GaAs/AlGaAs ve AlGaAs/AlAs kuantum kuyulu yapılarda manyetotaşınım özelliklerinin incelenmesi
Investigation of magnetotransport properties at GaAs/AlGaAs and AlGaAs/AlAs quantum well structures
- Tez No: 304565
- Danışmanlar: PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Anadolu Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 165
Özet
Bu çalışmada, MBE tekniğiyle büyütülen GaAs/AlGaAs ve AlGaAs/AlAs kuantum kuyulu heteroyapıların manyetotaşınım özellikleri incelenmiştir. Çalışmada kullanılan örneklerde kontak kalitesini görmek için 10-300 K sıcaklık aralığında akım-gerilim ölçümleri alınmıştır. Baskın saçılma mekanizmalarını anlamak ve bazı yapı içi parametreleri belirmek için 77-300 K sıcaklık aralığında klasik Hall olayı ölçümleri yapılmıştır. Örneklerin manyetotaşınım özelliklerini irdelemek amacıyla farklı sıcaklıklarda ve farklı elektrik alanlarda manyetodireç ölçümleri yapılmıştır. Yapılarda Shubnikov-de Haas osilasyonları ve negatif manyetodirenç gibi kuantum etkiler gözlenmiş ve çeşitli teorik öngörülerle bu etkilerin nedenleri açıklanmıştır. Ayrıca, elde edilen deneysel sonuçlar bazı teorik hesaplarla karşılaştırılarak örnek parametreleri belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
In this study, magnetotransport properties of GaAs/AlGaAs and AlGaAs/AlAs quantum well heterostructures grown by MBE technique were investigated. In order to scrutinize quality of contacts, current-voltage measurements for samples at a temperature range of 10-300 K was performed. To understand suppress scattering mechanisms and determine structures parameters, classical Hall effect measurements were carried out from 77 K to 300 K. With the aim of semtinizing magnetotransport properties of samples, magnetoresistance measurements were performed at different temperatures and different electrical fields. Quantum effects such as Shubnikov-de Haas oscillations and negative magnetoresistance at handled structures were observed and explained the reasons of these effects with different predictions. Also, comparing to experimental results with some theoretical calculations the sample parameters were determined.
Benzer Tezler
- Rezonans kaviteli ve iç kazançlı GaInNas-tabanlı IR fotodedektör
Resonant cavity enhanced GaInNAs-based IR photodetector with gain
FAHRETTİN SARCAN
Doktora
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. AYŞE EROL
- Moleküler demet epitaksi tekniğiyle üretilen Al0.6Ga0.4As/GaAs tekli kuantum kuyulu yapının optiksel ve yapısal özellikleri
An investigation of optical and structural properties of the growth AlGaAs/GaAs mono quatum well semiconductor structure by molecular beam epitaxy
VEYSEL ÇELİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
Y.DOÇ.DR. ORHAN ZEYBEK
- GaAs/AlGaAs tabanlı kuantum kuyularının TEM (geçirimli elektron mikroskobu) ile analizi
Characterization of GaAs/AlGaAs quantum wells with TEM (transmission electron microscopy) techniques
TUĞÇE KARAKULAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
- Simulation of betavoltaic batteries with geant4
Betavoltaik pillerin geant4 programı ile benzetimi
BERRİN CANKILIÇ
Yüksek Lisans
İngilizce
2022
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiNükleer Araştırmalar Ana Bilim Dalı
PROF. DR. İSKENDER ATİLLA REYHANCAN
- MBE tekniği ile büyütülen InGaAs/GaAs ve A1GaAs yarıiletkenlerinin iletim özellikleri
Transport properties of InGaAs/GaAs and A1GaAs/GaAs semiconductors grown by MBE
SEFER BORA LİŞESİVDİN
Yüksek Lisans
Türkçe
2005
Metalurji MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET KASAP