Geri Dön

Ga katkılı Ge tek kristallerinin czochralskı tekniği ile büyütülmesi ve pn-eklem Ge dilim geliştirilmesi

The growth of Ga doped Ge single crystals by czochralski technique and development of pn-junction Ge wafer

  1. Tez No: 656332
  2. Yazar: VEYSEL BARAN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET ÇAKMAK
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2020
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 119

Özet

Germanyum (Ge) güneş hücresinin performans parametreleri [kısa-devre akım yoğunluğu (JSC), açık-devre gerilimi (VOC), dolum faktörü (FF) ve enerji dönüşüm verimi (η)] üzerinde sıcaklığın etkisi teorik olarak araştırıldı. Artan sıcaklıkla kısa-devre akım yoğunluğu JSC'nin artmasına rağmen; açık-devre gerilimi VOC'deki azalma ve dolum faktörü FF'deki ilişkili azalma nedeniyle enerji dönüşüm verimi η azaldı. Ge güneş hücresi fabrikasyon işleminde kullanmak için, alttaş üretimi gerçekleştirildi. Czochralski (Cz) hacimli tek-kristal büyütme tekniği kullanılarak; Galyum (Ga) katkılı Ge tek-kristal külçesi büyütüldü. Büyütülen tek-kristal külçeden üretilen p-tipi Ge numunelerinden bir tanesinin alttaş olarak kullanıldığı bir Ge güneş hücresi fabrikasyon işlemi gerçekleştirildi. Üretilen Ge güneş hücresinin performans parametreleri JSC, VOC, FF ve η, akım-gerilim (I-V) ölçümlerinden belirlendi. Bu tez kapsamında; III-V grubu bileşik yarıiletken çok eklemli güneş hücreleri için oldukça önemli rollere sahip olan, Ge tek-kristal külçenin büyütülmesinden Ge güneş hücresinin üretilmesine kadar gerçekleştirilen çalışmalar ve elde edilen sonuçların, teknolojik bilgi birikiminin gelişimine katkı sağlama açısından değerli olduğu ifade edilebilir.

Özet (Çeviri)

The effect of temperature on the performance parameters [short-circuit current density (JSC), open-circuit voltage (VOC), fill factor (FF) and energy conversion efficiency (η)] of germanium (Ge) solar cell was theoretically investigated. Although the short-circuit current density JSC increased with increasing temperature; the energy conversion efficiency η decreased due to decrease in the open-circuit voltage VOC and the associated decrease in the fill factor FF. The production of substrate was carried out to use in the fabrication process of Ge solar cell. Gallium (Ga) doped Ge single-crystal ingot was grown by using Czochralski (Cz) bulk single-crystal growth technique. The fabrication process of a Ge solar cell, in where one of p-type Ge samples produced from the grown single-crystal ingot was used as substrate, was carried out. The performance parameters JSC, VOC, FF and η of fabricated Ge solar cell were determined from current-voltage (I-V) measurements. Within the scope of this thesis; it can be expressed that the carried out studies and the obtained results from the growth of Ge single-crystal ingot to the production of Ge solar cell, which have quite important roles for III-V group compound semiconductor multijunction solar cells, are valuable in terms of contributing to the development of technological knowledge.

Benzer Tezler

  1. Solution-processed thin film deposition and characterization of multinarychalcogenides: Towards highly efficient Cu2BaSn(S,Se)4 solar devices

    Solüsyon yöntemiyle sentezlenmiş çok elementli kalkojenitlerin ince film kaplama ve karakterizasyonu: Yüksek verimli Cu2BaSn(S,Se)4 bazlı güneş soğuran cihazlara doğru

    BETÜL TEYMUR

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    EnerjiDuke University

    Malzeme Bilimi ve Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. DAVİD B.MİTZİ

  2. ESR researches on YBİPt heavy fermion compound doped by Er+3 and Gd+3

    Er+3 ve Gd+3 katkılı YBİPt bileşiğinde ESR incelemeleri

    SADIK GÜNER

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    1999

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFatih Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BEKİR AKTAŞ

  3. M5C15 (M = Si, Ge, Al, Ga) heterofullerenlerin elektronik yapılarının ve hidrojen depolama kapasitelerinin yoğunluk fonksiyonel teorisi ile incelenmesi

    Investigation of electronic structures and hydrogen storage capabilities of M5C15 (M = Si, Ge, Al, Ga) heterofullerenes by density functional theory

    TUĞÇE METİN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEge Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA TEPE

    PROF. DR. CEMAL PARLAK

  4. Katkı ve düzensizliğin yarı-metalik ferromanyetik heusler alaşımların manyetik özelliklerine etkisinin teorik incelenmesi

    First principles study of effect of doping and disorder on the half metallicity of ferro magnetic heusler alloys

    KEMAL ÖZDOĞAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BEKİR AKTAŞ