Örgü sabitleri uyusmayan III-V yarıiletken nanotellerinin elektronik ve geometrik özelliklerinin yoğunluk fonksiyonel teorisi ile incelenmesi
Density functional theory investigation of electronic and geometric properties of the lattice mismatched III-V semiconducting nanowires
- Tez No: 304655
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEYFETTİN DALGIÇ, YRD. DOÇ. DR. HANDE TOFFOLİ
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Trakya Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 140
Özet
Bu tezde, örgü sabitleri uyuşmayan III-V yarıiletkenlerinden InAs ve GaAs ile oluşturulan InAs/GaAs nanotel heteroyapılarının elektronik ve geometrik özellikleri incelenmiştir. (001) yönünde büyütülen InAs/GaAs bulk heteroyapıları ve InAs/GaAs nanotel heteroyapıları çalışılmıştır. Bulk heteroyapılar ve nanotel heteroyapıların her ikisi içinde farklı katmanlar çalışılmıştır. İncelenen sistemlerin denge durumu örgü sabitleri, toplam enerjileri, elektrostatik potansiyel eğrileri ve elektronik bant yapıları hesaplanmıştır. Ayrıca bu fiziksel niceliklerin tel yarıçapı ve katman sayısıyla olan ilişkileri incelenmiştir. Nanotel heteroyapılarda yarıçap değerinin artmasıyla denge durumu örgü sabitlerinin artığı gözlenmiştir. Nanotel heteroyapıların 0.9 nanometrenin altındaki yarıçapa sahip olduğu durumlarda örgü yapısındaki bozulmalar dikkati çekmiştir. Buna bağlı olarak elektrostatik potansiyel eğrilerde, InAs ve GaAs farkı gözlenmemiştir. Ancak 0.9 nm ve üzeri yarıçap değerlerine sahip nanotel heteroyapılarda hem örgü yapısı daha düzenli hem de InAs ve GaAs arasındaki potansiyel farkı bulk yapı özelliklerine benzer bir özellik göstermesine karşın bulk yapıdan elde edilen potansiyel farkından daha düşük olduğu anlaşılmıştır. Hesaplamalar, temeli yoğunluk fonsiyonel teorisine dayanan düzlem dalga öz uyum alan programı ile gerçekleştirilmiştir.
Özet (Çeviri)
In this thesis, we have investigated electronic and geometric properties of InAs/GaAs nanowire heterostructure which made up InAs/GaAs from lattice mismatched III-V semiconductors. InAs/GaAs bulk heterostructures and InAs/GaAs nanowire heterostructures which are growth in the (001) direction have been investigated. We studied the different layers both of bulk heterostructures and nanowire heterostructures. Equilibrium lattice constants, total energies, electrostatic potential curves and electronic band structures of investigated systems have been calculated. Also, the relation between wire radius and layer number of this physical quantities have been carried out. We observed that with increasing of the radius value equilibrium state lattice constant increases. We have noticed that distortions of the lattice structure below the radius of 0.9 nanometers. We have not observed an obvious electrostatic potential difference between InAs and GaAs. Nanowire heterostructures which have 0.9 nm and high value of radius show similar feature both lattice structure which have more regular and between InAs and GaAs potential deference bulk structure properties. However the difference of potential from obtain bulk structure lower. Our calculations have been carried out using plane wave self consistent field program based on density functional theory.
Benzer Tezler
- InSe/GaSe yarıiletken heteroyapısının elektronik özelliklerinin teorik olarak incelenmesi
The theoretical investigation of the electronic properties of InSe/GaSe semiconductor heterostructures
AYÇA KIRAĞASI
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEYFETTİN DALGIÇ
- Computational modelling of highly mis-matched alloys of GaNAsP and GaNAsBi as a laser gain material
Yüksek örgü uyumsuz GaNAsP ve GaNAsBi alaşımlarının lazer kazanç malzemesi olarak bilgisayarlı modellenmesi
ÖMER LÜTFİ ÜNSAL
Doktora
İngilizce
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGaziantep ÜniversitesiFizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. BEŞİRE GÖNÜL
- Fe1-xPdx (X-0,28 0,90 0,96) alaşımlarında örgü dinamiği
Lattice dynamics of Fe1-xPdx (X-0,28 0,90 0,96) alloys
GÖKAY UĞUR
Yüksek Lisans
Türkçe
1994
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. İRFAN AKGÜN
- Kübik yapıdaki Fe2YSi (Y=Co, Cr, Mn ve Ni) heusler bileşiklerinin yapısal, elektronik, elastik ve titreşim özelliklerinin yoğunluk fonksiyonel teorisi ile incelenmesi
The investigation of the electronic, elastic and vibrational properties of cubic Fe2YSi (Y=Co, Cr, Mn ve Ni) heusler compounds within the density functional theory
FATİH EKİNCİ
Yüksek Lisans
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÖKAY UĞUR
- Cds/cuo heteroeklem yapının elde edilmesi ve fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Obtaining of cds/cuo heterojunction structure and investigation of physical properties
HİLAL RÜZGAR
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. AHMET ŞENOL AYBEK