Geri Dön

Püskürtme yöntemiyle SnO2/CuInSe2 ince film güneş pilleri yapımı

Preparation of SnO2/CuInSe2 thin film solar cells by spray pyrolysis

PDF İndir

  1. Tez No: 57608
  2. Yazar: ABUZER YAMAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. REMZİ ENGİN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Güneş pilleri, Püskürtme, İnce filmler, Solar cells, Spraying, Thin films
  7. Yıl: 1996
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Yüzüncü Yıl Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Bu çalışmada, püskürtme yöntemiyle Sn02 ve CuInSe2 ince filmleri çeşitli alttaban sıcaklıklarında hazırlandı. Her ikisinin optik ve elektriksel özellikleri incelendi. Sn02'nin optik geçirgenliğinin görünür bölgede % 80-98 arasında, CuInSe2'nin ise % 0.2-15 arasında olduğu gözlendi. Böylece CuInSe2'nin çok iyi bir soğurucu olduğu görüldü. Sn02 ve CuInSe2 ince filmlerinin elektriksel özellikleri dört nokta ölçer aleti ile ölçüldü. Sn02'nin özdirenci 0.9-91.7 Hem, direnci 0.79xl02-79.6xl02 H, katman direnci de 0.36xl03-36.1xl03 Ü./Ü olarak bulundu. CuInSe2'nin özdirenci 0.01- 72.0 n-cm, direnci 0.96-9.7x1 03 Q. ve katman direnci ise 0.04xl02-438.4xl02 Q/0 olarak saptandı. Özdirençler ayrıca Van der Pauw yöntemiyle de ölçüldü ve Sn02'nin özdirenci 0.12xl0_2-40.9xl0-2 ficm, CuInSe2'nin özdirenci ise 0.76xl0-3- 2.02xl0~3 Ocm olarak bulundu. Sn02 ve CuInSe2 ince filmlerinden heterokavşaklı Sn02/CuInSe2 ince film güneş pilleri oluşturuldu. Bu ince film güneş pillerine gümüş boyası ile kontaklar yapılarak açık devre gerilimleri ve kısa devre akımları ölçüldü. Açık devre geriliminin 2-3 mV arasında, kısa devre akımının ise 1-2 uA arasında olduğu görüldü. Bu değerlerin düşük olması nedeniyle I-V eğrisi çizimi yapılamadı.

Özet (Çeviri)

In this work, thin films of Sn02 and CuInSe^ were prepared at different substrate temperature by spray pyrolysis. Optical and electrical properties of each film were investigated. In the visible region the optical transmittance of Sn02 was observed as 80-98 % while the optical transmittance of CuInSe2 films were varied between 0.2-15 %.' Thus, CuInSe^ was seen as a good absorber. The electrical properties of Sn02 and CuInSe2 thin films were measured by four point probe device. The resistivity of Sn02 0.9-91.7 Qcm, resistance 0.79x1 02-79.6xl02 Q, and sheet resistance 0.36xl03- 36.1x1 03 CI/Û were found. The resistivity of CuInSe2 0.01-72.0 Ocm, resistance 0.96- 9.7x1 03 Q. and sheet resistance 0.04x1 02 -438.4x10" Q./D were found. Resistivities were also measured by the Van der Pauw method, and the resistivity of Sn02 was 0. 12x 1 0 2 40.9xl0-2 Clem, and that of CuInSej was 0.76x1 0_3~2.02xl0~3 Qcm. The heterojunction SnC2/CuInSe2 thin film solar cells were formed from Sn02 and CuInSe2 thin films. The contacts were made to these thin film solar cells with silver paint, and the open circuit voltages and short circuit currents were measured. The short circuit current and open circuit voltage were determined between 1-2 uA and 2-3 mV, respectively. Because of low values of these quantities the I-V curve has not been drawn.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    120802

    Püskürtme yöntemiyle SnO2/ CdTe ince film güneş pili yapımı

    Preparation of SnO2/ CdTe thin film solar cells by spray pyrolysis

    FETHİ SOYALP

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYüzüncü Yıl Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BAHRİ BATI

  2. Tez No

    416782

    Püskürtme yöntemiyle büyütülen katkılı SnO2/Si heteroeklemlerin incelenmesi

    The investigation of doped SnO2/Si heterojunctions grown by spray pyrolysis method

    SİBEL GÜRAKAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SALİHA TÜLAY SERİN

  3. Tez No

    315521

    SnO2 filmlerinin püskürtme yöntemiyle elde edilmesi ve bazı fiziksel özelliklerinin incelenmesi

    Production of SnO2 films by spray pyrolysis method and investigation of some physical properties

    SEÇKİN AKIN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. EVREN TURAN

    YRD. DOÇ. DR. SAVAŞ SÖNMEZOĞLU

  4. Tez No

    324636

    Kimyasal püskürtme yöntemiyle hazırlanan ZnO mikroçubukların bazı yapısal, optik ve schottky diyot özelliklerinin incelenmesi

    The investigation of some structural, optical and schottky diode properties of ZnO microrods prepared by spray pyrolysis method

    EDA ABBASOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiKaradeniz Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. TAYFUR KÜÇÜKÖMEROĞLU

  5. Tez No

    133347

    MOS yapılarda kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/W-V) karakteristiklerinin frekans ve radyasyona bağlı incelenmesi

    The investigation of capacitance-voltage (C-V) and conductivity-voltage (G/W-V) characetrsitics depend on frequency and radiation in MOS structure

    MUHARREM GÖKÇEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    Y.DOÇ.DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

Geri Dön