AlxGa1-xAs/GaAs kuantum kuyulu fotodedektör yapılarının üretimesi ve fiziksel özelliklerinin belirlenmesi
Mbe growth and determination of physical properties of AlxGa1-xAs/GaAs quantum well infrared photodetector structures
- Tez No: 268161
- Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2009
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 130
Özet
Bu çalışmada, iki adet AlxGa1-xAs/GaAs (x=0.20, 0.22) kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektör yapısı ve bir adet AlGaAs/GaAs kalibrasyon numunesi moleküler demet epitaksi (MBE) yöntemiyle büyütülmüştür. AlGaAs/GaAs materyal sistemleri mükemmel örgü uyumları ve MBE yöntemiyle de yüksek kalitede büyütülebildikleri için kızılötesi dedektör teknolojilerinde oldukça geniş bir şekilde kullanılmaktadır. Büyütülen fotodedektörler yüksek çözünürlüklü x-ışınları kırınımı ve fotolüminesans ölçümleriyle yapısal olarak karakterize edilmiş, Hall etkisi ölçümleriyle kalibrasyon numunesinin ve dedektörlerin elektriksel parametreleri bulunmuş ve dedektörlerin fabrikasyonları tamamlandıktan sonra karanlık akım-voltaj karakteristikleri sıcaklığın fonksiyonu olarak elde edilmiştir. Karanlık akım değerleri yüksek sıcaklıkta termi-iyonik emisyon teorisiyle açıklanmıştır. Ölçüm sonucunda, bandtan-sürekli duruma geçişe sahip dedektörün bandtan-banda geçişe sahip dedektöre göre 103 kat daha düşük bir karanlık akıma sahip olduğu görülmüştür.
Özet (Çeviri)
In this work,AlxGa1-xAs/GaAs (x=0.20, 0.22) kuantum two well infrared photodetector structures and a AlGaAs/GaAs calibration sample were grown using the molecular beam epitaxy (MBE). AlGaAs/GaAs materials are used for infrared detector technologies because they have very good lattice matching and growing by MBE perfectly. Structural properties of fotodetectors were carried out by high resolution x-ray diffraction and photoluminescence measurements. Electrical parameters of the detectors and calibration sample determined by using Hall effect measurements. After the fabrication of the detectors, dark current-voltage characteristics as a function of temperature were done. Dark current values at high temperature region were explained with thermionic emission theory. Measurements show that detector with band-to-continuum states transport has lower dark current than detector with band-to-band transport as 103 order.
Benzer Tezler
- Düşük boyutlu yarıiletken sistemlerde elektronik transport olaylarının incelenmesi
An investigation of electronic transport processes in low dimensional semiconductor systems
FERHAT NUTKU
Doktora
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN
- GaAs-AlxGa1-xAs heteroyapı ve çoklu kuantum kuyu IR fotodedektörün elektro-optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the electro-optic features of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructure and multiple quantum well IR photodetector
ASLAN TÜRKOĞLU
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN
- AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini
Optical and structural analysis of AlxGa1-xAs and InxGa1-xN layered semiconductor structures
SABİT KORCAK
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- 9xx-10xx nm dalga boyunda ışıyan yüksek güçlü lazer diyot yapısının tasarımı ve mocvd yöntemi kullanılarak epitaksiyel tabakaların büyütülmesi
Design and epitaxial layer growth of 9xx-10xx nm wavelenght high power laser diodes by using mocvd system
ALİYE ALEV KIZILBULUT
Doktora
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- Kuantum kuyu ve küresel kuantum noktasında uyarılmış durum bağlanma enerjilerinin dönüm noktaları
Excited state binding energy turning points in quantum well and spherical quantum dot
PINAR BULUT
Doktora
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. İLHAN ERDOĞAN
PROF. DR. HASAN AKBAŞ