Grup III-V bileşik yarı iletkenlerde AFM yüzey karakterizasyonu
Afm surface characterization in group III-V compound semiconductors
- Tez No: 212701
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Science and Technology, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2008
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 103
Özet
MOCVD ile safir alttaş üzerine büyütülen AlN, GaN tampon malzemelerin ve AlGaN/(AlN)/GaN heteroyapıların yapısal, morfolojik ve optik özellikleri araştırıldı. Numunelerin karakterizasyonu için XRD, AFM ve PL teknikleri kullanıldı. Safir alttaş üzerindeki AlN tampon tabakanın ve GaN tampon-AlGaN bariyer tabakaları arasına büyütülen AlN ara tabakanın, heteroyapılar üzerindeki etkileri incelendi. AlN tampon tabakanın, heteroyapıların kristal kalitesini ve yüzey özelliklerini geliştirdiği görüldü. AlN ara tabakanın heteroyapıların kristal kalitesini daha da geliştirdiği belirlendi. Ancak AlN ara tabakanın yüksek büyütme sıcaklığı nedeniyle heteroyapılarda daha pürüzlü ara yüzeyler oluşmasına neden olduğu bulundu. Ayrıca AlN ara tabakanın AlGaN bariyerdeki çekme gerinmesini basma gerinmesine dönüştürdüğü görüldü.
Özet (Çeviri)
Structural, morphological and optical properties of AlN, GaN buffer materials and AlGaN/(AlN)/GaN heterostructures grown on sapphire substrate by MOCVD were investigated. XRD, AFM and PL techniques were used for characterization of the samples. The effects of AlN buffer layer on the sapphire substrate and AlN interlayer grown between GaN tampon-AlGaN barrier layers have been examined on the heterostructures. It was seen that AlN buffer layer improves the crystal quality and surface properties of heterostructures. Further improvement was achieved by inserting an AlN interlayer between GaN buffer and AlGaN barrier layers in the heterostructures. However, it was found that AlN interlayer leads to relatively rough interface in the heterostructures. In addition, it was seen that AlN interlayer changes the strain in the AlGaN barrier layer from tensile to compressive type.
Benzer Tezler
- Characterization of molybdenum oxide and magnesium doped zinc oxide charge transport layers deposited by sputtering for heterojunction solar cells
Heteroeklem güneş hücreleri için saçtırma yöntemi ile büyütülmüş molibden oksit ve magnezyum katkılı çinko oksit yük taşıyıcı tabakaların karakterizasyonu
GENCE BEKTAŞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ
DOÇ. DR. ALPAN BEK
- III-V yarı iletken yapılara çinko ve benzeri atomların difüzyonunun geliştirilmesi ve incelenmesi
Development and investigation of zinc and similar dopants diffusion to III-V semiconductors
DOĞAN YILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Contribution a la recherche d'un cadre juridique pour un droit international de laconcurrence plus efficace
Daha etkin bir uluslararası rekabet için hukuki çerçeve arayışı
ALİ CENK KESKİN
Doktora
Fransızca
2009
HukukGalatasaray ÜniversitesiKamu Hukuku Ana Bilim Dalı
PROF. DR. JEAN MARC SOREL
PROF. DR. HALİL ERCÜMENT ERDEM
- BN nano tüplerin kimyasal buhar depolama yöntemi ile sentezlenmesi
Chemical vapour deposition synthesis of BN nanotubes
MEHTAP ERİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. M. SELAMİ KILIÇKAYA
- A detailed study on bismuth containing III-V semiconductor materials grown on different orientations
Farklı yönelimlerde büyütülen bismut içeren III-V yarıiletken malzemeler üzerine detaylı bir çalışma
GÜLCAN SÖM
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiAdana Bilim ve Teknoloji ÜniversitesiNanoteknoloji ve Mühendislik Bilimleri Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA GÜNEŞ