AlGaN temelli UV-LED yapılarının metal organik buhar fazı epitaksisi yöntemi ile büyütülmesi ve karakterizasyonu
Growth and characterization of AlGaN based UV-LED structures by metal organic vapor phase epitaxy
- Tez No: 312744
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ELİF ORHAN, PROF. DR. EKMEL ÖZBAY
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada c-safir (0001) alttaş üzerine çatlaksız, AlGaN temelli 340 nm de ışıma yapan UV-LED yapıları Metal-Organik Buhar Fazı Epitaksi (MOBFE) yöntemi ile büyütülmüş ve karakterize edilmiştir. AlGaN temelli UV-LED yapı büyütmelerindeki en önemli zorluk AlGaN tabakalarının safir alttaş (c-düzlem) ile yüksek örgü uyumsuzluğu nedeniyle kusurların üretilmesidir. Bu çalışmada kusurları azaltmak amacıyla AlN tampon optimizasyonu; çekirdeklenme, nitridasyon ve desorpsiyon adımları ile birlikte gerçekleştirilmiştir. Aynı zamanda diyot karakteristiklerinin de iyileştirilmesi ve aktif bölgede daha fazla taşıyıcı toplanabilmesi için n ve p tipi katkılı tabakalar ile elektron bloklama tabakaları üzerinde çalışılmıştır. Güçlü iç soğurmayı en aza indirmek için p tipi katkılı zarflama tabakaları ile p kontak metallerinin kalınlıkları düşürülmüştür. Sonuç olarak, 8mA giriş akımında 339 nm de güçlü ve keskin bir Elektro-luminesans (EL) şiddeti gözlenebilmiştir. EL sinyalinin FWHM değeri 13,7 nm olarak belirlenmiştir.
Özet (Çeviri)
AlGaN based UV-LEDs emitting at 340 nm were grown on c-sapphire (0001) by Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) method and characterized in this work. Generation of defects related to large lattice mismatch between c-plane sapphire substrate and AlGaN layers is the most important adversity in growing AlGaN based UV-LEDs. AlN buffer optimization is carried out with nucleation, nitridation and desorption parameters in order to reduce defects. At the same time a work is performed on n type and p type layers as well as electron blocking layers to get better diode characteristics and combine more carriers in active region. Thickness of p type doped cladding layers with p contact metals were decreased in order to reduce strong internal absorption. In summary, a strong and sharp Electro-luminescence (EL) peak observed at 339 nm with 8mA injection current. FWHM of EL peak is determined as 13,7 nm
Benzer Tezler
- Fabrication and characterization of P3HT-WO3 hybrid thin films and device applications
P3HT-WO3 hibrit ince filmlerin üretimi, karakterizasyonu ve cihaz uygulamaları
FATMA BEYZA YEDİKARDEŞ ER
Doktora
İngilizce
2024
Kimyaİstanbul Teknik ÜniversitesiNanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ESRA ZAYİM
PROF. DR. MUSTAFA ALTUN
- Ftalosiyaninle kaplanmış titanyumdioksidin fotokatalitik uygulamaları
Photocatalytic applications of titanium dioxide coated with phthalocyanine
YAGHUB MAHMIANI
- Bor içeren donör-akseptör (D-A) organik materyallerin sentezi ve özelliklerinin incelenmesi
Syntheses of boron containing donor-acceptor (D-A) organic materials and investigation of their properties
ONUR ŞAHİN
- Yeşil sentez metodu ile hazırlanan Ag2S temelli nanokompozitlerin fotokatalitik hidrojen üretiminde kullanılması
The use of Ag2S based nanocomposites prepared by green synthesis method in photocatalytic hydrogen production
AYDIN BARIŞ ŞİMŞİR
- Farklı fazlarda KSnI3 ve KSnBr3 inorganik metal halojenür perovskit malzemelerin yapısal, elektronik, mekanik ve optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of structural, electronic, mechanical and optical properties of KSnI3 and KSnBr3 inorganic metal halide perovskite materials in different phases
AYNUR AYVALIK
Doktora
Türkçe
2026
EnerjiEge ÜniversitesiMalzeme Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HÜMEYRA ÖRÜCÜ
DOÇ. DR. MEHMET YAĞMURCUKARDEŞ