GaN/AlGaN hemt yapılarda saçılma mekanizmaları
Scattering mechanisms in GaN/AlGaN hemt structures
- Tez No: 169060
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. SİBEL GÖKDEN
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 69
Özet
ÖZET GaN/AlGaN HEMT YAPILARDA SAÇILMA MEKANİZMALARI Aykut İLGAZ Balıkesir Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı (Tez Danışmanı : Yrd. Doç. Dr. Sibel GÖKDEN) Balıkesir, 2005 Bu çalışmada, GaN/AlGaN arayüzeyinde oluşan 2 boyutlu elektron gazının (2BEG) Hail mobilitesine, başlıca saçılma mekanizmaları olan dislokasyon, deformasyon potansiyel yoluyla akustik fonon (DP), piezoelektrik (PE), polar optiksel fonon (LO) ve iyonize olmuş safsızlık saçılmalarının etkileri incelenmiştir. Deneysel sonuçlarla teorik sonuçları karşılaştırmak için, üçgen kuantum çukuru içine hapsolan elektronlara ait 2 boyutlu dejenere istatistiği kullanılmıştır. Teorik sonuçlar, yüksek sıcaklıklarda elektron mobilitesinin, fonon etkileşmelerinden olan optiksel fononlardan, şiddetli biçimde etkilendiğini göstermiştir. Ara sıcaklık değerlerinde deformasyon potansiyel akustik fonon ve piezoelektrik saçılmaları elektron mobilitesini sınırlayan baskın saçılma mekanizmalarıdır. Düşük sıcaklıklarda ise iyonize safsızlıklardan kaynaklanan saçılmalar elektron mobilitesini sınırlamaktadır. Ayrıca düşük sıcaklıklarda, 2BEG mobilitesinin yüksek dislokasyon yoğunluklarından etkilendiği gözlenmiş ve teorik olarak yüklü dislokasyonlardan saçılma için taşıma ve kuantum durulma sürelerinin oranlan incelenmiştir. Elde edilen sonuçlar, safsızlık saçılması ile karşılaştırılmış ve yüklü dislokasyon saçılmasının, iyonize olmuş safsızlık saçılmasından daha baskın olduğu bulunmuştur. ANAHTAR SÖZCÜKLER : GaN/AlGaN / optik fonon saçılması / akustik fonon saçılması / dislokasyon saçılması / taşıma özellikleri / safsızlık saçılması / mobilite ıı
Özet (Çeviri)
ABSTRACT SCATTERING MECHANISMS IN GaN/AlGaN HEMT STRUCTURES Aykut İLGAZ Balıkesir University, Institute of Science, Physics Department (Supervisor : Assist. Prof. Dr. Sibel GÖKDEN) Balıkesir, 2005 In this work, the effect of all standard mechanisms, including scattering by dislocation, deformation potantial acoustic phonon (DP), piezoelectric (PE), polar optical phonon (LO) and ionized impurities, on Hall mobility of 2 dimensional electron gas (2DEG) formed at a GaN/AlGaN interface was investigated. In order to compare experimental results with the theory, 2 dimensional degenerate statistics have been used for a 2DEG confined in a triangular well. Theoretical results showed that electron mobility was mainly affected by optical phonon interactions at high temparatures. At intermediate temperatures, deformation potential acoustic phonon and piezoelectric scattering were dominant scattering mechanisms limiting the electron mobility. Scattering arising from ionized impurities limited the electron mobility at low temperatures. Besides, it has been realized that 2DEG mobility was affected by the high density of dislocations at low temperatures. We have also investigated theoretically the transport to quantum lifetime ratios for charged dislocations. We compared the results with impurity scattering and found the effect to be stronger for charged dislocation scattering. KEY WORDS : GaN/AlGaN / 2DEG / optical phonon scattering / acoustic phonon scattering / dislocation scattering / transport properties / impurity scattering / mobility m
Benzer Tezler
- GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) tasarımı, fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Design, fabrication and characterization of GaN based high electron mobility transistors (HEMT)
ÖZGÜR KELEKÇİ
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- GaN-temelli ultraince bariyerli yüksek elektron devingenlikli transistörlerinin benzetimi ve optimizasyonu
Simulation and optimation of GaN-based ultrathin barrier high electron mobility transistors
JANGEEZ MOSTAFA M JAMEEL AL ABBAS
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- AIN tampon tabakaların kalıntı gerilmelerinin HR-XRD ile analizi
Analysis of residual stresses of AIN buffer layers by HR-XRD
CELAL AVAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. METİN ÖZER
- AlGa(In)N/GaN yüksek elektron mobiliteli transistörlerde iki boyutlu elektron gazına ait sıcak elektron dinamiğinin incelenmesi
Investigation of hot electron dynamics of two dimensional electron gas in AlGa(In)N/GaN high electron mobility transistors
AYKUT ILGAZ
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SİBEL GÖKDEN
PROF. DR. ALİ TEKE
- GaN hemt aygıtlarda çift katmanlı Si3N4 dielektrik tabakasının elektriksel özellikleri
Electrical properties of double-layer Si3N4 dielectric layer in GaN hemt devices
YILDIRIM DURMUŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEREN TAYRAN