Geri Dön

GaN/AlGaN hemt yapılarda saçılma mekanizmaları

Scattering mechanisms in GaN/AlGaN hemt structures

  1. Tez No: 169060
  2. Yazar: AYKUT ILGAZ
  3. Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. SİBEL GÖKDEN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2005
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Balıkesir Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

ÖZET GaN/AlGaN HEMT YAPILARDA SAÇILMA MEKANİZMALARI Aykut İLGAZ Balıkesir Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Fizik Anabilim Dalı (Tez Danışmanı : Yrd. Doç. Dr. Sibel GÖKDEN) Balıkesir, 2005 Bu çalışmada, GaN/AlGaN arayüzeyinde oluşan 2 boyutlu elektron gazının (2BEG) Hail mobilitesine, başlıca saçılma mekanizmaları olan dislokasyon, deformasyon potansiyel yoluyla akustik fonon (DP), piezoelektrik (PE), polar optiksel fonon (LO) ve iyonize olmuş safsızlık saçılmalarının etkileri incelenmiştir. Deneysel sonuçlarla teorik sonuçları karşılaştırmak için, üçgen kuantum çukuru içine hapsolan elektronlara ait 2 boyutlu dejenere istatistiği kullanılmıştır. Teorik sonuçlar, yüksek sıcaklıklarda elektron mobilitesinin, fonon etkileşmelerinden olan optiksel fononlardan, şiddetli biçimde etkilendiğini göstermiştir. Ara sıcaklık değerlerinde deformasyon potansiyel akustik fonon ve piezoelektrik saçılmaları elektron mobilitesini sınırlayan baskın saçılma mekanizmalarıdır. Düşük sıcaklıklarda ise iyonize safsızlıklardan kaynaklanan saçılmalar elektron mobilitesini sınırlamaktadır. Ayrıca düşük sıcaklıklarda, 2BEG mobilitesinin yüksek dislokasyon yoğunluklarından etkilendiği gözlenmiş ve teorik olarak yüklü dislokasyonlardan saçılma için taşıma ve kuantum durulma sürelerinin oranlan incelenmiştir. Elde edilen sonuçlar, safsızlık saçılması ile karşılaştırılmış ve yüklü dislokasyon saçılmasının, iyonize olmuş safsızlık saçılmasından daha baskın olduğu bulunmuştur.

Özet (Çeviri)

ABSTRACT SCATTERING MECHANISMS IN GaN/AlGaN HEMT STRUCTURES Aykut İLGAZ Balıkesir University, Institute of Science, Physics Department (Supervisor : Assist. Prof. Dr. Sibel GÖKDEN) Balıkesir, 2005 In this work, the effect of all standard mechanisms, including scattering by dislocation, deformation potantial acoustic phonon (DP), piezoelectric (PE), polar optical phonon (LO) and ionized impurities, on Hall mobility of 2 dimensional electron gas (2DEG) formed at a GaN/AlGaN interface was investigated. In order to compare experimental results with the theory, 2 dimensional degenerate statistics have been used for a 2DEG confined in a triangular well. Theoretical results showed that electron mobility was mainly affected by optical phonon interactions at high temparatures. At intermediate temperatures, deformation potential acoustic phonon and piezoelectric scattering were dominant scattering mechanisms limiting the electron mobility. Scattering arising from ionized impurities limited the electron mobility at low temperatures. Besides, it has been realized that 2DEG mobility was affected by the high density of dislocations at low temperatures. We have also investigated theoretically the transport to quantum lifetime ratios for charged dislocations. We compared the results with impurity scattering and found the effect to be stronger for charged dislocation scattering.

Benzer Tezler

  1. GaN temelli yüksek elektron mobiliteli transistör (HEMT) tasarımı, fabrikasyonu ve karakterizasyonu

    Design, fabrication and characterization of GaN based high electron mobility transistors (HEMT)

    ÖZGÜR KELEKÇİ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

  2. GaN-temelli ultraince bariyerli yüksek elektron devingenlikli transistörlerinin benzetimi ve optimizasyonu

    Simulation and optimation of GaN-based ultrathin barrier high electron mobility transistors

    JANGEEZ MOSTAFA M JAMEEL AL ABBAS

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN

  3. Electric and magneto-transport properties of magnetic and superconductive iron pnictide and skutterudite compounds

    Magnetik ve süperiletken demir pniktid ve skutterudit bileşiklerinin elektrik ve magneto-transport özellikleri

    MURAT SERTKOL

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Fizik ve Fizik Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YILDIRHAN ÖNER

  4. Samsun ve çevresinde tarla sarmaşığı (conuolvulus arvensis L.)'na karşı biyolojik savaşa esas olacak fauna tespiti

    Investigations on the insect fauna of the field binweed (Conuolvulus arvensis L.) related to its biological control in Samsun Province

    YASEMİN UFUK GERMAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1985

    BotanikEge Üniversitesi

    Bitki Koruma Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. NİYAZİ LODOS

  5. İki katlı pamuk ipliklerinden dokunan kumaşlarda örgüye bağlı olarak maksimum atkı sıklığının değişimi üzerinde bir araştırma

    Başlık çevirisi yok

    MELTEM ASLI NARTER

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1985

    Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge Üniversitesi

    Tekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÜNGÖR BAŞER