InGaN ve GaN kuantum kuyulu InAlN/GaN yüksek elektron hareketliliğine sahip transistörlerin elektron iletim özellikleri
Electron transport properties of InGaN and GaN quantum well InAlN/GaN high electron mobility transistor
- Tez No: 396988
- Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET KASAP
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2014
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 88
Özet
Bu çalışmada, farklı kalınlıklarda InGaN ve GaN kanal tabakaya sahip In0.17Al0.83N/AlN/In0.1Ga0.9N/GaN ve In0.17Al0.83N/AlN/GaN yüksek elektron hareketlilikli transistör (HEMT) yapılarının elektron iletim özellikleri araştırıldı. Bu amaçla her bir numune için özdirenç ve Hall etkisi ölçümleri 30-300 K sıcaklık aralığında yapıldı. Ölçümler sonucunda göz önüne alınan yapıların mükemmel bir 2-boyutlu elektron gazı (2DEG) davranışı sergilediği tespit edildi. Bu nedenle iki boyutlu saçılma analizleri yapılarak iletimin gerçekleştiği kuantum kuyu genişliği ve arayüzey bozukluğu parametreleri belirlendi. Ayrıca numunelerin, kanal tabakalarına bağlı olarak 2DEG hareketliğinin nasıl değiştiği ve uygun InGaN kanal tabaka kalınlığı belirlendi. Belirlenen bu parametreler ile daha sonra olası çalışmalar için iyileştirmeler önerildi.
Özet (Çeviri)
In this study, electron transport properties of In0.17Al0.83N/AlN/In0.1Ga0.9N/GaN and In0.17Al0.83N/AlN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structures that have InGaN and GaN channel layer in different thickness were investigated. In direction of this purpose, resistivity and Hall effect measurement for each sample were taken at 30-300 K temperature range. In result of measurements, a perfect 2-dimensional electron gas (2DEG) that exhibit behaviour of inspected structures were determined. For this reason, quantum well width and interface roughness parameters that two dimensional conduction occured were determined by making two dimensional scattering analysis. Also, how changed of 2DEG mobility of samples as dependent on channel layer and proper InGaN channel layer thickness were determined. Improvements for then possible work with these determined parameters were suggested.
Benzer Tezler
- Çoklu kuvantum kuyu arkabariyer yapısına sahip AlQN/AlN/GaN-temelli (Q=Ga, In) transistörlerde 2-boyutlu taşıyıcıların özelliklerinin hesaplamalı incelenmesi
Numerical investigation of the 2-dimensional carriers in AlQN/AlN/GaN--based (Q=Ga, In) transistors with multi-quantum well back-barriers
GÖKHAN ATMACA
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. DOÇ. DR. SEFER BORA LİŞESİVDİN
- III-V nitrür bileşik yarıiletkenlerin: Nanoyapılarının ve aygıt uygulamalarının incelenmesi
Investigation of III-V nitride compound semiconductors: nanostructures and device applications
AHMET EMRE KASAPOĞLU
Doktora
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. EMRE GÜR
- GaAsP/GaAs ve InGaN/GaN p-n eklem yapılarının optik ve yapısal özelliklerinin incelenmesi
The investigation of optical and structural properties of GaAsP/GaAs and InGaN/GaN p-n junction structures
SAİME ŞEBNEM ÇETİN
Doktora
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- GaN/InGaN tabanlı LED çip fabrikasyonu ve karakterizasyonu
Fabrication and characterization of GaN/InGaN based light emitting diodes (LEDs)
MUHAMMET SIDDIYK GENÇ
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiBursa Teknik Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. DENİZ UZUNSOY
PROF. DR. ATİLLA AYDINLI
- Geniş yasak enerji aralıklı sıcak elektron lazer ve ışın yayıcı yarıiletken hetero-yapılar
Wide band gap hot electron lasing and light emission in semiconductor heterostructures
SELMAN MUTLU
Doktora
Türkçe
2020
Fizik ve Fizik MühendisliğiEskişehir Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ENGİN TIRAŞ