Geri Dön

AlxGa1-xAs/GaAs kuantum kuyulu fotodedektör yapılarının üretimesi ve fiziksel özelliklerinin belirlenmesi

Mbe growth and determination of physical properties of AlxGa1-xAs/GaAs quantum well infrared photodetector structures

  1. Tez No: 268161
  2. Yazar: HALİT ALTUNTAŞ
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 130

Özet

Bu çalışmada, iki adet AlxGa1-xAs/GaAs (x=0.20, 0.22) kuantum kuyulu kızılötesi fotodedektör yapısı ve bir adet AlGaAs/GaAs kalibrasyon numunesi moleküler demet epitaksi (MBE) yöntemiyle büyütülmüştür. AlGaAs/GaAs materyal sistemleri mükemmel örgü uyumları ve MBE yöntemiyle de yüksek kalitede büyütülebildikleri için kızılötesi dedektör teknolojilerinde oldukça geniş bir şekilde kullanılmaktadır. Büyütülen fotodedektörler yüksek çözünürlüklü x-ışınları kırınımı ve fotolüminesans ölçümleriyle yapısal olarak karakterize edilmiş, Hall etkisi ölçümleriyle kalibrasyon numunesinin ve dedektörlerin elektriksel parametreleri bulunmuş ve dedektörlerin fabrikasyonları tamamlandıktan sonra karanlık akım-voltaj karakteristikleri sıcaklığın fonksiyonu olarak elde edilmiştir. Karanlık akım değerleri yüksek sıcaklıkta termi-iyonik emisyon teorisiyle açıklanmıştır. Ölçüm sonucunda, bandtan-sürekli duruma geçişe sahip dedektörün bandtan-banda geçişe sahip dedektöre göre 103 kat daha düşük bir karanlık akıma sahip olduğu görülmüştür.

Özet (Çeviri)

In this work,AlxGa1-xAs/GaAs (x=0.20, 0.22) kuantum two well infrared photodetector structures and a AlGaAs/GaAs calibration sample were grown using the molecular beam epitaxy (MBE). AlGaAs/GaAs materials are used for infrared detector technologies because they have very good lattice matching and growing by MBE perfectly. Structural properties of fotodetectors were carried out by high resolution x-ray diffraction and photoluminescence measurements. Electrical parameters of the detectors and calibration sample determined by using Hall effect measurements. After the fabrication of the detectors, dark current-voltage characteristics as a function of temperature were done. Dark current values at high temperature region were explained with thermionic emission theory. Measurements show that detector with band-to-continuum states transport has lower dark current than detector with band-to-band transport as 103 order.

Benzer Tezler

  1. Düşük boyutlu yarıiletken sistemlerde elektronik transport olaylarının incelenmesi

    An investigation of electronic transport processes in low dimensional semiconductor systems

    FERHAT NUTKU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. M. ÇETİN ARIKAN

  2. GaAs-AlxGa1-xAs heteroyapı ve çoklu kuantum kuyu IR fotodedektörün elektro-optik özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of the electro-optic features of GaAs-AlxGa1-xAs heterostructure and multiple quantum well IR photodetector

    ASLAN TÜRKOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN

  3. AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini

    Optical and structural analysis of AlxGa1-xAs and InxGa1-xN layered semiconductor structures

    SABİT KORCAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

  4. 9xx-10xx nm dalga boyunda ışıyan yüksek güçlü lazer diyot yapısının tasarımı ve mocvd yöntemi kullanılarak epitaksiyel tabakaların büyütülmesi

    Design and epitaxial layer growth of 9xx-10xx nm wavelenght high power laser diodes by using mocvd system

    ALİYE ALEV KIZILBULUT

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  5. Kuantum kuyu ve küresel kuantum noktasında uyarılmış durum bağlanma enerjilerinin dönüm noktaları

    Excited state binding energy turning points in quantum well and spherical quantum dot

    PINAR BULUT

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İLHAN ERDOĞAN

    PROF. DR. HASAN AKBAŞ