Au/n-GaAs schottky kontakların elektriksel karakteristiklerinin geniş bir sıcaklık aralığında incelenmesi
To investigate electrical characteristic of Au/n-GaAs schottky diode at wide temperature
- Tez No: 346646
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ŞÜKRÜ KARATAŞ
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Kahramanmaraş Sütçü İmam Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 52
Özet
Bu çalışmada, [100] doğrultusunda büyütülmüş, donor konsantrasyonu 2-4x1016 cm-3 olan Au-Ge (%88-%12) katkılı n-GaAs yarıiletkeni kullanılmıştır. Hazırlanan Au/n-GaAs Schottky kontakların akım ? voltaj (I-V) , kapasitans ? voltaj (C-V ) karakteristikleri 80-415 K sıcaklık aralığında ölçüldü. Bu ölçümler yardımıyla diyotun karakteristik parametreleri elde edilmiştir. Diyot ideal olmayan karakteristikler göstermiştir. Bu durum ara yüzey homojensizliğine atfedilebilir. Deneysel I-V verilerinden sıcaklığın arttırılmasıyla idealite faktöründe (n) azalma, engel yüksekliğinde (?b ) artış oldugu gözlendi. En düşük ve en yüksek sıcaklıklar için idealite faktörü 4.33- 1.90 olarak hesaplandı. Aynı şekilde enğel yüksekliği en düşük ve en yüksek sıcaklık için sırasıyla 0.3469-0.9192 eV olarak bulundu. Aynı zamanda Cheung fonsiyonlarıda kullanılarak H(I)-I ve dV/dlnI-I eğrilerinden; seri dirençler (Rs) elde edildi.
Özet (Çeviri)
In this study, donor concentration of 2-4x1016 cm-3 with 2-Au-Ge (88% - 12%) doped n-GaAs semiconductor, enlarged in [100] line, was used. The current ? voltage(I-V), capacitance-voltage(C-V) characteristics of prepared Au/n-GaAs Schottky contacts is measured in the temperature range of 80-415 K . The characteristic parameters of diodes was obtained with the aid of these measurements. Diode showed non-ideal characteristics. This statement can be referred to non-homogeneous of interface. As from the experimental I-V data , it is observed a decreasement in idealite factor and an increasement in barier height. The idealite factor for the lowest and highest temperature is calculated as 4,33-1,90. Similarly, barrier height for the lowest and highest temperature is found as 0,3469-0,9192 eV, respectively. Besides, by using Cheung fuctions series resitances were attained from H-I and dv/dlnI-I lines.
Benzer Tezler
- Au-Cu/n-GaAs/In ve Au-Ag/n-GaAs/In Schottky diyotların akım-voltaj ölçümlerinden elde edilen karakteristik parametreler üzerine numune sıcaklığının etkileri
Effects of sample temperature on the characteristic parameters obtained from the current-voltage measurement of Au-Cu/n-GaAs/In ve Au-Ag/n-GaAs/In Schottky diodes
SELİN BOYLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BETÜL GÜZELDİR
- Au/poli(3-Sübsitüetiyofen) (P3DMTFT)/n-GaAs schottky kontakların fotovoltaik ve elektriksel özellikleri
Photovoltaic and electrical properties of Au/ poly (3-Subsitutethiophene) (P3DMTFT)/n-GaAs schottky contacts
HAVVA ELİF LAPA
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ KÖKCE
- P-GaAs yariiletkeni ile hazırlanan metal yariiletken kontakların elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The investigation of diode properties of schottky barrier prepared with p-GaAs semiconductor
AHMET ASİMOV
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. METİN ÖZER
- Atomik katman kaplama tekniği ile sentezlenen nano-ölçekli AL2O3 ara katmanlı, yarıiletken malzeme temelli schottky diyotların sıcaklığa bağlı elektriksel karakterizasyonu
Temperature dependent electrical characterization of schottky diodes with nanoscale AL2O3 interfacial layers synthesized via atomic layer deposition technique
ABDULKERİM KARABULUT
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ABDULMECİT TÜRÜT
YRD. DOÇ. DR. NECMİ BIYIKLI
- Au/n-gaas metal yarıiletken kontakların optik özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the optical properties of the au/n-gaas metal semiconductor contacts
DÖNDÜ EYLÜL ERGEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD.DOÇ.DR. METİN ÖZER