Au/ZnO/n-GaAs (MIS) Schottky engel di̇yotlarin (SBDs) elektri̇ksel karakteri̇sti̇kleri̇ni̇n frekans ve voltaja bağli i̇ncelenmesi̇
The investigation of frequency and voltage dependence of main electrical parametres of Au/ZnO/n-GaAs (MIS) Schottky barrier diodes (SBDs)
- Tez No: 395652
- Danışmanlar: PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 104
Özet
Au/ZnO/n-GaAs Schottky engel diyotları (SBDs) hazırlandı ve onların elektriksel karakteristikleri, akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj-frekans (C-V-f) ve kondüktans-voltaj-frekans (G/ω-V-f) ölçümleri kullanılarak oda sıcaklığında incelendi. Diyotun ters doyum akımı (Io), idealite faktörü (n) ve sıfır-beslem engel yüksekliği (ФBo) gibi temel elektriksel parametreleri sırasıyla 4,03x10-8 A, 3,75 ve 0,47 eV olarak bulundu. Arayüzey durumlarının (Nss) enerjiye bağlı dağılımı, hem etkin engel yüksekliğinin hem de n'nin voltaja bağlı değerleri dikkate alınarak doğru beslem I-V verilerinden elde edildi. Frekansa bağlı C-V ve G/ω-V karakteristikleri ise 0,5 kHz-500 kHz aralığında incelendi. Nicollian ve Brews metodu kullanılarak elde edilen Rs değerlerinin artan frekans ile azaldığı gözlendi. Bu değerler Norde, Cheung ve Ohm metodları kullanılarak elde edilenlerle uyum içinde olduğu gözlendi. Engel yüksekliği (ФB), verici katkı atomlarının yoğunluğu (ND) ve tüketim tabakası genişliği (WD) frekansın fonksiyonu olarak 1/C2-V eğrilerinden elde edildi. Ayrıca, hem Nss hem de onların yaşama süreleri admittans spektroskopi metodu kullanılarak frekansa bağlı elde edildi.
Özet (Çeviri)
Au/ZnO/n-GaAs Schotky barrier diodes (SBDs) were fabricated and their electrical characteristics have been investigated using current-voltage (I-V), capacitance-voltage-frequency (C-V-f) and conductance-voltage-frequency (G/ω -V-f) measurements at room temperature. The main electrical parameters such as reverse saturation current (Io), ideality factor (n) and zero-bias barrier height (ФBo) , were found as 4,03x10-8 A; 3,75 and 0,47 eV, respectively. The energy dependent of the interface states (Nss) was obtained from the forward bias I-Vdata by taking into account voltage dependence effective barrier height (Фe) and n. and their values are in the range Ec-0,21 to Ec-0,46 eV. The frequency dependent C-V and G/ω-V characteristics have been investigated in the frequency range of 0,5 kHz-500 kHz. The value of series resistance (Rs) was obtained from the C-V-f and G/ ω-V data using Nicollian and Brews method and it decreases with increasing frequency and compared with thieir Norde, Cheung and Ohm law methods The barrier height (ФB), doping concentration (ND) and depletion layer width (WD) were obtained from linear part of 1/C2 vs V plot for each frequency. The energy dependent Nss values and their relaxation time were also obtained from admittance spectroscopy method.
Benzer Tezler
- ZnO arayüzey tabakalı schottky engel diyotların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin aydınlatma şiddetine bağlı incelenmesi
The preparation of schottky barrier diodes with ZnO interface layer and the investigation of their electrical properties dependent on illumination intensity
SERHAT ORKUN TAN
Doktora
Türkçe
2016
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HABİBE TECİMER
- Nanorot temelli fotodiyotların üretimi ve karakterizasyonu
Production and characterization of nanorod-based photodi̇odes
SONER HAKBİLEN
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
Makine MühendisliğiBolu Abant İzzet Baysal ÜniversitesiMakine Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜRCAN YILDIRIM
- Geniş bant aralıklı ZnO'nun, elektrokimyasal olarak büyütülmesi, karakterizasyonu ve mümkün elektronik uygulamalarının araştırılması
Electrochemical growth and characterization of wide bandgap and investigation of its possible electronic applications
HATİCE ASIL
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN
- Au/(CeO2:ZnO:PVP)/n-Si schottky yapıların ışığa bağlı elektriksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of light dependent electrical properties of Au/(CeO2:ZnO:PVP)/n-Si schottky structures
ORAY ÜSTÜN
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. YASHAR AZIZIAN-KALANDARAGH
- N, n′-dioktil-3,4,9,10-perilendikarboksiimid organik yarı iletken katkılı n-zno/p-si heteroeklem fotodiyotun ışığaduyarlılık performansının araştırılması
Investigation photosensitivity performance of n,n′-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide organicsemiconductor doped n-zno/p-si heterojunction photodiode
EMRECAN EMEKSİZ
Yüksek Lisans
Türkçe
2020
BiyoteknolojiSelçuk ÜniversitesiBiyoteknoloji Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT YILDIRIM