Geri Dön

GaSb alttaş üzerine kaliteli GaSb epi-katmanların büyütülmesi ve karakterizasyonu

Growth and characterization of high quality GaSb epilayers on GaSb substrates

  1. Tez No: 371935
  2. Yazar: SEVAL ŞAHİN
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Anadolu Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 86

Özet

Moleküler demet epitaksi yöntemiyle, farklı büyütme ve soğutma parametreleri kullanılarak, GaSb alttaş üzerine GaSb epikatman yapılar büyütülerek karakterizasyonları yapılmıştır. Büyütme ve soğutma parametrelerinin kristal kalitesine ve örnek yüzeyine etkisi incelenmiştir. Büyütme sonrasında uygulanan soğutma sürecinde kullanılan Sb akı miktarının ve Sb akısının sonlandırıldığı alttaş sıcaklık değerinin epikatmanların yüzeylerinde önemli etkileri olduğu belirlendi. Ayrıca, epikatman yüzey kalitesinin aygıt haline getirilme sürecinde tanımlanan mesa yapılarının aşınma profillerine etkisi olduğu tespit edildi ve bu sorun için çözüm üretildi.

Özet (Çeviri)

GaSb epilayers on GaSb substrates were grown by molecular beam epitaxy by using different growth and cooling procedure parameters and characterized. The effect of growth and cooling procedure parameters on the crystal quality and surface were analyzed. It was demonstrated that the amount of Sb flux and Sb termination temperature applied during the cooling period has a crucial role on the surface of the epilayers. Besides, it was shown that those surface residues affect the mesa structure which is used in device fabrication and proposed a solution to overcome that issue.

Benzer Tezler

  1. Growth and characterization of group III-V nanostructures on Si substrates by MBE

    Si alttaş üzerine III-V grubu nanoyapilarin MBE tekniğiyle büyütülmesi ve karakterizasyonu

    BURCU ARPAPAY

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN

    PROF. DR. MEHMET ALİ GÜLGÜN

  2. InAs/GaSb tip-II süperörgü kızılötesi fotodedektör yapıların MBE tekniği ile GaSb ve GaAs alttaşlar üzerine büyütülmesi

    Growth of InAs/GaSb Type-II superlattice infrared photodetector structures on GaSb and GaAs substrates by MBE technique

    BÜLENT ARIKAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN

  3. High-operating-temperature (HOT) infrared detectors based on antimonide heterostructures

    Antimoni çokluyapı tabanlı yüksek sıcaklıkta çalışan (HOT)kızılötesi dedektörler

    MELİH KORKMAZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. UĞUR SERİNCAN

  4. Güneş hücresi ve lazer uygulamaları için büyütülen SB tabanlı III-V grubu yarıiletken yapıların incelenmesi

    Investigation of grown SB-based III-V group semiconductor structures for solar cell and laser applications

    SABAHATTİN ERİNÇ ERENOĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    EnerjiEskişehir Teknik Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ BURCU ARPAPAY

  5. Kızılötesi dedektör uygulamaları için ınassb ve gaınassb bileşiklerinin gaas alttaş üzerine mbe tekniği ile büyütülmesi

    Growth of inassb and gainassb compounds on gaas substrate by mbe technique for infrared detector applicatons

    MEHMET ERKUŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2015

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. UĞUR SERİNCAN