Geri Dön

Photoconductive processes in low dimensional semiconductor heterostructures

Düşük boyutlu yarıiletken heteroyapılarda fotoiletkenlik olayları

  1. Tez No: 325658
  2. Yazar: HASSAN ALHAMADE
  3. Danışmanlar: PROF. DR. M.ÇETİN ARIKAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 77

Özet

Bu çalışmanın amacı düşük boyutlu yarıiletken heteroyapılarda fotoiletkenlik olaylarının incelenmesidir. Düşük boyutlu yarıiletken yapılar günümüzde modern kuantum aygıtlarının temelini oluşturmaktadır. Dolayısıyla bu yapıların anlaşılması geleceğe yönelik yeni aygıtların tasarımında önemli rol oynamaktadır. Fotoiletkenliğin spektral bağımlılığı ise yarıiletken çalışmalarında önemli bir tekniktir. Hem ışığın soğurulmasını hem de elektronik yük taşıyıcılarının taşınım süreçlerini içeren fotoiletkenliğin foton enerjisine bağlı olarak incelenmesi heteroyapılar hakkında önemli bilgiler vermektedir.Bu çalışmada Ga1-xAIxAs/GaAs ve Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs kuantum kuyusu sistemlerinin 77 K ve 300 K'de optik karakterizasyonu fotoiletkenlik ölçümü ile yapılmıştır. Yarıiletkenlerin bant aralıkları belirlenmiş ve ekzitonik geçişler gözlenmiştir Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs tek kuantum kuyusu sisteminde ayrıca ısıl işlemin optik kaliteye etkisi fotoiletkenlik ölçümleriyle incelenmiştir.

Özet (Çeviri)

The aim of this study is to investigate the photoconductivity in low dimensional semiconductor heterostructures. Low dimensional semiconductor systems are considered as foundation (base) of modern quantum devices. Therefore, understanding of the low dimensional structures plays crucial role in designing new optoelectronic devices. Spectral dependence of photoconductivity is an important technique which includes both absorption coefficient and electronic transport cofficient for the materials or the structures under investigation.In this study, the optical characterization of Ga1-xAIxAs/GaAs and Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs quantum well systems were determined by using photoconductivity measurement at two temperatures; T=77 K and 300 K. The band gap of the investigated semiconductors as well as excitonic transitions were observed. The effect of the thermal annealing on the optical quality of Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs single quantum well was also investigated.

Benzer Tezler

  1. Yeni çözülür ftaloksiyaninlerin sentezi ve agregasyon özelliklerinin incelenmesi

    Synthesis of new soluble phthalocyanines and study of their agregation properties

    ALTUĞ MERT SEVİM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2004

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. AHMET GÜL

  2. Kinolin sübstitüe ftalosiyaninlerin sentezi, optik ve elektrokimyasal özelliklerinin incelenmesi

    Synthesis and examination of optical and electrochemical properties of quinoline-substituted phthalocyanines

    FUAT DAHİL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    KimyaSakarya Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. İLKAY ŞİŞMAN

  3. N2S2O makrohalkaları içeren yeni ftalosiyaninler

    New phthalocyanines containing N2S2O macrocycles

    FEHMİ UFUK SESALAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2000

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. ALİ İHSAN OKUR

  4. Taç eter sübstitüe yeni ftalosiyoninlerin siklik voltametri ile incelenmesi

    Başlık çevirisi yok

    DİLEK COŞKUNER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1995

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF.DR. NÜKHET TAN

  5. Diaza-dioxa substitue ftalosiyanin, oksim ve kompleksleri

    Diaza-dioxa substitue phthalocyanine, oxime and complexes

    ESİN HAMURYUDAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    1994

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. ÖZER BEKAROĞLU