Geri Dön

Au/ZnO/n-GaAs (MIS) Schottky engel di̇yotlarin (SBDs) elektri̇ksel karakteri̇sti̇kleri̇ni̇n frekans ve voltaja bağli i̇ncelenmesi̇

The investigation of frequency and voltage dependence of main electrical parametres of Au/ZnO/n-GaAs (MIS) Schottky barrier diodes (SBDs)

PDF İndir

  1. Tez No: 395652
  2. Yazar: BUKET AKIN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 104

Özet

Au/ZnO/n-GaAs Schottky engel diyotları (SBDs) hazırlandı ve onların elektriksel karakteristikleri, akım-voltaj (I-V), kapasitans-voltaj-frekans (C-V-f) ve kondüktans-voltaj-frekans (G/ω-V-f) ölçümleri kullanılarak oda sıcaklığında incelendi. Diyotun ters doyum akımı (Io), idealite faktörü (n) ve sıfır-beslem engel yüksekliği (ФBo) gibi temel elektriksel parametreleri sırasıyla 4,03x10-8 A, 3,75 ve 0,47 eV olarak bulundu. Arayüzey durumlarının (Nss) enerjiye bağlı dağılımı, hem etkin engel yüksekliğinin hem de n'nin voltaja bağlı değerleri dikkate alınarak doğru beslem I-V verilerinden elde edildi. Frekansa bağlı C-V ve G/ω-V karakteristikleri ise 0,5 kHz-500 kHz aralığında incelendi. Nicollian ve Brews metodu kullanılarak elde edilen Rs değerlerinin artan frekans ile azaldığı gözlendi. Bu değerler Norde, Cheung ve Ohm metodları kullanılarak elde edilenlerle uyum içinde olduğu gözlendi. Engel yüksekliği (ФB), verici katkı atomlarının yoğunluğu (ND) ve tüketim tabakası genişliği (WD) frekansın fonksiyonu olarak 1/C2-V eğrilerinden elde edildi. Ayrıca, hem Nss hem de onların yaşama süreleri admittans spektroskopi metodu kullanılarak frekansa bağlı elde edildi.

Özet (Çeviri)

Au/ZnO/n-GaAs Schotky barrier diodes (SBDs) were fabricated and their electrical characteristics have been investigated using current-voltage (I-V), capacitance-voltage-frequency (C-V-f) and conductance-voltage-frequency (G/ω -V-f) measurements at room temperature. The main electrical parameters such as reverse saturation current (Io), ideality factor (n) and zero-bias barrier height (ФBo) , were found as 4,03x10-8 A; 3,75 and 0,47 eV, respectively. The energy dependent of the interface states (Nss) was obtained from the forward bias I-Vdata by taking into account voltage dependence effective barrier height (Фe) and n. and their values are in the range Ec-0,21 to Ec-0,46 eV. The frequency dependent C-V and G/ω-V characteristics have been investigated in the frequency range of 0,5 kHz-500 kHz. The value of series resistance (Rs) was obtained from the C-V-f and G/ ω-V data using Nicollian and Brews method and it decreases with increasing frequency and compared with thieir Norde, Cheung and Ohm law methods The barrier height (ФB), doping concentration (ND) and depletion layer width (WD) were obtained from linear part of 1/C2 vs V plot for each frequency. The energy dependent Nss values and their relaxation time were also obtained from admittance spectroscopy method.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    430991

    ZnO arayüzey tabakalı schottky engel diyotların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin aydınlatma şiddetine bağlı incelenmesi

    The preparation of schottky barrier diodes with ZnO interface layer and the investigation of their electrical properties dependent on illumination intensity

    SERHAT ORKUN TAN

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiKarabük Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HABİBE TECİMER

  2. Tez No

    706335

    Nanorot temelli fotodiyotların üretimi ve karakterizasyonu

    Production and characterization of nanorod-based photodi̇odes

    SONER HAKBİLEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2021

    Makine MühendisliğiBolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. GÜRCAN YILDIRIM

  3. Tez No

    269690

    Geniş bant aralıklı ZnO'nun, elektrokimyasal olarak büyütülmesi, karakterizasyonu ve mümkün elektronik uygulamalarının araştırılması

    Electrochemical growth and characterization of wide bandgap and investigation of its possible electronic applications

    HATİCE ASIL

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2010

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CEVDET COŞKUN

  4. Tez No

    883671

    Au/(CeO2:ZnO:PVP)/n-Si schottky yapıların ışığa bağlı elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of light dependent electrical properties of Au/(CeO2:ZnO:PVP)/n-Si schottky structures

    ORAY ÜSTÜN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YASHAR AZIZIAN-KALANDARAGH

  5. Tez No

    619736

    N, n′-dioktil-3,4,9,10-perilendikarboksiimid organik yarı iletken katkılı n-zno/p-si heteroeklem fotodiyotun ışığaduyarlılık performansının araştırılması

    Investigation photosensitivity performance of n,n′-dioctyl-3,4,9,10-perylenedicarboximide organicsemiconductor doped n-zno/p-si heterojunction photodiode

    EMRECAN EMEKSİZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    BiyoteknolojiSelçuk Üniversitesi

    Biyoteknoloji Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MURAT YILDIRIM

Geri Dön