Geri Dön

GaAs/AlGaAs ve AlGaAs/AlAs kuantum kuyulu yapılarda manyetotaşınım özelliklerinin incelenmesi

Investigation of magnetotransport properties at GaAs/AlGaAs and AlGaAs/AlAs quantum well structures

  1. Tez No: 304565
  2. Yazar: ENVER METİN KENDİRLİK
  3. Danışmanlar: PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Anadolu Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 165

Özet

Bu çalışmada, MBE tekniğiyle büyütülen GaAs/AlGaAs ve AlGaAs/AlAs kuantum kuyulu heteroyapıların manyetotaşınım özellikleri incelenmiştir. Çalışmada kullanılan örneklerde kontak kalitesini görmek için 10-300 K sıcaklık aralığında akım-gerilim ölçümleri alınmıştır. Baskın saçılma mekanizmalarını anlamak ve bazı yapı içi parametreleri belirmek için 77-300 K sıcaklık aralığında klasik Hall olayı ölçümleri yapılmıştır. Örneklerin manyetotaşınım özelliklerini irdelemek amacıyla farklı sıcaklıklarda ve farklı elektrik alanlarda manyetodireç ölçümleri yapılmıştır. Yapılarda Shubnikov-de Haas osilasyonları ve negatif manyetodirenç gibi kuantum etkiler gözlenmiş ve çeşitli teorik öngörülerle bu etkilerin nedenleri açıklanmıştır. Ayrıca, elde edilen deneysel sonuçlar bazı teorik hesaplarla karşılaştırılarak örnek parametreleri belirlenmiştir.

Özet (Çeviri)

In this study, magnetotransport properties of GaAs/AlGaAs and AlGaAs/AlAs quantum well heterostructures grown by MBE technique were investigated. In order to scrutinize quality of contacts, current-voltage measurements for samples at a temperature range of 10-300 K was performed. To understand suppress scattering mechanisms and determine structures parameters, classical Hall effect measurements were carried out from 77 K to 300 K. With the aim of semtinizing magnetotransport properties of samples, magnetoresistance measurements were performed at different temperatures and different electrical fields. Quantum effects such as Shubnikov-de Haas oscillations and negative magnetoresistance at handled structures were observed and explained the reasons of these effects with different predictions. Also, comparing to experimental results with some theoretical calculations the sample parameters were determined.

Benzer Tezler

  1. Rezonans kaviteli ve iç kazançlı GaInNas-tabanlı IR fotodedektör

    Resonant cavity enhanced GaInNAs-based IR photodetector with gain

    FAHRETTİN SARCAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2018

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AYŞE EROL

  2. Moleküler demet epitaksi tekniğiyle üretilen Al0.6Ga0.4As/GaAs tekli kuantum kuyulu yapının optiksel ve yapısal özellikleri

    An investigation of optical and structural properties of the growth AlGaAs/GaAs mono quatum well semiconductor structure by molecular beam epitaxy

    VEYSEL ÇELİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

    Y.DOÇ.DR. ORHAN ZEYBEK

  3. GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının TEM (geçirimli elektron mikroskobu) ile analizi

    Characterization of GaAs/AlGaAs quantum wells with TEM (transmission electron microscopy) techniques

    TUĞÇE KARAKULAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN

  4. Simulation of betavoltaic batteries with geant4

    Betavoltaik pillerin geant4 programı ile benzetimi

    BERRİN CANKILIÇ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nükleer Araştırmalar Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İSKENDER ATİLLA REYHANCAN

  5. MBE tekniği ile büyütülen InGaAs/GaAs ve A1GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri

    Transport properties of InGaAs/GaAs and A1GaAs/GaAs semiconductors grown by MBE

    SEFER BORA LİŞESİVDİN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Metalurji MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. MEHMET KASAP