Geri Dön

Au/(%1 grafen (GP) katkılı)-Ca1.9Pr0.1Co4Ox/n-Si Schottky engel diyotların hazırlanması ve elektrik ile dielektrik özelliklerinin sıcaklık ve frekansa bağlı incelenmesi

Electrical and dielectric properties of Au/(%1 graphene (GP) doped)-Ca1.9Pr0.1Co4Ox/n-Si Schottky barrier diodes as function of temperature and frequency

PDF İndir

  1. Tez No: 449445
  2. Yazar: HAYRİYE GÖKÇEN ÇETİNKAYA
  3. Danışmanlar: PROF. DR. ŞEMSETTİN ALTINDAL
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2015
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.

Özet

Au/(%1GP katkılı-Ca1.9Pr0.1Co4Ox)/n-Si Schottky engel diyotların (SBDs) elektrik ve dielektrik özellikleri, sırasıyla 120-300 K sıcaklık aralığın da 300 kHz' de ve 10kHz-2MHz frekans aralığında oda sıcaklığında incelendi. Deneysel sonuçlar; tüketim tabası genişliği (Wd) ve seri direnci (Rs) değerlerinin oldukça sıcaklığa bağlı olduğu görüldü. Ayrıca dielektrik sabiti ('), dielektrik kayıp (“), kayıp tanjant (tan), elektrik modülüsün reel ve imajiner kısımları (M', M”) ve ac iletkenlik (ac) sıcaklık ve frekansın fonksiyonu olarak incelendi ve oldukça hem frekansa hemde sıcaklığa bağlı olduğu gözlendi. Tüm bu parametreler, kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik voltaj (G/w-V) verilerinden faydalanılarak elde edildi. C ve G değerlerindeki frekans ve sıcaklığa bağlı önemli değişiklikler arayüzey durumları (Nss), yapının seri direnci (Rs), arayüzey tabakası ve yüzey polarizasyonuna atfedildi. İleri pozitif voltajlar da dielektrik özelliklerinin düşük frekanslar için açıkça negatif davranış (NC) sergilediği gözlendi. C-V veya '-V eğrilerinde gözlenen anormal pik ve NC davranış özellikle Nss ile Rs nin varlığına ve tuzaktaki yüklerin azalmasına atfedildi. C-V veya '-V eğrilerindeki pik değeri artan frekansla azalırken negatif C ve ' değerleri kaybolmaktadır. Ayrıca yeterince ileri pozitif voltajlarda maksimum G değerleri minumum C değerlerine karşılık gelmektedir. Bu davranış iletkenlik (indüktive) davranışı olarak bilinmektedir.

Özet (Çeviri)

Electrical and dielectric properties of Au/(%1graphene (GP) doped-Ca1.9Pr0.1Co4Ox)/n-Si Schotkky barrier diodes (SBDs) have been investigated by using admittance spectroscopy method within the temperature of 160-300K at 300kHz and frequency range of 10 kHz-2 MHz at room temperature. Experimental results show that the main electrical parameters such as depletion layer width (Wd), series resistance (Rs) of the structure were found a strong function of temperature. In addition, dielectric parameters such as real and imaginary parts of the dielectric constant (ε', ε'') and electric modulus (M' and M"), tan, and ac conductivity (ac) were found a strong function of the temperature and frequency. Experimental results confirmed that both capacitance (C) and conductance (G) values were found strong functions of frequency and voltage especially in the depletion and accumulation regions due to the effect of charges at interface traps, series resistance (Rs) of the structure and surface polarization. Negative capacitance (NC) behavior was also observed in the forward bias C-V and '-V plot at low frequencies (f≤70 kHz) and then starts to disappear. It was found that interfacial polarizations and traps, and series resistance contributed to the negative dielectric. When the values of C begins to decrease as soon as the value of G begins to increase. Such behavior of C and G in the forward bias at low frequencies are a typical inductive behavior as a result of the introduction of more carries in the structure.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    784977

    Al/p-Si arayüzeyinde farklı oranlarda grafen katkılanmış PVA bulunan yapının frekansa bağlı elektrik ve dielektrik özellikleri

    Frequency dependent electrical and dielectric properties of the structure with different ratios of graphene-doped PVAat the Al/p-Si interface

    MERVE YÜREKLİ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiSüleyman Demirel Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. AHMET FARUK ÖZDEMİR

  2. Tez No

    142597

    Yeni Cami'nin akustik açıdan performans değerlendirmesi

    Evaluation of the acoustical performance of the New Mosque

    EVREN YILDIRIM

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2003

    Mimarlıkİstanbul Teknik Üniversitesi

    Mimarlık Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEVTAP YILMAZ DEMİRKALE

  3. Tez No

    956351

    Bacillus amyloliquefaciens'ten kitinaz enziminin eldesi: İmmobilizasyon ve bazı depo hastalık ve zararlılarının biyokontrolünde kullanım potansiyelinin ortaya çıkarılması

    Production of chitinase enzyme from Bacillus amyloliquefaciens: Immobilization and uncovering its potential for use in biocontrol of some storage diseases and pests

    SEVDA UÇAR

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2025

    ZiraatSivas Bilim ve Teknoloji Üniversitesi

    Bitkisel Üretim ve Teknolojileri Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. KAĞAN KÖKTEN

    PROF. DR. NESLİHAN DİKBAŞ

  4. Tez No

    39337

    Kafes kirişlerinin sehim ve atalet momenti üzerine bir etüt

    A study on the deformation and the inertia of the truss beams

    MEHMET ZEKİ ÖZYURT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    1993

    İnşaat Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    PROF. DR. HALİT DEMİR

  5. Tez No

    995670

    Ideals generated by quadratic binomials, hibi relations and polyominoes

    Ikinci dereceden binomlar tarafindan üretilen idealler, hibi iliskileri ve poliominolar

    AYESHA ASLOOB QURESHİ

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2007

    MatematikGovernment College Unıversıty Lahore

    Matematik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. JÜRGEN HERZOG

Geri Dön