Geri Dön

Galyum halojenürlerinin moleküler yapılarının kararlılığının incelenmesi

Galyum halojenürlerinin moleküler yapilarinin kararliliğinin incelenmesi

  1. Tez No: 322816
  2. Yazar: DİLEK BALA
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. MUSTAFA ÇALIŞKAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Trakya Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 96

Özet

Bu çalışmada, galyum halojenürler (GaF3, GaCl3, GaBr3, GaI3; Ga2F6, Ga2Cl6, Ga2Br6, Ga2I6) için sistemlerin yerel yapısı incelenmiş ve böylece galyum halojenürlerin sıvı fazdaki yapıların anlaşılması için ayrıntılı iyonik etkileşmeleri içeren molekül dinamiği simülasyonu metodu ile mikroskobik potansiyel model elde edilmiştir.Bu potansiyel model kullanılarak, galyum halojenürlerin yumuşak küre potansiyeli (), Van der Waals etkileşim potansiyeli (), elektrik potansiyeli (), dipol-dipol etkileşme potansiyeli () ve bağlanma potansiyelini () içeren toplam potansiyel enerjileri hesaplanmıştır.Bu potansiyel model kullanılarak, galyum halojenürlerin bağ uzunlukları, titreşim frekansları, bağ açıları ve bağlanma enerjileri hesaplanarak, denge durumundaki moleküler yapıları ve geometrik şekilleri bulunmuştur. Bulunan bu bağ uzunlukları ve titreşim frekansları mevcut verilerle karşılaştırılmıştır.Bu çalışmada, galyum halojenür atomik kümelerinin denge durumundaki moleküler yapıları, İyonlar arası Kuvvet Modeli kullanılarak olarak hesaplanmıştır.

Özet (Çeviri)

In this work first, ionic interactions model potential have obtained to investigated local and liquid structure of gallium halides (GaF3, GaCl3, GaBr3, GaI; Ga2F6, Ga2Cl6, Ga2Br6, Ga2I6) by molecular dynamics simulation method.The total potential energy including soft sphere potential (UCSS), Van der Walls interactions potential (UVW), Electrical potential (UEL), Dipol-Dipol interactions potential (UDD), and Binding potential (UB) calculated using this model potential.In equilibrium state molecular structure and geometric shapes have obtained which bond lengths, vibrational frequencies, bond angle and binding energy for gallium halides calculated using this model potential computed bond lengths and vibrational frequencies are compare with literature.In this work, atomic clusters of gallium halides in equilibrium state moleculer structure have investigated by using Interionic Force Model.

Benzer Tezler

  1. Gallium arsenide/aluminium gallium arsenide double heterostructure laser diodes

    Galyum arsenit/alüminyum galyum arsenit çift heterojen yapılı lazer diyotları

    CEM GEZER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

  2. Design and development of X-band GaN-based low-noise amplifiers

    X-bant GaN tabanlı düşük gürültülü yükselteç tasarımı ve geliştirilmesi

    SALAHUDDIN ZAFAR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliğiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. EKMEL ÖZBAY

  3. Galyum katkılı çinko oksit ince filmlerin karakterizasyonu ve üretim parametrelerinin ince filmlere olan etkilerinin incelenmesi

    Characterization of gallium doped zinc oxide thin films and investigation of the effect of growth parameters on the thin films

    ENVER KAHVECİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Bilim ve TeknolojiHacettepe Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve Nanotıp Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. FİLİZ BETÜL KAYNAK

  4. Comparison of alloyed and non-alloyed ohmic contacts in GaN/algan HEMT for Ka band radar applications

    Ka bant radar uygulamaları için GaN / algan HEMT yapılarında alaşımlı ve alaşımsız ohmik kontakların karşılaştırılması

    HÜSEYİN ÇAKMAK

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MUHSİNE BİLGE İMER

    DOÇ. DR. ALPAN BEK

  5. Galyum arsenik tabanlı fotoiletken terahertz anten üretim ve iyileştirme çalışmaları

    Galium arsenic based photoconductive terahertz antenna production and improvement studies

    HASAN MERT BOZACI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK