Geri Dön

Atomic structure of (GeTe)m(Sb2Te3)n phase-change materials

Faz-değişimli (GeTe)m(Sb2Te3)n malzemelerin atomik yapısı

PDF İndir

  1. Tez No: 385144
  2. Yazar: SİBEL HOMURLU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SÜLEYMAN ŞİNASİ ELLİALTIOĞLU
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2014
  8. Dil: İngilizce
  9. Üniversite: Orta Doğu Teknik Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 95

Özet

Son yıllarda yapılan bilimsel araştırmalar gösteriyor ki faz-değişimli üçlü bileşikler (GeTe)m(Sb2Te3)n veya kısaca GST, CD (Compact Disc), DVD (Digital Versatile Disc), BD (Blu-ray Disc) gibi optik depolama aygıtlarının veriminin artırılmasında en çok kabul gören aday malzemeler olarak gösterilmektedir. Gelecekte GST bileşiklerinin kalıcı ve çok düzeyli faz-değişimli belleklerde kullanılması beklenmektedir. GST bileşiklerini ayrıcalıklı yapan kritik nokta, onun amorf ve kristal fazlar arasındaki hızlı ve tersinir faz geçişidir. Farklı şiddet ve frekanslarda uygulanan elektriksel ve optiksel uyarmalar, bu iki faz arasında hızlı ve geri dönüşümlü faz değişimlerine neden olmaktadır. Faz-değişimi özelliği sayesinde GST bileşikleri, gelişen tekrar-yazılabilir multimedya teknolojisinde, son yılların en popüler araştırma konusu olmuştur. Bu alanda çok fazla araştırma yapılmasına rağmen, GST bileşiklerinin faz-değişim mekanizması üzerinde bir fikir birliğineulaşılamamıştır. GST malzemelere dayalı bilgi depolama cihazlarında gelişim sağlanabilmesi için, bu mekanizmanın anlaşılması çok önemlidir. Bu çalışmada, GeSb2Te4 ve Ge2Sb2Te5 bileşiklerinin faz-değişim mekanizması yoğunluk fonksiyoneli teorisi ve ilk-prensipler moleküler dinamik benzetişim yöntemleri kullanılarak açıklanmıştır.

Özet (Çeviri)

Scientific investigations, in recent years, show that the ternary phase-change (PC) compounds (GeTe)m(Sb2Te3)n, abbreviated as GST, are the most accepted candidates for increasing the efficiency of optical storage devices such as CD (compact disc), DVD (digital versatile disc), and BD (blue-ray disc). In future, GST compounds are expected to be used in non-volatile memory and multi-level PC memory applications. The critical advantage that make GST compounds special is its fast and reversible phase-transition ability between the amorphous and the crystalline phases via the electrical and optical excitations implemented with different strengths and frequencies. Due to this switchability property, GST compounds are the most popular research topic of recent years in advancing the rewritable multimedia technology. Although lots of research have already been done in the field, so far, it could not have been reached a common consensus on the PC mechanism of GST compounds. In order to do improvement on data storage devices utilizing GST materials, understanding of the PC mechanism is crucial. In this study, the PC mechanism of GeSb2Te4 and Ge2Sb2Te5 compounds have been investigated by using density functional theory (DFT) and ab-initio molecular dynamics simulations (AIMD) methods.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    283128

    Katodun atomik yapısının nano karbon üretimi üzerine etkileri

    The effect of atomic structure of catode on nanocarbon production

    ONUR İŞCAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Kimya Mühendisliğiİstanbul Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUZAFFER YAŞAR

  2. Tez No

    256225

    Sıvı metallerin sıvı-buhar arayüzeylerinin atomik yapısının moleküler simülasyon metodu ile incelenmesi

    The investigation of atomic structure of liquid-vapour interfaces of liquid metals by molecular simulation metod

    DİDEM MAVİGÖZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiTrakya Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SERAP ŞENTÜRK DALGIÇ

  3. Tez No

    213695

    Si(001)yüzeyinin atomik ve elektronik yapısı

    Atomic and electronic structure of the Si(001) surface

    ÇAĞIL KADEROĞLU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAnkara Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. BORA ALKAN

  4. Tez No

    197573

    İlköğretim 7. sınıf, maddenin iç yapısına yolculuk ünitesindeki atomun yapısı ve periyodik çizelge konusunun eğitsel oyunlarla bilgisayar ortamında öğretimi ve buna yönelik bir model geliştirme

    Teaching of atomic structure and periodic table unit within journey through interior structure of substance for 7th grade in prime education on computer with educational games and modelling

    SERAP OBUT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Eğitim ve ÖğretimCelal Bayar Üniversitesi

    Fen Bilgisi Eğitimi Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. SAMİ OLUK

  5. Tez No

    237346

    İlköğretim 6. sınıf fen ve teknoloji dersinde maddenin tanecikli yapısı ünitesinin yaratıcı drama ile öğretiminin öğrencilerin başarısına etkisi

    The effect of teaching the atomic structure of matters by creative dramas to the achievement of student at the 6th class science and tecnologhy lesson in primary school

    SELMAN TUNCEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Eğitim ve ÖğretimSelçuk Üniversitesi

    İlköğretim Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA PEHLİVAN

Geri Dön