AI 0.2 Ga 0.8 As/GaAs (100) nanoyapısının büyütülmesi ve I-V özelliklerinin incelenmesi
The growth of AI 0.2 Ga 0.8 As/GaAs (100) nanostructure and the investigation of I-V properties
- Tez No: 196561
- Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 100
Özet
iiiAl0.2Ga0.8As/GaAs (100) NANOYAPISININ BÜYÜTÜLMESİ VE I-VÖZELLİKLERİNİN İNCELENMESİ(Yüksek Lisans Tezi)Hilal GÜMÜŞGAZİ ÜNİVERSİTESİFEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜEylül 2005ÖZETBu çalışmada SEMİCON VG80H Moleküler Demet Epitaxy (MBE) cihazıkullanılarak Al0.2Ga0.8As/GaAs süperörgü diyot yapısı büyütüldü. BüyütülenAl0.2Ga0.8As/GaAs süperörgü diyot yapısının yapısal analizi yüksekçözünürlüklü X-ışını kırınımı yöntemi (HRXRD) ile yapıldı. Rocking vereflectivity ölçümleri D8 discover X-ray cihazı kullanılarak yapıldı. X-ışınıcihazında ölçülen rocking eğrileri hem kinematik hem de dinamik metotlarıkullanan LEPTOS programı ile simule edildi. Elde edilen Rocking eğrilerindekiuydu piklerinin varlığı büyütülen epitabakaların yeterli incelikte vehomojenlikte olduğunu kanıtlamaktadır. Büyütülen Al0.2Ga0.8As/GaAssüperörgü yapısının elektriksel karakteristiklerinin incelenebilmesi içinAu/GaAs kontak yapıldı. Au/Al0.2Ga0.8As/GaAs yapısının akım-voltaj-sıcaklık(I-V-T) karakteristikleri geniş bir sıcaklık aralığında (80 K- 400 K) incelendi.Bilim Kodu : 404.05.01Anahtar Kelimeler : MBE, AlxGa1-xAs/GaAs, elektriksel karakterizasyon,yapısal karakterizasyon, I-VSayfa Adedi : 100Tez Yöneticisi : Prof. Dr.Süleyman ÖZÇELİK
Özet (Çeviri)
ivTHE GROWTH OF Al0.2Ga0.8As/GaAs (100) NANOSTRUCTURE AND THEINVESTIGATION OF I-V PROPERTIES(M.Sc. Thesis)Hilal GUMUSGAZI UNIVERSITYINSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGYEylül 2005ABSTRACTIn this work, a Al0.2Ga0.8As/GaAs superlattice diode structure has been grownwith SEMİCON VG80H Molecular Beam Epitaxy (MBE) device. The structuralanalysis of the Al0.2Ga0.8As/GaAs superlattice diode structure were made byhigh-resolution X-ray diffraction (HRXRD). The Rocking and reflectivity scansmeasured by D8 discover X-ray device on (002) symmetric reflection ofsubstrate have been simulated using LEPTOS program within the frameworkof dynamic and kinematical theories. The presence of the satellite peaks in theobtained Rocking curves proved that the growth epilayers have enoughthickness and homogenity. For the investigation of the electrical characteristicsof the growth Al0.2Ga0.8As/GaAs superlattice diode structure, the Au/GaAscontact were formed. The forward bias current-voltage-temperature (I-V-T)characteristics of Au/Al0.2Ga0.8As/GaAs structures are studied over a widetemperature range between 80 K and 400 K.Science Code : 404.05.01Key Words : MBE, AlxGa1-xAs/GaAs, electrical characterization,structural characterization, I-VPage Number : 100Adviser : Prof. Dr. Suleyman OZCELIK
Benzer Tezler
- Gordion ve Ilıpınar kazılarından elde edilen arkeolojik kemiklerde mineral ve eser element oranları
Başlık çevirisi yok
ZÜBEYDE ÇELİK
- Yılan: Aktif çevrit model
Başlık çevirisi yok
BAHAR ÇOLAKOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
1998
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve Kontrolİstanbul Teknik ÜniversitesiKontrol ve Bilgisayar Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUHİTTİN GÖKMEN
- Tabakalı yarıiletken kristallerden TIGaSe2, TIInS2 ve GaSe kristallerinin optiksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of optical properties of TIGaSe2, TIIns2 and GaSe crystals which are layered semiconductors
SULTAN ÇEVİK
Yüksek Lisans
Türkçe
2004
Fizik ve Fizik MühendisliğiMuğla ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF.DR. AYDIN GULUBAYOV
- Yaş kemikler için elektromekanik bir model
An Electromechanical model for wet bones
M.TACETTİN ŞARIOĞLU
- Supra moleküler sistemlerde magnetik etkileşimler
Magnetic interactions in supra molecular nickel systems
FATİH MEHMET AVCU