Geri Dön

Nano boyutlu yarıiletken ince filmlerde kuantum boyut etkisi ve kinetik özellikler

Quantum size effects in semiconductor thin films and kinetic properties

  1. Tez No: 373288
  2. Yazar: İLKNUR GERGİN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. FAİK MİKAİLZADE
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gebze Yüksek Teknoloji Enstitüsü
  10. Enstitü: Mühendislik ve Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 97

Özet

Bu tez çalışmasında katıların bant teorileri ve yarıiletken nano yapılardaki kuantum durumlarından bahsedilmiştir. Kuantum durumları ortaya çıktığında bu durumların yarıiletkendeki etkileri araştırılmıştır. Kuantum boyut etkisinin gerçekleşmesi için gerekli şartlar incelenmiştir. Bu şartlara dayanarak oluşan kuantum kuyuları, kuantum telleri ve kuantum noktaları hakkında bilgiler verilmiştir.Kuantum kuyusundaki sınırlandırılmış kuantum durumlarını hesaplamak için birtakım yöntemlere başvurulmuştur. Bu yöntemlerden özellikle etkin kütle yaklaşımı ve sayısal hesaplama yöntemleri üzerinde durulmuştur. Bu yöntemlerin eksik kaldığı yönler araştırılmıştır.Yarıiletken ince filmlerdeki kuantum boyut etkisi araştırılarak, sınırlandırılmış elektronların iletim özellikleri çalışılmıştır. Elektronlar, bir yüzeyde hareketleri sınırlandırıldığında ve yüzeye dik hareketi ihmal edildiğinde (iki boyutlu elektron gazı modeli) Boltzman İletim Eşitliği (BTE) kullanılarak rölaksasyon zamanı ve film yüzeyindeki öziletkenlik katsayısı elde edilmiştir. Bu durumda, öziletkenliğin film kalınlığına bağlı olmadığı görülmüştür. Kuazi iki boyutlu elektron gazı modelinde (film yüzeyine dik olan elektron hareketi ihmal edilmiyor) ise Boltzman İletim Eşitliği kullanılamadığı durumda Kuantum İletim Teori (QTT) den yararlanılarak z yönündeki öziletkenlik katsayısına ulaşılmıştır. Bu durumda ise film kalınlığının öziletkenliğe etkisi ortaya çıkmıştır.

Özet (Çeviri)

This thesis is about the semiconductor quantum confinements in nanostructures and band theories of solids. When the quantum states occur, the effects of these states on semiconductors are researched. The required conditions for the realization of quantum size effects are studied. Some information is given about the quantum dots, the quantum wires and the quantum wells which are based on these conditions.Some techniques are applied to calculate the states of these quantum confinements in quantum wells. Effective mass approximation (EMA) and numerical computation methods are studied especially. The deficiences of these techniques are researched.Transport properties of electrons confined to semiconducting thin films and quantum size effects are studied. When electrons are constrained to move in a plane and their motion perpendicular to the plane is neglected (two dimensional gas), relaxation time and electrical conductivity on the surface of the film are calculated by using Boltzman Transport Equation (BTE). In this case, conductivity is independent of the thickness of the film. When electrons are constrained to move in a plane and their motion perpendicular to the plane is not neglected (quasi two dimensional gas), electrical conductivity on the z direction is calculated by using the Quantum Transport Theory (QTT). In this case, it is understood that the thickness of the film effects electrical conductivity.

Benzer Tezler

  1. Bakır/gümüş/çinko oksit (CuAg/ZnO) partiküllerinin ultrasonik sprey piroliz yöntemiyle üretimi

    Production of CuAg/ZnO nanocomposite particles by ultrasonic sprey pyrolysis

    TOLGA ÇAKMAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEBAHATTİN GÜRMEN

  2. The stark effects on group II-VI semiconductor nanoparticles (NP) during synthesis in solution and on NP embedded in a glass matrix and in nanostructructed thin films

    Grup II-VI yarı iletken nanoparçacıkların (NP) çözeltide ve cam matris içinde gömülü ve ince film nanoyapılarda sentezi sırasınca stark etkisi

    FATMA MELDA PATAN ALPER

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiYeditepe Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SYEDA RABIA İNCE

  3. Visible light-induced copper(I)-catalyzed azide alkyne cycloaddition with zinc oxide semiconductor nanoparticles

    ZnO yarı-iletken nanopartikülleri kullanılarak heterojen fotokataliz sistemi ile azid-alkin çıt-çıt reaksiyonu

    KADRİYE ÖZDE YETİŞKİN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Kimyaİstanbul Teknik Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YUSUF YAĞCI

  4. SILAR ve dönel kaplama metotları kullanılarak büyütülen çinko oksit (ZnO) ince filmlerde uyarılmış emisyonun incelenmesi

    Examination of stimulated emission at ZnO thin films deposited by SILAR and spin coating methods

    MELİH ÖZDEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiErzurum Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ ÇAĞLAR DUMAN

  5. Nano-scale chemically modified thin film characterization for chemical mechanical planarization applications

    Nano-boyutta kimyasal modifiye edilmiş ince filmlerin kimyasal-mekanik düzleştirme uygulamaları için karakterizasyonu

    AYŞE KARAGÖZ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2015

    Mühendislik BilimleriÖzyeğin Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÜL BAHAR BAŞIM DOĞAN