Silisyum bileşiklerinin bilgisayar destekli infrared (ır) analizi
Başlık çevirisi mevcut değil.
- Tez No: 38711
- Danışmanlar: Y.DOÇ.DR. RAMAZAN ESEN
- Tez Türü: Doktora
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 1994
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Çukurova Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 107
Özet
98 ÖZET Amorf silisyum bileşiklerinden SiC, SiN, a-Si ve SiOx ' in İR spektrumları çalışıldı. Bu çalışma üç alt bölümde yapıldı: spektrum toplama, spektrum koşullandırma ve spektrum yorumlama. Yarıiletken amorf silisyum materyaller, sitokiyometrik olmayan oranlarda yapılırlar. Çünkü bant aralığı, mobilite ve iletkenlik gibi parametreler stokiyometrik olmayan oranlardaki bileşiklerde istenilen değerlere ulaşmaktadır. Dahası elde ediliş yöntemlerinin çok çeşitli olması da (glow discharge, vakum buharlaştırma, sputtering, elektroliz, vb. ) bir aday bileşiğin tanımlanması için çok sayıda spektrum gerektirir. Bu sebeplerden dolayı, İR referans kütüphanesini oluşturmak için çok sayıda spektruma ihtiyaç vardır. Bu tür güçlüklerden dolayı, spektrum toplamada yayınlanan İR verilerinin kullanılmasının en uygun yöntem olduğuna karar verildi. Bu amaç için periyodiklerden İR spektrumlarının fotokopileri alındı ve klasik LC Macintosh ile kontrol edilen A4 sayfa tarayıcısı kullanılarak sayısal görüntüye çevrildi. Bu dosyalar IBM - PC ortamına çevrildi. Bu spektrumlar bilgisayar ekranına çıkarılırken siyah veya beyaz ( grilik seviyesine izin verilmedi ) olmaya zorlandı. Taranılan çizgilerin homojen olmamasından kaynaklanacak olan karışıklıktan kurtulmak için çizgi kalınlığı 1 piksel ' e indirgendi. Daha sonra grafiğin frekans dağılımı hesaplandı. Maksimum frekans değerinin taranılan grafikteki çizgi sayısı ile aynı olduğu kabul edildi. Frekans dağılımından, sınıflama için bir deneme kümesi elde edildi. Piksel sayısının frekans tepe değerine eşit olduğu kolonlardaki noktalar deneme kümesi olarak alındı. Şüpheli noktaları yok etmek için deneme kümesine sağlama işlemi uygulandı. Taranılan spektrumun kalan kısımlarının tanımlanması, en yakın nokta yaklaşımı ile deneme kümesi beraberce kullanılarak yapıldı. Uzaklık ( Ax2 + Ay2 )1/2 olarak alındı. Burada Ax, bilinen ve aday noktanın dalga sayısı arasındaki fark Ay ise, aynı noktaların geçirgenlik (veya soğurma) değerleri arasındaki farktır. Sınıflama, bilinmiyen çizgi parçalarının her iki tarafından gidilerek tamamlandı.99 Spektrumların çoğu için taban çizgisi düzeltmesi gereklidir. Taban eğilim çizgisini tanımlamak için, 1000 cm“1 aralıklardaki maksimum noktalar birleştirilerek ilgili bölgede bir doğru parçası elde edildi. Bu eğilim çizgisi, bitişik bantlardaki yerel maksimum noktalarını elimine etmek için kullanıldı. Taban eğilim çizgisinin üzerinde kalan maksimum noktalar, taban çizgisi parçalarını oluşturmak üzere birleştirildi. Sonra spektrum, ekrandan tekrar okundu ve taban çizgisi ile o noktanın eski y değeri arasındaki fark alınarak o noktaya ait yeni y değeri olarak atandı. Taban çizgisi düzeltmesinden sonra, spektrumları karşılaştırabilir hale getirmek için normalizasyon işlemi uygulandı. Yorumlama bölümünde bilinmiyen spektrum kütüphanedeki spektrumlarla karşılaştırıldı. Bu amaç için, benzerlik kalite indisini ( SQI ) hesaplamada belirli bölgeler seçildi. a-SiC ' e benzerliği hesaplamak için 1230 - 400 cm”1 bölgesi, a-SiN ' e benzerliği hesaplamak için 1400 - 650 cm“1 bölgesi, a-Si ' e benzerliği hesaplamak için 840 - 435 cm”1 bölgesi, a-SiOx ' e benzerliği hesaplamak içini 375 - 890 cm"1 bölgesi, kullanıldı. Eğer iki SQI değeri, güvenilir tahmini önleyecek kadar birbirine yakın bulunursa, karar verme işleminde küçük bantlar kullanıldı ( eğer varsa ). Tanımlama yüzdesi bileşiklere bağlı olarak % 78 - 99 arasında değişmektedir. a-SiOx tanımlaması en kolay bileşik olarak gözlendi; bununla beraber a-SiC de a-SiN ile benzer SQI lar verdiği için tanımlanması en zor bileşik olarak bulundu.
Özet (Çeviri)
100 SUMMARY The IR spectra of the amorphous silicon compounds namely SiC, SiN, a-Si, SiOx are studied. The study is carried out in three sub-studies: spectrum gathering, spectrum conditioning and spectrum interpretation. The semiconducting amorphous silicon materials are being made at non-stochiometric ratios. Sin6e the required parameters such as bandgap, mobility or conductivity are obtained at non-stochiometric compounds. Moreover, the production techniques for these compounds are diverging in numbers, such as glow discharge, sputtering, vacuum evaporation, electron beam evaporation, electrolysis etc. Because of these reasons one needs a great number of spectrum to form an IR reference library. To overcome these complexities it is decided that using the published IR data would be a convenient method for spectrum gathering. For this purpose the IR spectra from the periodicals photocopied and converted to digital images using a A4 page scanner controlled by a Macintosh Classic LC Computer. These files transferred to IBM - PC environment. These spectra forced to be black or white ( no gray level allowed ) while displaying in compute monitor. The line thickness is reduced to 1 pixel in order to eliminate the complexities which will arise from inhomogenities of the scanlines. Later frequency distribution of the graph is calculated. The maximum frequency value accepted to be the same with the number of scanlines in the graph. A training set for the classification is obtained from the frequency distribution. The points which belong to the columns with pixel number equal to the frequency peak taken as the training set. A validation process is applied to the training set for discarding of the suspicious points, Identification of the remaining parts of the spectrum scanlines is made using the training set along with the“ closest point ”approach. Distance is taken as ( Ax2+ A y2)1/2 where Ax is the difference between the known and candidate point 's wavenumber and Ay is the transmission ( or absorbance ) value difference between the same points. The classification is carried from either sides of unknown line segments.®«^mmmmm hmi^l1 M 01 Baseline correction is needed for the most of the spectra. To determine baseline trend, the maximum points at 1000 cm“1 intervals used to form a straight line in the respective region. This trend line is used to eliminate maximum like points in the close bands. The maximum points which are above the baseline trend connected to form the screen and difference between the baseline and previous y value taken as the new y value of the point in question. After baseline correction a normalisation procedure applied to make all the spectra comparable. At the interpretation section the unknown spectrum is compared to the spectra at library. For this purpose some selected regions are used to calculate similarity quality index (SQI). These region are : 1230 - 400 cm'1 region for calculating the similarity to a-SiC, 1400 - 650 cm”1 region for calculating the similarity to a-SiN, 840 - 435 cm“1 region for calculating the similarity to a-Si, 1375 - 890 cm”1 region for calculating the similarity to a-SiOx. If two SQI 's are found to be close enough to prevent a reliable guess then other small bands are used in decision process (if exists). The identification percentage ranged from 78 - 99 % depending on the compound. a-SiOx was found to be very easy to identify, while a-SiC is the hardest to identify. It gives similar SQI 's with a-SiN.
Benzer Tezler
- Katodik ark plazma işlemi ile CrSi2 yarıiletken filmlerin üretimi
CrSi2 semiconductor film production via cathodic arc plasma deposition
BERİL KOZÇAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Metalurji Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA ÜRGEN
- Development of a large area germanium on insulator platform by liquid phase epitaxy
Sıvı faz epitaksi ile yalıtkan üzerine geniş alan germanyum platformu geliştirilmesi
ZİŞAN İREM ÖZYURT
Yüksek Lisans
İngilizce
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiMikro ve Nanoteknoloji Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. SELÇUK YERCİ
DOÇ. ALPAN BEK
- Ateş yanıklığı (Erwinia amylovora ) hastalığına karşı silisyum ve bor uygulamalarının etkilerinin belirlenmesi
Determination of effects of silicon and boron applications against fire blight (Erwinia amylovora) disease
ÖZNUR YILMAZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
ZiraatSelçuk ÜniversitesiBitki Koruma Ana Bilim Dalı
PROF. DR. KUBİLAY KURTULUŞ BAŞTAŞ
- 16MnCr5 çeliğinin borlama ve termal çevrimli borlama özelliklerinin araştırılması
Investigation of 16MnCr5 steel for boring and thermal interrupted boriding properties
AHMET KOÇASLAN
Yüksek Lisans
Türkçe
2016
Mühendislik BilimleriSüleyman Demirel Üniversitesiİmalat Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ADNAN ÇALIK
- Saf silisyum elde edilmesinde yeni metotların araştırılması ve bazı organik bileşiklerinin sentezi
Başlık çevirisi yok
MUSTAFA AKPOYRAZ