Geri Dön

GaP yarı iletkeninde optik ve elektriksel karakterizasyon

Optical and electrical characterization on GaP semiconductor

  1. Tez No: 387627
  2. Yazar: MEHMET DEMİR
  3. Danışmanlar: DOÇ. DR. SELİM ACAR
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2011
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 57

Özet

n-GaP yarıiletken üzerine buharlaştırma metodu ile büyütülen altın kontakların 125-375 K sıcaklık aralığında 25 K aralıklarla akım-voltaj (I-V) ölçümleri yapıldı. Deney sonuçları üretilen kontağın iyi bir diyot özelliğine sahip olduğunu gösterdi. Akım iletim mekanizmaları tüm sıcaklık aralığında Poole Frenkel (PF) ve Schottky tipi iletim mekanizmaları ele alınarak incelendi. Düşük sıcaklık bölgesinde PF tipi, yüksek sıcaklık bölgesinde ise Schottky tipi iletimin baskın olduğu görüldü. Yansıma ve geçirgenlik ölçümleri ile GaP yarıiletkeninin yasak enerji aralığı 2,21 eV olarak bulundu.

Özet (Çeviri)

In this study, the current-voltage (I-V) measurements of the gold contact that are produced by vaporizing over n-GaP semiconductor are made between 125-375 K degrees. The results of the experiment prove that the I-V diagram of the contact is very close to that of a perfect diode. The current transportation mechanism is investigated, in the entire temperature range, corresponding both Poole Frenkel (PF) and Schottky type mechanisms. It is observed that PF type transportation is dominant in low temperature areas while Schottky type transportation is dominant in high temperature areas. The forbidden energy gap is determined as 2,21 eV by reflectance and transmictance measurements.

Benzer Tezler

  1. ZnO based photo-thin-film-transistors with actively tunable photoresponse in the visible spectrum

    Görünür ışığa tepkisi aktif olarak ayarlanabilen ZnO bazlı foto-ince-film- transistörler

    LEVENT ERDAL AYGÜN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2013

    Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent Üniversitesi

    Elektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü

    YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY

  2. Kimyasal buhar biriktirme yöntemiyle üretilen grafenin g-C3N4'ün fotoelektrokimyasal özelliklerine etkisi

    Effect of graphene produced by chemical vapor deposition on the fotoelectrochemical properties of g-C3N4

    NİLAY KAÇAR

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Mühendislik BilimleriEskişehir Osmangazi Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA ANIK

  3. Fotovoltaik öneme sahip CuInS2/In2S3 çok tabakalı yarıiletkenince filmlerinin SILAR metoduyla büyütülmesi ve karakterizasyonu

    Having photovoltaic importance CuInS2/In2S3 multilayer semiconductor thin films deposition with SILAR method and the annealing effect on physical properties

    MÜNEVVER EBRU TEK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2012

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. MUTLU KUNDAKÇI

  4. GaSe ve GaSe:Cd yarı iletkeninin büyütülmesi,yapısal, optik ve elektriksel özeliklerinin incelenmesi

    Investigation of growth, structural, optical and electrical properties of GaSe and GaSe:Cd semiconductors

    AFSOUN ASHKHASI

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2017

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK

  5. Fotovoltaik Ge-ZnO nanokompozit ince filmlerin hazırlanması ve fiziksel özelliklerinin araştırılması

    Preparation and investigation of physical properties of the photovoltaic Ge-ZnO nanocomposite thin films

    JANAN M.ALİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiHacettepe Üniversitesi

    Fizik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ABDULLAH CEYLAN