InGaN ve GaN kuantum kuyulu InAlN/GaN yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörlerin elektron iletim özellikleri
Electron transport properties of InGaN and GaN quantum well InAlN/GaN high electron mobility transistor
- Tez No: 396988
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Transistör, Yarı iletkenler, Transistor, Semiconductors
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Bu çalışmada, farklı kalınlıklarda InGaN ve GaN kanal tabakaya sahip In0.17Al0.83N/AlN/In0.1Ga0.9N/GaN ve In0.17Al0.83N/AlN/GaN yüksek elektron hareketlilikli transistör (HEMT) yapılarının elektron iletim özellikleri araştırıldı. Bu amaçla her bir numune için özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri 30-300 K sıcaklık aralığında yapıldı. Ölçümler sonucunda göz önüne alınan yapıların mükemmel bir 2-boyutlu elektron gazı (2DEG) davranışı sergilediği tespit edildi. Bu nedenle iki boyutlu saçılma analizleri yapılarak iletimin gerçekleştiği kuantum kuyu genişliği ve arayüzey bozukluğu parametreleri belirlendi. Ayrıca numunelerin, kanal tabakalarına bağlı olarak 2DEG hareketliğinin nasıl değiştiği ve uygun InGaN kanal tabaka kalınlığı belirlendi. Belirlenen bu parametreler ile daha sonra olası çalışmalar için iyileştirmeler önerildi.
Özet (Çeviri)
In this study, electron transport properties of In0.17Al0.83N/AlN/In0.1Ga0.9N/GaN and In0.17Al0.83N/AlN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures that have InGaN and GaN channel layer in different thickness were investigated. In direction of this purpose, resistivity and Hall effect measurement for each sample were taken at 30-300 K temperature range. In result of measurements, a perfect 2-dimensional electron gas (2DEG) that exhibit behaviour of inspected structures were determined. For this reason, quantum well width and interface roughness parameters that two dimensional conduction occured were determined by making two dimensional scattering analysis. Also, how changed of 2DEG mobility of samples as dependent on channel layer and proper InGaN channel layer thickness were determined. Improvements for then possible work with these determined parameters were suggested.
Benzer Tezler
- Çoklu kuvantum kuyu arkabariyer yapısına sahip AlQN/AlN/GaN-temelli (Q=Ga, In) transistörlerde 2-boyutlu taşıyıcıların özelliklerinin hesaplamalı incelenmesi
Numerical investigation of the 2-dimensional carriers in AlQN/AlN/GaN--based (Q=Ga, In) transistors with multi-quantum well back-barriers
GÖKHAN ATMACA
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Ingan-kuvantum kuyulu AllnN/AlN/(InGaN)/GaN çokluyapılarında elektron iletim özelliklerinin incelenmesi
Investigation of electron transport properties AllnN/AlN/(InGaN)/GaN in multi-structures with InGaN quantum well
GÜLSER KARAKOÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- Elektronik transport mekanizmalarının pulslu ölçüm teknikleri ile incelenmesi
Investigation of the electronic transport mechanisms by using pulsed measurement techniques
SELMAN MUTLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiAnadolu ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ENGİN TIRAŞ
- Nitratlı fonksiyonel malzemelerin (GaN/AlN/alInN/InGaN ) mozaik kusurlarının incelenmesi
Mosaic defect investigation in the functional materials with nitrate (GaN/AlN/alInN/InGaN )
MEHMET TAMER
Doktora
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MUSTAFA KEMAL ÖZTÜRK
- InGaN/GaN çoklu kuantum kuyulu ışık saçan diyotlar
InGaN/GaN multi quantum well leds
SALİH TOLGA BAYRAK
Doktora
Türkçe
2011
Fizik ve Fizik MühendisliğiBalıkesir ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ALİ TEKE