Czochralski tekniğiyle katkısız ve sb katkılı ge tek kristallerinin büyütülmesi ve elektriksel karakterizasyonu
Growth and electrical characterization of undoped and sb-doped ge single crystals by czochralski technique
- Tez No: 354222
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SEMRAN SAĞLAM
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2013
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 114
Özet
Bu çalışmada, bir adet katkısız ve iki adet Sb katkılı Ge hacimli tek kristal külçeleri Czochralski tekniğiyle büyütüldü. Büyütülen külçelerin son koni kısmından alınan numunelerin elektron iletim özellikleri araştırıldı. Sıcaklık bağımlı Hall etkisi ve özdirenç ölçümleri 0,4 Tesla sabit manyetik alan altında 20-350 K sıcaklık aralığında gerçekleştirildi. Geleneksel analiz yöntemleri kullanılarak, katkısız ve katkılı Ge numunelerinin mobilite ve taşıyıcı yoğunluğu analizleri yapıldı. Analizler sonucunda her üç numunede de yüksek sıcaklık bölgesinde fonon saçılma mekanizmaları (akustik ve polar), düşük sıcaklık bölgesinde ise iyonize safsızlık saçılma mekanizmasının baskın olduğu tespit edildi. Katkılama arttıkça iyonize safsızlık saçılma mekanizmasının etkisinin arttığı belirlendi. Ayrıca yasak enerji aralığı, safsızlık bileşenleri (NA ve ND) değerleri belirlendi ve elektron iletim özelliklerine etkileri tartışıldı.
Özet (Çeviri)
In this work, an undoped and two Sb-doped Ge bulk single crystal ingots were grown by Czochralski technique. The electron transport properties of the samples taken from part of the end cone of the ingots grown have been investigated. The temperature dependence of Hall effect and resistivity measurements were carried out in a temperature range of 20-350 K at a constant magnetic field of 0,4 Tesla. Using the conventional analysis methods, the analysis of carrier density and mobility of undoped and doped Ge samples have been examined. As a result of analysis, it has been determined that phonon scattering mechanisms (acoustic and polar) are dominated in high temperature region and that ionized impurity scattering mechanisms are dominated in low temperature region for each three samples. It has been determined that effect of ionized impurity scattering mechanisms increase with the increasing doping. In addition, the values of the energy band gap, impurity components (NA and ND) have been determined and their effects have been discussed on electron transport properties.
Benzer Tezler
- Production and development of implant dosimeters in radiotherapy
Radyoterapideki implant dozimetrelerin üretimi ve geliştirilmesi
SERDAR YILDIRIM
Doktora
İngilizce
2017
Metalurji MühendisliğiDokuz Eylül ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ERDAL ÇELİK
- The photovoltaic characterization of Mo/Mehtylene Blue/N-Si/Al/Aucontacts
Mo/Metilen Mavisi/N-Sı/Al/Au kontakların fotovltaik kaharakterizasyonu
OMAR MOHAMMED TAHSEEN
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiBingöl ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. KADİR EJDERHA
- Laser boyası kullanılarak oluşrutulmuş schottky yapıların kapasite voltaj spektroskopisi
Capacity voltage spectroscopy of schottky structures made by using laser paint
AYFUN TÖREN
Yüksek Lisans
Türkçe
2019
Fizik ve Fizik MühendisliğiGiresun ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BEHZAD BARIŞ
- Mitigation of light induced degradation and, light and elevated temperature induced degradation mechanisms in boron doped Czochralski grown silicon wafers
Bor katkılanmış Czochralski metoduyla büyütülmüş kristal silisyum örneklerde ışıkla indüklenen bozunma ve ışık ve sıcaklıkla indüklenmiş bozunmanın azaltılması
VAHDET ÖZYAHNİ
Yüksek Lisans
İngilizce
2024
EnerjiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
PROF. DR. RAŞİT TURAN
DOÇ. DR. SELÇUK YERCİ
- Ga katkılı Ge tek kristallerinin czochralskı tekniği ile büyütülmesi ve pn-eklem Ge dilim geliştirilmesi
The growth of Ga doped Ge single crystals by czochralski technique and development of pn-junction Ge wafer
VEYSEL BARAN
Doktora
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK