GaP yarı iletkeninde optik ve elektriksel karakterizasyon
Optical and electrical characterization on GaP semiconductor
- Tez No: 387627
- Danışmanlar: DOÇ. DR. SELİM ACAR
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2011
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 57
Özet
n-GaP yarıiletken üzerine buharlaştırma metodu ile büyütülen altın kontakların 125-375 K sıcaklık aralığında 25 K aralıklarla akım-voltaj (I-V) ölçümleri yapıldı. Deney sonuçları üretilen kontağın iyi bir diyot özelliğine sahip olduğunu gösterdi. Akım iletim mekanizmaları tüm sıcaklık aralığında Poole Frenkel (PF) ve Schottky tipi iletim mekanizmaları ele alınarak incelendi. Düşük sıcaklık bölgesinde PF tipi, yüksek sıcaklık bölgesinde ise Schottky tipi iletimin baskın olduğu görüldü. Yansıma ve geçirgenlik ölçümleri ile GaP yarıiletkeninin yasak enerji aralığı 2,21 eV olarak bulundu.
Özet (Çeviri)
In this study, the current-voltage (I-V) measurements of the gold contact that are produced by vaporizing over n-GaP semiconductor are made between 125-375 K degrees. The results of the experiment prove that the I-V diagram of the contact is very close to that of a perfect diode. The current transportation mechanism is investigated, in the entire temperature range, corresponding both Poole Frenkel (PF) and Schottky type mechanisms. It is observed that PF type transportation is dominant in low temperature areas while Schottky type transportation is dominant in high temperature areas. The forbidden energy gap is determined as 2,21 eV by reflectance and transmictance measurements.
Benzer Tezler
- Ni katkılı cuo ince filmlerin spin kaplama yöntemiyle üretilmesi ve karakterizasyonu
Production and characterization of ni-doped cuo thin films by spin coating method
EMİN TALASLIOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2025
EnerjiMersin ÜniversitesiNanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı
DR. ÖĞR. ÜYESİ SAADET YILDIRIMCAN
- ZnO based photo-thin-film-transistors with actively tunable photoresponse in the visible spectrum
Görünür ışığa tepkisi aktif olarak ayarlanabilen ZnO bazlı foto-ince-film- transistörler
LEVENT ERDAL AYGÜN
Yüksek Lisans
İngilizce
2013
Bilim ve Teknolojiİhsan Doğramacı Bilkent ÜniversitesiElektrik ve Elektronik Mühendisliği Bölümü
YRD. DOÇ. DR. ALİ KEMAL OKYAY
- Kimyasal buhar biriktirme yöntemiyle üretilen grafenin g-C3N4'ün fotoelektrokimyasal özelliklerine etkisi
Effect of graphene produced by chemical vapor deposition on the fotoelectrochemical properties of g-C3N4
NİLAY KAÇAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Mühendislik BilimleriEskişehir Osmangazi ÜniversitesiMetalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUSTAFA ANIK
- Fotovoltaik öneme sahip CuInS2/In2S3 çok tabakalı yarıiletkenince filmlerinin SILAR metoduyla büyütülmesi ve karakterizasyonu
Having photovoltaic importance CuInS2/In2S3 multilayer semiconductor thin films deposition with SILAR method and the annealing effect on physical properties
MÜNEVVER EBRU TEK
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. MUTLU KUNDAKÇI
- GaSe ve GaSe:Cd yarı iletkeninin büyütülmesi,yapısal, optik ve elektriksel özeliklerinin incelenmesi
Investigation of growth, structural, optical and electrical properties of GaSe and GaSe:Cd semiconductors
AFSOUN ASHKHASI
Doktora
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. BEKİR GÜRBULAK