Geri Dön

Al/TiO2/p-Si schottky diyotların akım-voltaj (I-V) ve kapasitans-voltaj (C-V) karakteristikleri

Current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics of Al/TiO2/P-Si schottky diodes

  1. Tez No: 332286
  2. Yazar: SEFA BURAK KAYA AYDIN
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. HATİCE KANBUR ÇAVUŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2013
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Bozok Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 93

Özet

Bu çalışmada, Al/TiO2/p-Si Schottky diyotunun elektriksel özellikleri oda sıcaklığında araştırıldı. Diyotun düz ve ters beslem akım-voltaj (I-V) karakteristikleri Termiyonik Emisyon (TE) teorisi kullanılarak incelendi. İdealite faktörü (n), seri direnç (Rs), sıfır beslem engel yüksekliği (?Bo) ve ara yüzey durum yoğunluğu (Nss) değerleri gibi Al/TiO2/p-Si Schottky diyotunun temel elektriksel parametreleri bulundu. Aynı zamanda n, ?Bo, Rs değerleri Cheung metodu kullanılarak da hesaplandı. Hem TE teoreminden hem de Cheung metodundan elde edilen elektriksel parametrelerin birbiri ile yakın uyum sergilediği gözlemlendi. Nss enerji yoğunluğu dağılım profilleri diyotların idealite faktörü (nV) ve etkin bariyer yüksekliğinin (?e) voltaja bağlılığı göz önünde bulundurularak düz beslem I-V karakteristiklerinden elde edildi. Diyotun kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/w-V) karakteristikleri farklı frekanslarda incelendi (50-500 kHz). Ayrıca Nss değerleri Hill-Coleman metodu kullanılarak hesaplandı. Sonuç olarak, Rs ve Nss değerlerinin elektriksel parametreleri önemli ölçüde etkilediğini gözlemlendi.

Özet (Çeviri)

In this study, electrical analysis of Al/TiO2/p-Si Schottky diode was investigated at room temperature. The forward and reverse bias current-voltage (I-V) characteristics of diode were studied by using Thermionic Emission (TE) theory. The main electrical parameters of the Al/TiO2/p-Si Schottky diode such as ideality factor (n), zero bias barrier height (?Bo), series resistance (Rs), and interface state density (Nss) values were found. Also, the values of n, ?Bo and Rs were obtained by using the Cheung's method. It was shown that electrical parameters obtained from TE theory and Cheung's method exhibit close agreement with each other. The energy density distribution profiles of the Nss were acquired from the forward bias I-V characteristics by taking into account the voltage dependence of the effective barrier height (?e) and idealite factor (nV) of devices. The capacitance voltage (C-V) and conductance-voltage (G/w-V) characteristics of diode were investigated in different frequencies (50-500 kHz). In addition, the values of Nss were performed by using Hill-Coleman method. As a result, we have observed that the values of Rs and Nss affected the electrical parameters quietly.

Benzer Tezler

  1. ALD yöntemi kullanılarak üretilmiş ZnO,TiO2 ve HfO2 ince film kaplamaların karakterizasyonu ve diyot özelliklerinin incelenmesi

    Characterizations and diode properties of ZnO, TiO2 and HfO2 thin films produced by ALD

    YAĞMUR ALTAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Metalurji MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HAKAN ATEŞ

  2. Al/p-Si (MS) VE Al/TiO2/p-Si (MIS) yapıların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin karanlık ve ışık altında incelenmesi

    Preparation of Al/p-Si (MS) VE Al/TiO2/p-Si (MIS) structures and investigation of electrical characteristics by darkness and under illumination

    BÜŞRA ZERDALİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. YASEMİN ŞAFAK ASAR

  3. Metal/TiO2/c-Si/metal yapılarında yüzey şartlarının elektriksel belirtkenler üzerindeki etkisi

    The effects of surface states on the electrical characteristics of metal/TiO2/c-Si/metal structure

    OSMAN PAKMA

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2008

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NECMİ SERİN

  4. Titanyum dioksit nano filmlerin memristiv özelliği ve fabrikasyon parametreleriyle ilişkisi

    Memristive behavior of titanium dioxide nano films and relation to fabrication parameters

    SÜHEYLA GÜLLÜLÜ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2014

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Nanobilim ve Nanomühendislik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. HASAN EFEOĞLU

  5. Si temelli yarı iletken gaz sensörlerinde azot dioksit (NO2) gazı için elektriksel karakterizasyon

    Determination of electrical parameters of Si based semiconductors depending nitrogen dioxide (NO2)

    MEHMET MÜRŞİT SİNCAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SELİM ACAR