Geri Dön

Au/(%1 grafen (GP) katkılı)-Ca1.9Pr0.1Co4Ox/n-Si Schottky engel diyotların hazırlanması ve elektrik ile dielektrik özelliklerinin sıcaklık ve frekansa bağlı incelenmesi

Electrical and dielectric properties of Au/(%1 graphene (GP) doped)-Ca1.9Pr0.1Co4Ox/n-Si Schottky barrier diodes as function of temperature and frequency

  1. Tez No: 449445
  2. Yazar: HAYRİYE GÖKÇEN ÇETİNKAYA
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 113

Özet

Au/(%1GP katkılı-Ca1.9Pr0.1Co4Ox)/n-Si Schottky engel diyotların (SBDs) elektrik ve dielektrik özellikleri, sırasıyla 120-300 K sıcaklık aralığın da 300 kHz' de ve 10kHz-2MHz frekans aralığında oda sıcaklığında incelendi. Deneysel sonuçlar; tüketim tabası genişliği (Wd) ve seri direnci (Rs) değerlerinin oldukça sıcaklığa bağlı olduğu görüldü. Ayrıca dielektrik sabiti ('), dielektrik kayıp (“), kayıp tanjant (tan), elektrik modülüsün reel ve imajiner kısımları (M', M”) ve ac iletkenlik (ac) sıcaklık ve frekansın fonksiyonu olarak incelendi ve oldukça hem frekansa hemde sıcaklığa bağlı olduğu gözlendi. Tüm bu parametreler, kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/w-V) verilerinden faydalanılarak elde edildi. C ve G değerlerindeki frekans ve sıcaklığa bağlı önemli değişiklikler arayüzey durumları (Nss), yapının seri direnci (Rs), arayüzey tabakası ve yüzey polarizasyonuna atfedildi. İleri pozitif voltajlar da dielektrik özelliklerinin düşük frekanslar için açıkça negatif davranış (NC) sergilediği gözlendi. C-V veya '-V eğrilerinde gözlenen anormal pik ve NC davranış özellikle Nss ile Rs nin varlığına ve tuzaktaki yüklerin azalmasına atfedildi. C-V veya '-V eğrilerindeki pik değeri artan frekansla azalırken negatif C ve ' değerleri kaybolmaktadır. Ayrıca yeterince ileri pozitif voltajlarda maksimum G değerleri minumum C değerlerine karşılık gelmektedir. Bu davranış iletkenlik (indüktive) davranışı olarak bilinmektedir.

Özet (Çeviri)

Electrical and dielectric properties of Au/(%1graphene (GP) doped-Ca1.9Pr0.1Co4Ox)/n-Si Schotkky barrier diodes (SBDs) have been investigated by using admittance spectroscopy method within the temperature of 160-300K at 300kHz and frequency range of 10 kHz-2 MHz at room temperature. Experimental results show that the main electrical parameters such as depletion layer width (Wd), series resistance (Rs) of the structure were found a strong function of temperature. In addition, dielectric parameters such as real and imaginary parts of the dielectric constant (ε', ε'') and electric modulus (M' and M"), tan, and ac conductivity (ac) were found a strong function of the temperature and frequency. Experimental results confirmed that both capacitance (C) and conductance (G) values were found strong functions of frequency and voltage especially in the depletion and accumulation regions due to the effect of charges at interface traps, series resistance (Rs) of the structure and surface polarization. Negative capacitance (NC) behavior was also observed in the forward bias C-V and '-V plot at low frequencies (f≤70 kHz) and then starts to disappear. It was found that interfacial polarizations and traps, and series resistance contributed to the negative dielectric. When the values of C begins to decrease as soon as the value of G begins to increase. Such behavior of C and G in the forward bias at low frequencies are a typical inductive behavior as a result of the introduction of more carries in the structure.

Benzer Tezler

  1. Grafen/grafit arayüzlü n-6H SiC tabanlı schottky barrier diyotların elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    Investigation of electrical properties of graphene/graphite based n-6H SiC schottky barrier diodes

    ERCAN ERDOĞDU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MEHMET MAHİR BÜLBÜL

  2. Karboksillenmiş grafen oksit destekli au nanoparçacık temelli non-enzimatik amperometrik glukoz sensörün geliştirilmesi

    Development of non-enzymatic amperometric glucose sensor based on carboxylated graphene oxide supported au nanoparticles

    YUSUF DİLMAÇ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    KimyaVan Yüzüncü Yıl Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DR. ÖĞR. ÜYESİ MUHAMMET GÜLER

  3. Arayüzey tabakası olarak Au/n-InP doğrultucu ekleme yerleştirilen kovalent türevlendirilmiş indirgenmiş grafen oksit ince tabakaların engel parametreleri üzerindeki etkilerinin numune sıcaklığına bağlı olarak incelenmesi

    Examination based on sample temperature of the effects on barrier parameters of covalent derivatized reduced graphene oxide thin layers placed to Au/n-InP rectifier junction as interfacial layer

    BİLGE SALTUKLU AĞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM

  4. Grafen oksit tabanlı, yüzeyde güçlendirilmiş raman saçılması (SERS) cevaplı HIV-1 nanobiyosensörünün hazırlanması, karakterizasyonu ve uygulaması

    Preparation and characterization of graphane oxide based HIV-1 nanobiosensor and surface enhanced raman scattering (SERS) application

    İHSAN AŞIK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    KimyaDumlupınar Üniversitesi

    Kimya Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ZAFER ÜSTÜNDAĞ

  5. Au/p-si/al, au/go/p-si/al ve au/au-rgo/p-si/al yapılarının elektriksel karakteristiklerinin numune sıcaklığına bağlı olarak incelenmesi

    The investigation of the electrical characteristics of au/p-si/al, au/go/p-si/al and au/au-rgo/p-si/al structures depending on sample temperature

    MERVE ODABAŞ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2020

    Fizik ve Fizik MühendisliğiAtatürk Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA SAĞLAM