Geri Dön

Au/(CeO2:ZnO:PVP)/n-Si schottky yapıların ışığa bağlı elektriksel özelliklerinin incelenmesi

Investigation of light dependent electrical properties of Au/(CeO2:ZnO:PVP)/n-Si schottky structures

  1. Tez No: 883671
  2. Yazar: ORAY ÜSTÜN
  3. Danışmanlar: PROF. DR. YASHAR AZIZIAN-KALANDARAGH
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2024
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fotonik Bilimi ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 93

Özet

Bu tez çalışmasının ana amacı metal-yarıiletken (MS) yapıdaki Au/n-Si ve metal-polimer-yarıiletken (MPS) yapıdaki Au/(ZnO:CeO2:PVP)/n-Si Schottky bariyer diyotlarını (SBDs) aynı koşullar altında aynı n-Si alttaş üzerinde üreterek, (ZnO:CeO2:PVP) organik arayüzey katmanının MS yapılı SBD'nin elektriksel ve optik performansını arttırıp arttırmadığını incelemektir. Bu amaçla CeO2 ve ZnO nanoyapıları ultrasonik destekli yöntem (UAM) kullanılarak sentezlendi ve ardından X-ışını kırınımı (XRD), ultraviyole görünür (UV-Vis) spektroskopisi ve Fourier dönüşümü kızılötesi (FTIR) spektroskopisi kullanılarak analiz edildi. XRD analizinden elde edilen veriler ile Debye-Scherrer yöntemi kullanılarak CeO2 ve ZnO nanoyapıları için ortalama mikron altı parçacık boyutları belirlendi. XRD analizinden elde edilen veriler ile kristalit boyutlarını tahmin etmek ve kristal kafesler içindeki mikro gerinimlerin değerlerini tespit etmek için Williamson-Hall (WH) yöntemi kullanılmıştır. CeO2 ve ZnO nanoyapıları için optik bant aralığı değerleri Tauc grafiği yöntemi kullanılarak hesaplandı. Daha sonra, üretilen SBD'lerin elektriksel özellikleri, ±5V'luk geniş bir voltaj aralığında, oda sıcaklığında hem karanlıkta hem de 100 mW/cm2 ışık şiddeti altında gerçekleştirilen I-V ve C-V ölçümleriyle incelendi. Üretilen bu schottky bariyer diyotlarının iletim mekanizmaları (CM), I-V karakteristikleri aracılığıyla hem termiyonik emisyon (TE) hem de Cheung yöntemleri kullanılarak araştırıldı. Arayüzey durumlarının (Nss) enerjiye bağlı (Ec-Ess) dağılım profili, Card ve Rhoderick yöntemi kullanılarak elde edildi. Tüm bu deneysel bulgular, MPS tipi SBD'nin MS tipi SBD'ye kıyasla üstün performans sergilediğini, daha düşük ideallik faktörü (n), kaçak akım (Io), arayüzey durumları (Nss) ve daha yüksek doğrultma oranı (RR), bariyer yüksekliği (ΦBo) ve ışığa duyarlılık (S) değerleri göstermektedir. Sonuç olarak, daha yüksek ışığa duyarlılık değeri, MPS tipi Au/(ZnO:CeO2:PVP)/n-Si schottky diyotun, güneş pili ve fotodetektör uygulamalarında kullanım için geleneksel MS tipi schottky diyotun etkili bir şekilde yerini alabileceğini göstermektedir.

Özet (Çeviri)

The primary objective of this current thesis is to fabricate metal-semiconductor (MS) type Au/n-Si and metal-polymer-semiconductor (MPS) type Au/(ZnO:CeO2:PVP)/n-Si Schottky barrier diodes (SBDs) on the same n-Si wafer under identical conditions to assess whether the (ZnO:CeO2:PVP) organic interlayer enhances the performance of the MS SBD. For this purpose, CeO2 and ZnO nanostructures were synthesized using ultrasonic-assisted method (UAM) and subsequently analyzed utilizing X-ray diffraction (XRD), ultraviolet-visible (UV-Vis) spectroscopy and Fourier-transform infrared (FTIR) spectroscopy. The average submicron crystallite sizes were determined for CeO2 and ZnO nanostructures employing the Debye-Scherrer method. The Williamson-Hall (WH) method was employed in XRD analysis to estimate crystallite sizes and assess micro-strains within crystal lattices. The optical bandgap for CeO2 and ZnO nanostructures was computed using the Tauc plot method. Subsequently, the electrical properties of the fabricated SBDs were investigated through I-V and C-V measurements conducted over a wide voltage range of ±5V, both in darkness and under 100 mW/cm2 illumination intensity at room temperature. The conduction mechanisms (CMs) of these schottky barrier diodes were explored through I-V characteristics, employing both thermionic emission (TE) and Cheung's methods. The energy-dependent profile of surface states (Nss) was derived using the Card-Rhoderick method. All these experimental findings suggest that the MPS type SBD exhibited superior performance compared to the MS type SBD, showing lower values of ideality factor (n), leakage current (Io), surface states (Nss), and higher values of rectification rate (RR), barrier height (ΦBo) and photosensitivity (S). In conclusion, the higher photosensitivity value suggests that the MPS type Au/(ZnO:CeO2:PVP)/n-Si schottky diode can effectively replace conventional MS type schottky diode for use in solar cell and photodetector applications.

Benzer Tezler

  1. Au/(CeO2:ZnO-katkılı PVP)/n-Si (MPS) schottky yapıların hazırlanması ve elektriksel özelliklerinin geniş bir frekans aralığında incelenmesi

    The fabrication of Au/(CeO2:ZnO-doped PVP)/n-Si (MPS) schottky Structures and investigation of their electrical characteristics in a wide frequency range

    UĞUR ÖZÇELİK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL

  2. Functional metal oxide surfaces: Photocatalytic, self-cleaning andmicro-/nanostructuring applications

    Başlık çevirisi yok

    SALİH VEZİROGLU

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2021

    Metalurji MühendisliğiChristian-Albrechts-Universität zu Kiel

    PROF. DR. FRANZ FAUPEL

    PROF. DR. LORENZ KİENLE

    PROF. DR. JOST ADAM

  3. Quantum mechanical analysis of CO2-ZrO2 interaction and operando FTIR-DRIFTS analysis of WGS on Au- and Pt-based catalysts

    CO2-ZrO2 etkileşiminin kuantum mekanik analizi ile Au ve Pt bazlı WGS katalizörleri üzerinde operando FTIR-DRIFTS analizi

    ALİ UZUN

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2023

    Kimya MühendisliğiBoğaziçi Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET ERHAN AKSOYLU

  4. An experimental study on the effect of metal loading on WGS performance of Au-Re system

    Au-Re sisteminde metal yüklemelerinin WGS performansına etkisi üzerine deneysel çalışma

    BURCU YOĞURTÇU

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Kimya MühendisliğiBoğaziçi Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET ERHAN AKSOYLU

  5. A dft study on interaction between Au, Re and Au-Re surfaces with species involved in wgs reaction

    Au, Re ve Au-Re yüzeylerinin wgs reaksiyonunda varolan atom ve moleküller ile etkileşimi üzerine dft çalışması

    ALİ UZUN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2012

    Kimya MühendisliğiBoğaziçi Üniversitesi

    Kimya Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET ERHAN AKSOYLU