InAlN/GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistörlerin (HEMT) elektron ve magneto iletim özellikleri
Electron and magnetotransport properties of InAlN/GaN based high electron mobility transistörs (HEMT)
- Tez No: 303553
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2010
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 175
Özet
Bu çalışmada InAlN/GaN ve InAlN/AlN/GaN/AlN yüksek mobiliteli transistör (HEMT) yapılarının elektron iletim ve manyeto iletim özellikleri incelendi. Bu amaçla, her bir numunenin özdirenci, Hall mobilitesi ve taşıyıcı yoğunluğu sıcaklık (30 ? 300 K) ve manyetik alanın (0 ? 1,4 T) fonksiyonu olarak ölçüldü. Manyetik alana bağımlı ölçüm sonuçları, Nicel Hareketlilik Spektrumu Analizi (QMSA) yöntemi kullanılarak analiz edildi ve gerçek 2-boyutlu elektron gazı (2DEG), bulk taşıyıcı yoğunlukları ve bu taşıyıcı yoğunlularından kaynaklanan mobiliteler tespit edildi. Sıcaklık bağımlı Hall ölçüm sonuçları ve QMSA ile ayrıştırılmış 2DEG verileri kullanılarak saçılma analizleri ve gerginlik hesaplamaları yapıldı. Yapılan analizler sonucunda, 2DEG iletiminin gerçekleştiği kuantum kuyusu genişliği, arayüzey bozukluğu ve gerginlikleri belirlendi. Ayrıca, korelasyon uzunluğu, deformasyon potansiyeli ve kuyu genişliği gibi parametreler belirlendi. Yapısal özelliklere ait bu parametrelerin belirlenmesi, daha sonraki çalışmalarda elektriksel özellikleri daha iyi olan numunelerin üretilmesinde yol gösterme işini üstlenecektir.
Özet (Çeviri)
Electron and magnetotransport properties of 5 different InAlN/GaN and InAlN/AlN/GaN/AlN structures were investigated in this study. Resistivities were measured at a temperature range of 30 ? 300 K, Hall mobilities and Hall carrier densities were measured at the same temperature range and magnetic fields between 0 ? 1.4 T. Two-dimensional and 3-dimensional conduction mechanisms were seperated using Quantitative Mobility Spectrum Analysis (QMSA) of magnetotransport measurement results. Results of Hall measurements and QMSA results were used to conduct scattering analysis and strain calculations separately and the differences were examined. Well width of the quantum well that the 2-dimensional conduction occured, roughness of the related interface where the conduction occured and the strain of the interface were calculated. Also, correlation length and deformation potential of samples were determined. Succesfull calculation of these parameters related with the sctructural properties will lead to produce samples which will have better electrical properties.
Benzer Tezler
- Design, fabrication, and characterization of normally-off GaN hemts
Normalde kapalı YEMT aygıtların tasarım, fabrikasyon ve karakterizasyonu
MELİSA EKİN GÜLSEREN
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- Çoklu kuvantum kuyu arkabariyer yapısına sahip AlQN/AlN/GaN-temelli (Q=Ga, In) transistörlerde 2-boyutlu taşıyıcıların özelliklerinin hesaplamalı incelenmesi
Numerical investigation of the 2-dimensional carriers in AlQN/AlN/GaN--based (Q=Ga, In) transistors with multi-quantum well back-barriers
GÖKHAN ATMACA
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- InGaN ve GaN kuantum kuyulu InAlN/GaN yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörlerin elektron iletim özellikleri
Electron transport properties of InGaN and GaN quantum well InAlN/GaN high electron mobility transistor
POLAT NARİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET KASAP
- Üçlü alaşım wurtzite InxGa1-xN malzemenin band yapısı hesabı
Band structure calculation of the wurtzite phase material, ternary alloy, InxGa1-xN
SEVİL SARIKURT
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. İSMAİL SÖKMEN
- Silikon ve safir alttaşlar üzerine epitaksiyel büyütülmüş aln ince filmlerin elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of epitaxially grown ain thin films on silicon and sapphire substrates
KAĞAN MURAT PÜRLÜ
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiNanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İLKAY DEMİR