Geri Dön

SnO2 filmlerinin püskürtme yöntemiyle elde edilmesi ve bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi

Production of SnO2 films by spray pyrolysis method and investigation of some physical properties

  1. Tez No: 315521
  2. Yazar: SEÇKİN AKIN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. EVREN TURAN, YRD. DOÇ. DR. SAVAŞ SÖNMEZOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Anadolu Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 108

Özet

Bu tez çalışmasında, IV-VI grup ikili bileşiklerinden olan SnO2 yarıiletken filmleri spray pyrolysis (püskürtme) tekniği ile 300 °C, 350 °C, 400 °C, 450 °C ve 500 °C taban sıcaklıklarında üretilmiştir. Taban sıcaklığının SnO2 yarıiletken filmlerinin fiziksel özellikleri üzerindeki etkisini araştırmak için büyütülen filmlerin yapısal, morfolojik ve optik özellikleri incelenmiştir. SnO2 filmlerinin kalınlıkları spektroskopik elipsometri ölçümlerinden belirlenmiştir. Filmlerin x-ışını kırınım desenleri incelendiğinde, numunelerin polikristal yapıda oluştuğu ve taban sıcaklığı artışının filmlerin yapısal özelliklerini iyileştirdiği sonucuna ulaşılmıştır. Yüksek geçirgenlikteki SnO2 yarıiletken filmlerinin optik özellikleri incelenmiş, direkt bant geçişine sahip oldukları saptanmıştır. Taban sıcaklığının 300 °C'den 500 °C'ye çıkması ile yasak enerji bant aralığının 3.95 eV'dan 3.71 eV'a azaldığı belirlenmiştir. Filmlerin optik spektrum ölçümlerinden kırılma indisi, sönüm katsayısı, dielektrik sabiti ve optik taşıyıcı konsantrasyonu gibi bazı optik parametreleri hesaplanmıştır. Alan emisyonlu taramalı elektron mikroskobu (FESEM) ile filmlerin yüzey topografileri incelenmiştir. Bu görüntülerde 350 °C taban sıcaklığının üzerinde elde edilen filmlerin yüzeye iyi tutunduğu, homojen bir dağılım sergilediği ve taneli bir yapılanmanın varlığı dikkati çekmiştir. Tüm sonuçlar optoelektronik aygıt teknolojisi uygulamaları açısından değerlendirilmiş ve taban sıcaklığının her bir fiziksel özellik üzerinde önemli bir etki yarattığı belirlenmiştir.

Özet (Çeviri)

In this study, SnO2 films which belong to IV-VI group binary compounds have been produced by spray pyrolysis technique at substrate temperatures of 300 °C, 350 °C, 400 °C, 450 °C and 500 °C. To investigate the effect of substrate temperature on the physical properties of SnO2 semiconductor films, the structural, morphological and optical properties of the growth films have been investigated. Thicknesses of the SnO2 films have been measured by spectroscopic ellipsometry. X-ray diffraction studies showed that the samples have polycrystalline nature and the increasing of substrate temperature improves the structural properties of the films. Optical properties have been investigated and the highly transparent SnO2 films were found to have a direct band gap structure. It is obtained that the optical band gap decreases from 3.95 to 3.71 eV as the substrate temperature increases from 300 °C to 500 °C. Some optical parameters such as refractive index, extinction coefficient, dielectric constant and optical carrier concentration have been calculated from optical investigation. The surface topography of the films have been examined by field emission scanning electron microscope (FESEM). In these images, good adhesion onto substrate, a homogeneous distribution and existence of a granular structure on the surface have been noticed for the films obtained up to 350 °C. All of the results have been appreciated in point of view of optoelectronic device technology and it has been concluded that substrate temperature has a noticeable affect on each physical property.

Benzer Tezler

  1. SnO2: F filmlerinin püskürtme yöntemi ile büyütülmesi

    Başlık çevirisi yok

    SÜLEYMAN YALÇIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1984

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ.DR. ÖZCAN ÖKTÜ

  2. Püskürtme yöntemiyle SnO2/ CdTe ince film güneş pili yapımı

    Preparation of SnO2/ CdTe thin film solar cells by spray pyrolysis

    FETHİ SOYALP

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI

  3. İnce film SnO2/Cu20 güneş pilleri

    Başlık çevirisi yok

    SÜLEYMAN ÇABUK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1992

    Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

  4. Püskürtme yöntemiyle SnO2/CuInSe2 ince film güneş pilleri yapımı

    Preparation of SnO2/CuInSe2 thin film solar cells by spray pyrolysis

    ABUZER YAMAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1996

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. REMZİ ENGİN

  5. Püskürtme yöntemiyle büyütülen katkılı SnO2/Si heteroeklemlerin incelenmesi

    The investigation of doped SnO2/Si heterojunctions grown by spray pyrolysis method

    SİBEL GÜRAKAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SALİHA TÜLAY SERİN