The Electronic structure of delta-doped semiconductors
&-katkılanmış yarıiletkenlerin elektronik yapıları
- Tez No: 35526
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET TOKMAK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Low-dimensional semiconductors, Delta-doping, Electronic structure, Self-consistent calculations
- Yıl: 1994
- Dil: İngilizce
- Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 75
Özet
oz 8-KATKILANMIŞ YARIİLETKENLERİN ELEKTRONİK YAPILARI HONARKHAH, Shahla Yüksek Lisans Tezi, Fizik Anabilim Dalı Tez Yöneticisi: Prof.Dr. Mehmet TOMAK Temmuz 1994, 64 Sayfa Delta-katkılanmış (SD) yarıiletken yapıların büyütülmesi ve özelliklerini belirleyen bazı parametreleri tartışılmaktadır. Bu tez çalışmasının üzerinde durduğu ana nokta delta-katkılanmış yarı iletkenlerin elektronik alt bant yapılarının hesaplanmasıdır. Elektronlardan arındırılmış 8D-GaAs için tam varyusyonel hesap sonuçlan verilmektedir. Elektron içeren 5D-GaAs alt-bantları kendisiyle-uyumlu varyasyonel metodla hesaplanmıştır. Çok-cisimcik etkilen yerel-yoğunluk yaklaştırması çerçevesinde dikkate alınmıştır. Nisbeten basit kendisiyle-uyumlu-varyasyonel metodun deneyle uyumlu, kabul edilebilir sonuçlar verdiği gösterilmektedir. Anahtar Kelimeler : Düşük-boyutlu yarıiletkenler, 8-Katkılama, Kendisiyle-uyumlu hesap. Bilim Dalı Kodu: 404.05.01
Özet (Çeviri)
ABSTRACT THE ELECTRONIC STRUCTURE OF DELTA DOPED SEMICONDUCTORS HONARKHAH, Shahla M.S. in Physics Supervisor: Prof.Dr. Mehmet TOMAK July, 1994, 64 pages The growth of delta-doped (6D) semiconductor structures and some important parameters determining their properties are discussed. The main emphasis of this thesis work is the calculation of the electronic subband structure of 5D semiconductors. The results of the exact and variational calculations for depleted öD-GaAs are presented. The undepleted SD-GaAs subbands are calculated using the variational self-consistent method. The many-body effect are included within the local-density approximation. It is shown that the relatively simple variational self- consistent method is capable of producing acceptable results in agreement with experiment.
Benzer Tezler
- Delta katkılı yarıiletkenlerde elektronların taşınım özelliklerinin Monte Carlo yöntemi ile incelenmesi
Examining the transport properties of electrons in delta doped semiconductors with the Monte Carlo method
MELİKE YILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiÇukurova ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. BERRİN ÖZDEMİR
- Epitaksiyel ince yarıiletken filmlerin ikincil iyon kütle spektrometre parametrelerinin incelenmesi
Investigation of parameters of the epitaxial thin semiconductor films obtained from SIMS
SEVİLAY KÖSE
Yüksek Lisans
Türkçe
2003
Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENGİN BAŞARAN
- Localization phenomena in inas/gasb composite quantum wells with disorder
Düzensizlik içeren ınas/gasb komposit kuantum kuyularında yerelleştirme olayları
VAHID SAZGARI ARDAKANI
- P-tipi delta katkılı GaAs yapıların elektronik özellikleri
Electronic properties of P-type delta-doped GaAs structure
MUSTAFA KEMAL BAHAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EMİNE ÖZTÜRK
- Performance assesment of pseudomorphicMODFETs through Monte Carlo simulations
Örgü uyumsuz MODFET'lerin Monte Carlo simülasyonları yoluyla performanslarının belirlenmesi
SELÇUK ÖZER
Yüksek Lisans
İngilizce
2000
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. CENGİZ BEŞİKÇİ