Az miktarda azot eklenmiş uzun dalga boylu yarı iletken kuantum kuyu lazerlerin teorik karşılaştırılması
Comparison of quantum well lasers with long wavelenght dilute nitrogen semiconductor
- Tez No: 344019
- Danışmanlar: PROF. DR. SEDAT AĞAN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2012
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kırıkkale Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Günümüzde nano teknolojik uygulamalarda birçok araştırmacının dikkatlerini üzerine çeken, deneysel ve teorik çalışmalarla hızla trendi yükselen, az miktarda azot eklenen kuantum kuyu lazer sistemleri araştırıldı. Bu çalışmada, uzun dalga boylarında ve özellikle fiber optik kabloların dağılım ve kayıplarının en az olduğu bölgelerden biri olan 1.3 µm dalga boylu ışıma yapan az miktarda azot (N) eklenmiş GaInAs alaşımının materyal parametreleri hesaplandı. Uzun dalga boylu InGaNAs/GaAs kuantum kuyu lazer sistemlerinin dalga boyuna bağlı olarak kendiliğinden ışıma ve kazanç hesaplamaları yapıldı. Dörtlü yarıiletken alaşım (InGaNAs) için Indiyum (In) ve Azot (N) konsantrasyonlarının, sıcaklığın, taşıyıcı konsantrasyonların etkisi gibi parametrelerin kazanç üzerindeki etkileri incelendi. Bu sistemler için yapılan hesaplamalar ve sıcaklığa bağlı tepe (pik) kazanç hesaplamaları kullanılarak yüksek hız uygulamaları için gerekli N ve In oranları belirlendi. Seçilen kuantum kuyu lazer yapılar için Güç-Akım-Voltaj (L-I-V) grafikleri çizildi.
Özet (Çeviri)
The quantum well laser systems that were added dilute nitrogen which attracted many researchers studying on nanotechnological applications and whose popularity is increasing due to both theoretical and experimental researches have been investigated. In this study, material parameters of GalnAs alloy which was added a little amount of nitrogen that radiates 1.3 µm was calculated in the long wave length and particularly at a point where the network and the loss of fiber optic cables is the least. The calculations of spontaneous emission and gain of GalnNAs/GaAs quantum well laser systems with long wave were done depending on wave length. For the semiconduction alloy with four parts (GalnNAs), the Nitrogen (N) concentration and Indiyum (In), the effect of heat, and the effects of the parameters of the carrier concentrations on the gain were examined. N and In rates for these systems that are necessary for high speed applications were determined with the help of the calculations of peak gains. Also, the power, current, and voltage (L-I-V) calculations of the selected laser units were done.
Benzer Tezler
- Uzun dalgaboylu yarı iletken doyurulabilen soğurucu ayna yapıların teorik olarak incelenmesi
Theoretical analysis of semiconductor saturable absorber mirror strucutures
SERKAN ÇAPAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiKilis 7 Aralık ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT ODUNCUOĞLU
- Çimentonun sertleşmesi üzerinde kimyasal komponentlerin etkisi
Başlık çevirisi yok
NACİYE TÜRKEL
Yüksek Lisans
Türkçe
1986
Kimya MühendisliğiUludağ ÜniversitesiKimya Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA CEBE
- Atherosklerotik kalp hastalıklarında risk faktörleri
Risk factors in the coronary artery disease
MURAT SUHER
- Bazı sert çekirdekli meyve türlerinde döllenme biyolojisi üzerinde yöntem çalışmaları
Başlık çevirisi yok
ATBİMOĞLU ADALET
- Eksternal etmoidektomiler
Başlık çevirisi yok
ERCÜMENT AKMAN
Tıpta Uzmanlık
Türkçe
1987
Kulak Burun ve BoğazGazi ÜniversitesiKulak Burun Boğaz Ana Bilim Dalı
PROF.DR. NECMETTİN AKYILDIZ