Au/P3HT/n-Si (MPS) Schottky engel diyotların elektriksel ve dielektrik özelliklerinin frekansa sıcaklığa ve aydınlatma şiddetine bağlı incelenmesi

Investigation of electrical and dielectric characteristics of Au/P3HT/n-Si (MPS) Schottky barrier diodes depending on frequency, temperature and illumination intensity

PDF İndir

Tez No: 449473
Yazar: ESRA YÜKSELTÜRK
Danışmanlar: PROF. DR. MEHMET MAHİR BÜLBÜL
Tez Türü: Doktora
Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
Yıl: 2016
Dil: Türkçe
Üniversite: Gazi Üniversitesi
Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
Sayfa Sayısı: 174

Özet

Au/P3HT/n-Si (MPS) Schottky engel diyotların (SBD) elektriksel özellikleri, akım-voltaj (I-V), kapasitans- voltaj (C-V) ve iletkenlik- voltaj (G/-V) ölçümleri kullanılarak geniş bir frekans ve sıcaklık aralığında incelendi. Doğru öngerilim I-V ölçümlerinden; Au/P3HT/n-Si (MPS) SBD'nun ters-beslem doyma akımı (Io), idealite faktörü (n), sıfır-beslem engel yüksekliği (Bo), seri ve kısa devre dirençleri (Rs ve Rsh) sıcaklığın fonksiyonu olarak elde edildi. Ayrıca ara yüzey durumlarının dağılım profili (Nss); engel yüksekliği ve idealite faktörünün voltaja bağlı değişimi ve diyotun seri direnci dikkate alınarak tüm sıcaklıklar için elde edildi. Frekansa ve sıcaklığa bağlı C-V ve G/ω-V ölçümlerinden; difüzyon potansiyeli (VD), fermi enerjisi (EF), tüketim tabakasının genişliği (WD) ve engel yükseliği (B (C-V)) gibi temel diyot parametreleri elde edildi. Au/P3HT/n-Si (MPS) SBD'nun sıcaklığa bağlı C-V ölçümleri negatif kapasitans (NC) davranışı göstermiştir. Negatif Kapasitansa sebep olan etkenler incelenmiştir. Au/P3HT/n-Si (MPS) Schottky diyotunun metal ile yarıiletken arasındaki polimer tabaka için dielektrik sabiti ('), dielektrik kayıp (“), kayıp tanjantı (tan) ve ac elektrik iletkenlik (ac) ile reel ve imajiner elektrik modülü (' and ”) gibi dielektrik özellikleri geniş bir frekans ve sıcaklık aralığında C-V ve G/-V ölçümleri kullanılarak incelendi. ', “, tanac ve ' ve ”değerlerinin frekans ve sıcaklığa oldukça bağlı olduğu gösterildi. Ayrıca, Au/P3HT/n-Si (MPS) Schottky diyotunun I-V karakteristikleri hem karanlık hem de farklı aydınlatma şiddetleri (0-250 W) altında oda sıcaklığında elde edildi. Aydınlatma şiddetine bağlı olarak deneysel I-V ölçümlerinden de Io, n, Bo, Rs, Rsh ve Nss gibi temel diyot parametreleri hesaplandı. Elde edilen deneysel sonuçlar mevcut literatür ile kıyaslamalı olarak incelendi.

Özet (Çeviri)

The electrical characteristics of Au/P3HT/n-Si (MPS) Schottky barrier diode (SBD) have been investigated by current-voltage (I-V), capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/-V) measurements in the wide range of frequency and temperature. The temperature dependent electrical parameters such as reverse-bias saturation current (Io), ideality factor (n), barrier height (B), series and shunt resistance (RS and Rsh) of Au/P3HT/n-Si (MPS) SBD have been investigated by using the forward and reverse bias current-voltage (I-V). The frequency and temperature dependent electrical properties of the Au/P3HT/n-Si (MPS) Schottky barrier diode have been investigated using C-V and G/-V measurements. The frequency and temperature dependence of electrical characteristics, such as diffusion potential (VD), fermi energy (EF), depletion layer width (WD) and barrier height (B(C-V)) were obtained. Temperature dependent capacitance-voltage (C-V) measurements of Au/P3HT/n-Si (MPS) Schottky barrier diode (SBD) showed negative capacitance (NC) behavior. The reasons of NC behavior were investigated. The frequency and temperature dependent dielectrical properties such as dielectric constant ('), dielectric loss (“), dielectric loss tangent (tan), ac electrical conductance (ac) and real and imaginary part of electric modulus (' and ”) of the Au/P3HT/n-Si (MPS) SBD have been investigated using C-V and G/-V measurements. The experimental results show that the ', “, tanac, ' and ”values were found a strong function of frequency and temperature. Also, the illumination dependence of the experimental I-V characteristics of the Au/P3HT/n-Si SBD was obtained from the measurements for both darkness and different illumination intensities (0-250 W) at room temperature. The values of I0, n, ΦBo, Rs, Rsh and Nss were also calculated, dependending on illumination intensity. Experimental results were compared with literature.

Benzer Tezler

Tez No
379782
Au/P3HT:PCBM:F4-TCNQ/n-Si schottky bariyer diyotların oda sıcaklığında elektriksel karakterizasyonu
Electrical characterization of Au/P3HT:PCBM:F4-TCNQ/n-Si schottky barrier diodes at room temperature
ENGİN YAĞLIOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik Mühendisliği Düzce Üniversitesi
Fizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ÖZGE TÜZÜN ÖZMEN
Tez No
473070
Au/P3HT:PCBM/N-Si Schottky bariyer diyotların elektrik ve dielektrik özelliklerinin analizi
Analysis of electric and dielectric properties of Au/P3HT:PCBM/N-Si Schottky barrier diodes
SERPİL KARASU
Yüksek Lisans
Türkçe
2017
Fizik ve Fizik Mühendisliği Düzce Üniversitesi
Fizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÖZGE TÜZÜN ÖZMEN
Tez No
607352
AU/P3HT:F4-TCNQ/N-Sİ Schottky bariyer diyotların F4-TCNQ konsantrasyonuna bağlı C-V ve G/w-V karakteristiklerinin incelebnmesi
The analysis of f4-tcnq concertration dependentc-v and G/w-V characteristics of AU/P3HT:F4-TCNQ/N-Sİ Schottky barrier diodes
ASLIHAN DANACI
Yüksek Lisans
İngilizce
2019
Fizik ve Fizik Mühendisliği Düzce Üniversitesi
Kompozit Malzeme Teknolojileri Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÖZGE TÜZÜN ÖZMEN
Tez No
523064
Polimer arayüzey kullanılarak hazırlanan Au/P3HT:F4-TCNQ/n-Si Schottky bariyer diyotun frekansa bağlı elektrik ve dielektrik özelliklerinin incelenmesi
The investigation of frequency dependent electric and dielectric properties of Au/P3HT:F4-TCNQ/n-Si Schottky barrier diode prepared by using polymer interface layer
AYNUR ÖZTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2018
Fizik ve Fizik Mühendisliği Düzce Üniversitesi
Fizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ÖZGE TÜZÜN ÖZMEN
Tez No
382265
Si yarıiletkeni üzerine iletken polimer kaplanarak oluşturulmuş schottky diyotların özelliklerinin incelenmesi
Investigation of the properti̇es of schottky diodes fabri̇cated by coati̇ng a conducti̇ve polymer on si̇li̇con semi̇conductor
AHMAD ASİMOV
Doktora
Türkçe
2014
Fizik ve Fizik Mühendisliği Uludağ Üniversitesi
Fizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MUHİTDİN AHMETOĞLU

Geri Dön