Photoconductive processes in low dimensional semiconductor heterostructures
Düşük boyutlu yarıiletken heteroyapılarda fotoiletkenlik olayları
- Tez No: 325658
- Danışmanlar: PROF. DR. M.ÇETİN ARIKAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: İstanbul Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
- Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
- Sayfa Sayısı: 77
Özet
Bu çalışmanın amacı düşük boyutlu yarıiletken heteroyapılarda fotoiletkenlik olaylarının incelenmesidir. Düşük boyutlu yarıiletken yapılar günümüzde modern kuantum aygıtlarının temelini oluşturmaktadır. Dolayısıyla bu yapıların anlaşılması geleceğe yönelik yeni aygıtların tasarımında önemli rol oynamaktadır. Fotoiletkenliğin spektral bağımlılığı ise yarıiletken çalışmalarında önemli bir tekniktir. Hem ışığın soğurulmasını hem de elektronik yük taşıyıcılarının taşınım süreçlerini içeren fotoiletkenliğin foton enerjisine bağlı olarak incelenmesi heteroyapılar hakkında önemli bilgiler vermektedir.Bu çalışmada Ga1-xAIxAs/GaAs ve Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs kuantum kuyusu sistemlerinin 77 K ve 300 K'de optik karakterizasyonu fotoiletkenlik ölçümü ile yapılmıştır. Yarıiletkenlerin bant aralıkları belirlenmiş ve ekzitonik geçişler gözlenmiştir Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs tek kuantum kuyusu sisteminde ayrıca ısıl işlemin optik kaliteye etkisi fotoiletkenlik ölçümleriyle incelenmiştir.
Özet (Çeviri)
The aim of this study is to investigate the photoconductivity in low dimensional semiconductor heterostructures. Low dimensional semiconductor systems are considered as foundation (base) of modern quantum devices. Therefore, understanding of the low dimensional structures plays crucial role in designing new optoelectronic devices. Spectral dependence of photoconductivity is an important technique which includes both absorption coefficient and electronic transport cofficient for the materials or the structures under investigation.In this study, the optical characterization of Ga1-xAIxAs/GaAs and Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs quantum well systems were determined by using photoconductivity measurement at two temperatures; T=77 K and 300 K. The band gap of the investigated semiconductors as well as excitonic transitions were observed. The effect of the thermal annealing on the optical quality of Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs single quantum well was also investigated.
Benzer Tezler
- Yeni çözülür ftaloksiyaninlerin sentezi ve agregasyon özelliklerinin incelenmesi
Synthesis of new soluble phthalocyanines and study of their agregation properties
ALTUĞ MERT SEVİM
- Kinolin sübstitüe ftalosiyaninlerin sentezi, optik ve elektrokimyasal özelliklerinin incelenmesi
Synthesis and examination of optical and electrochemical properties of quinoline-substituted phthalocyanines
FUAT DAHİL
- N2S2O makrohalkaları içeren yeni ftalosiyaninler
New phthalocyanines containing N2S2O macrocycles
FEHMİ UFUK SESALAN
- Taç eter sübstitüe yeni ftalosiyoninlerin siklik voltametri ile incelenmesi
Başlık çevirisi yok
DİLEK COŞKUNER
- Diaza-dioxa substitue ftalosiyanin, oksim ve kompleksleri
Diaza-dioxa substitue phthalocyanine, oxime and complexes
ESİN HAMURYUDAN
