Geri Dön

Düşük boyutlu yarıiletken sistemlerde elektronik transport olaylarının incelenmesi

An investigation of electronic transport processes in low dimensional semiconductor systems

  1. Tez No: 325693
  2. Yazar: FERHAT NUTKU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2012
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: İstanbul Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Katıhal Fiziği Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 184

Özet

Bu çalışmada düşük boyutlu yarıiletken sistemlerin bir örneği olan GaAs/AlxGa1-xAs kuantum kuyulu kırmızıaltı fotodedektör (QWIP) yapılarında elekronik transport olayları, teorik ve deneysel olarak incelenmiştir. Yapılar GaAs/AlxGa1-xAs tabanlı olup, farklı oranlarda Al ihtiva eden, merdiven tipi QWIP olarak adlandırılan, basamaklı bariyerlere sahip n-tipi katkılı kuantum kuyuları içermektedir. Bu yapılarda elektronik transport olayları, teorik ve deneysel olarak, düşük ve yüksek elektrik ve manyetik alanlar altında çalışılmıştır. Çalışmalarda 3 farklı QWIP yapısı kullanılmıştır. Bunlardan 2 yapı, hem dik, hem de paralel transporta uygun olacak şekilde hazırlanmıştır. Böylece, aynı yapının özellikleri, dik ve paralel uygulanan elektrik alanlar altında karşılaştırılmalı olarak çalışılmıştır. Çalışmalarda, yüksek ve düşük elektrik alanlar altında I-V karakterizasyonu, Hall olayı karakterizasyonu ve magnetorezistans ölçümleri, 4-300 K sıcaklık bölgesinde gerçekleştirilmiştir. Optik karakterizasyona yönelik olarak oda sıcaklığında Fourier transformlu kırmızıaltı spektroskopi (FTIR) ölçümleri yapılmıştır. Yapılar, öncelikle teorik olarak modellenmiş, enerji band diyagramları oluşturulmuştur. Elde edilen deneysel veriler, bu teorik sonuçlar ile karşılaştırılmıştır. Yapıların kuantum kuyularında bir adet bağlı seviye ve bariyerlerin hemen üzerinde yarıbağlı seviyeler hesaplanmıştır. Dikey örneklerde, aktivasyon enerjilerinin 8-10 µm dalgaboyu aralığına karşılık geldiği; düşük sıcaklıklarda tünellemenin, yüksek sıcaklıklarda termal yardımlı tünellemenin ve termoiyonik emisyonun etkin transport mekanizması olduğu tespit edilmiştir. Paralel örneklerde, teorik hesaplar ve Hall ölçümleri sonucunda paralel iletkenliğin olduğu öngörülmüştür. Düşük sıcaklık ve düşük manyetik alan altında negatif magnetorezistans olayı gözlemlenmiştir. Tüm yapılarda 18-25 µm dalgaboyu aralığında, GaAs'ten kaynaklanan çoklu fonon absorpsiyonunun baskın olduğu tespit edilmiştir

Özet (Çeviri)

In this work electronic transport processes have been investigated theoretically and experimentally on GaAs/AlxGa1-xAs quantum well infrared photodetector (QWIP) structures which are examples of low dimensional semiconductor systems. The structures, which are named as staircase type QWIP are based on GaAs/AlxGa1-xAs and have n-type doped quantum wells with stepped barriers including various Al concentrations. In these structures electronic transport processes have been studied at low and high electric and magnetic fields theoretically and experimentally. 3 different QWIP structures have been used in the studies. Among these, 2 structures have been prepared being suitable for both vertical and parallel transport. In this way, properties of the same structure have been studied comparatively by the applied vertical and parallel electrical fields. In these studies, I-V characterization under low and high electrical fields, Hall effect characterization and magnetoresistance measurements at the temperature range of 4-300 K have been done. Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) mesurements have been done at room temperature intended for optical characterization. At first, the structures have been modelled theoretically, energy band diagrams were prepared. Experimentally obtained data have been compared with these theoretical results. In the quantum wells of the structures a bound state and just above the barriers quazibound states have been calculated. For vertical samples, activation energies corresponding to 8-10 µm wavelength have been determined. It has been determined that at low temperatures tunneling, at high temperatures thermally assisted tunneling and thermionic emission are the effective transport mechanisms for vertical samples. As the result of theoretical calculations and Hall measurements parallel conduction has been concluded for parallel samples. At low temperatures and low magnetic fields negative magnetoresistance effect has been observed. It has been determined that between 18-25 µm wavelength range, multiphonon absorption is dominant due to GaAs

Benzer Tezler

  1. Thermoelectric properties investigation of copper based chalcogenide and cobalt based skutterudite structures

    Bakır tabanlı kalkojenit ve kobalt tabanlı skutterudite yapılarının termoelektrik özelliklerinin incelenmesi

    TUĞBA TEMEL

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2020

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BURAK ÖZKAL

    DOÇ. DR. SEDAT BALLIKAYA

  2. Organik tabanlı güneş pili üretimi ve karakterizasyonu

    Organik tabanli güneş pili üretimi ve karakterizasyonu

    SAEEDULLAH SAJJAD

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET ALTINDAL

  3. Development of novel thermal conductive polymer nanocomposites

    Yeni nesil termal iletken polimer nanokompozitlerin geliştirilmesi

    ELİFTEN SEMERCİ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİLGÜN KIZILCAN

    DOÇ. DR. TUBA ERDOĞAN BEDRİ

  4. Design, synthesis, and characterization of functional organic materials for optoelectronic applications

    Optoelektronik uygulamalar için fonksiyonel organik malzemelerin dizaynı, sentezi ve karakterizasyonu

    MEHMET ÖZDEMİR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2018

    KimyaAbdullah Gül Üniversitesi

    Malzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HAKAN USTA

  5. Temel prensı̇pler yöntemı̇ kullanarak ı̇kı̇ boyutlu yüzeyler üzerı̇nde nanokümelerı̇n büyütülmesı̇

    Growth of nanocluster on two dimensional surface by using first principles methods

    YELDA KADIOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAydın Adnan Menderes Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. OLCAY ÜZENGİ AKTÜRK