Geri Dön

Grup III-V bileşik yarı iletkenlerde AFM yüzey karakterizasyonu

Afm surface characterization in group III-V compound semiconductors

  1. Tez No: 212701
  2. Yazar: SÜLEYMAN ÇÖREKÇİ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Bilim ve Teknoloji, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Science and Technology, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2008
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 103

Özet

MOCVD ile safir alttaş üzerine büyütülen AlN, GaN tampon malzemelerin ve AlGaN/(AlN)/GaN heteroyapıların yapısal, morfolojik ve optik özellikleri araştırıldı. Numunelerin karakterizasyonu için XRD, AFM ve PL teknikleri kullanıldı. Safir alttaş üzerindeki AlN tampon tabakanın ve GaN tampon-AlGaN bariyer tabakaları arasına büyütülen AlN ara tabakanın, heteroyapılar üzerindeki etkileri incelendi. AlN tampon tabakanın, heteroyapıların kristal kalitesini ve yüzey özelliklerini geliştirdiği görüldü. AlN ara tabakanın heteroyapıların kristal kalitesini daha da geliştirdiği belirlendi. Ancak AlN ara tabakanın yüksek büyütme sıcaklığı nedeniyle heteroyapılarda daha pürüzlü ara yüzeyler oluşmasına neden olduğu bulundu. Ayrıca AlN ara tabakanın AlGaN bariyerdeki çekme gerinmesini basma gerinmesine dönüştürdüğü görüldü.

Özet (Çeviri)

Structural, morphological and optical properties of AlN, GaN buffer materials and AlGaN/(AlN)/GaN heterostructures grown on sapphire substrate by MOCVD were investigated. XRD, AFM and PL techniques were used for characterization of the samples. The effects of AlN buffer layer on the sapphire substrate and AlN interlayer grown between GaN tampon-AlGaN barrier layers have been examined on the heterostructures. It was seen that AlN buffer layer improves the crystal quality and surface properties of heterostructures. Further improvement was achieved by inserting an AlN interlayer between GaN buffer and AlGaN barrier layers in the heterostructures. However, it was found that AlN interlayer leads to relatively rough interface in the heterostructures. In addition, it was seen that AlN interlayer changes the strain in the AlGaN barrier layer from tensile to compressive type.

Benzer Tezler

  1. Characterization of molybdenum oxide and magnesium doped zinc oxide charge transport layers deposited by sputtering for heterojunction solar cells

    Heteroeklem güneş hücreleri için saçtırma yöntemi ile büyütülmüş molibden oksit ve magnezyum katkılı çinko oksit yük taşıyıcı tabakaların karakterizasyonu

    GENCE BEKTAŞ

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Mikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ

    DOÇ. DR. ALPAN BEK

  2. III-V yarı iletken yapılara çinko ve benzeri atomların difüzyonunun geliştirilmesi ve incelenmesi

    Development and investigation of zinc and similar dopants diffusion to III-V semiconductors

    DOĞAN YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Bilim ve TeknolojiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

  3. Contribution a la recherche d'un cadre juridique pour un droit international de laconcurrence plus efficace

    Daha etkin bir uluslararası rekabet için hukuki çerçeve arayışı

    ALİ CENK KESKİN

    Doktora

    Fransızca

    Fransızca

    2009

    HukukGalatasaray Üniversitesi

    Kamu Hukuku Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. JEAN MARC SOREL

    PROF. DR. HALİL ERCÜMENT ERDEM

  4. BN nano tüplerin kimyasal buhar depolama yöntemi ile sentezlenmesi

    Chemical vapour deposition synthesis of BN nanotubes

    MEHTAP ERİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. M. SELAMİ KILIÇKAYA

  5. A detailed study on bismuth containing III-V semiconductor materials grown on different orientations

    Farklı yönelimlerde büyütülen bismut içeren III-V yarıiletken malzemeler üzerine detaylı bir çalışma

    GÜLCAN SÖM

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAdana Bilim ve Teknoloji Üniversitesi

    Nanoteknoloji ve Mühendislik Bilimleri Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MUSTAFA GÜNEŞ