavlanan numunelerin yapısal analizi yüksek çözünürlüklü X-ışını kırınımı (HRXRD) metoduyla gerçekleştirildi. HRXRD analizi sonucunda 700 ? C tavlama sıcaklığında amorf fazdan anataz faza, 900 ? C'de ise amorf fazdan rutil faza geçiş olduğu gözlendi. Ayrıca, oda sıcaklığında anataz ve rutil fazlı TiO2 arayüzey tabakasına sahip Au/n-Si Schottky diyotların idealite faktörü (n), kaçak akımı (IL), engel yükseliği ( ? B), seri direnci (Rs), şönt direnci (Rsh) ve arayüzey durum yoğunluğu (Nss) gibi temel elektriksel parametreleri oda sıcaklığında ileri-geri beslem akım-gerilim (I-V) ve kapasitans-gerilim (C-V) ölçümleri kullanılarak incelendi. Sonuç olarak rutil fazlı TiO2 arayüzey tabakalı numunenin daha iyi aygıt özelliklerine sahip olduğu ve bu türdeki aygıtlar için daha uygun olduğu görüldü.

Özet (Çeviri)

In this study, the structural and electrical analyses of Au/n-Si Schottky diodes having DC magnetron sputtered TiO2 interfacial layer with thickness of 1500 Å have been investigated. Prior to form metal contacts, in order to improve the crystal quality and to provide the phase transition from amorphous phase to anatase and rutile phases, thermal annealing process was carried out at 700 ? C and 900 ? C in air ambient. The structural analyses of annealed samples were investigated by high resolution X-ray diffraction (HRXRD) to check whether or not the phase transition was completed with annealing. As a result of HRXRD measurements, the phase transition from amorphous phase to anatase phase at 700 ? C was observed while from amorphous phase to rutile phase was observed at 900 ? C. Also, the main electrical parameters of Au/n-Si Schottky diodes with anatase and rutile phases TiO2 interfacial layer, such as ideality factor (n), leakage current (IL), barrier height ( ? B), series resistance (Rs), shunt resistance (Rsh) and interface states (Nss) were obtained from current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics at room temperature and the obtained results have been compared with each other. The experimental results show that Au/TiO2/n-Si Schottky diode with rutile phases TiO2 interfacial layer have better device performance and is more suitable for such device applications.

Benzer Tezler

  1. Plazma ve alev püskürtme tekniği ile al2o3-%13 tio2 ve cr2o3-%5sio2-%3tio2 seramik kaplanan malzemelerin özellikleri

    Properties of al2o3-% 13tio2 and cr2o3-% 5sio2-% 3tio2 ceramic coated materials with plasma and flame spraying technique

    SERDAR SALMAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1995

    Metalurji MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Metalurji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ZEKİ ÇİZMECİOĞLU

  2. Metal katkılı TiO2 ince filmlerin geliştirilmesi ve sensör uygulamaları

    Development of metal doped TiO2 thin films and sensor applications

    BUSE CÖMERT SERTEL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

  3. Plazma püskürtme tekniği ile magnezyum ve alaşımlarının TiO2 ve Al2O3 kaplanması ve korozyonu

    TiO2 and Al2O3 coating and corrosion of magnesium and its alloys by plasma spray technique

    TUĞBA BAYRAM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Metalurji MühendisliğiAfyon Kocatepe Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YUSUF KAYALI

  4. Thermal oxidation of titanium-based cold spray coatings for biological and wear-related applications

    Biyolojik ve aşınmaya yönelik uygulamalar için soğuk dinamik gaz püskürtme tekniği ile üretilmiş titanyum bazlı kaplamaların termal oksidasyonu

    DOĞUKAN ÇETİNER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HÜSEYİN ÇİMENOĞLU

    PROF. DR. ERDEM ATAR

  5. Investigation of dye sensitized solar cells fabricated by spray pyrolysis

    Sprey metodu kullanılarak üretilen boya ile hassaslaştırılmış güneş pillerinin incelenmesi

    MAHİR GÜLEN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAbant İzzet Baysal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET VARİLCİ