Geri Dön

SiC altlıklı tek tabaka grafenin 1.8 MeV enerjili proton radyasyonuna maruz bırakılması işleminin SRIM Monte Carlo Kodu kullanılarak modellenmesi ve meydana gelen etkilerin incelenmesi

Modelling of 1.8 MeV energetic proton irradiation of Monolayer Graphene Grown on SiC By The Use of SRIM Monte Carlo Code and investigation of its generated effects

  1. Tez No: 450584
  2. Yazar: NAHİDE KARABULUT
  3. Danışmanlar: YRD. DOÇ. DR. HATUN KORKUT
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Nükleer Mühendislik, Nuclear Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2016
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Sinop Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Disiplinlerarası Nükleer Enerji ve Enerji Sistemleri Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 92

Özet

Grafen, karbon atomlarının tek tabaka halinde dizilerek bal peteği formunda oluşturduğu iki boyutlu bir malzemedir. Elektriği ve ısıyı çok iyi iletmektedir. Çok dayanıklı bir malzeme olmasına karşın oldukça esnektir, özelliklerini kaybetmeden rahatlıkla eğilip bükülebilir. Sahip olduğu bu özelliklerinden dolayı çok dikkat çekici bir malzeme olan grafen son zamanlarda üzerinde en çok çalışılan yarıiletken malzemelerin başında gelmektedir. Yapılan çalışmalar onun özelliklerinin daha iyi analiz edilebilmesini ve sentezlenebilmesini amaçlamaktadır. Bunların yanı sıra grafenin radyasyona gösterdiği tepki merak konusudur. Bu çalışmada SRIM (madde içindeki iyonların durdurulması ve dizilimi) Monte Carlo programını kullanarak SiC yarıiletkeni üzerine büyütülmüş 4.5 μm kalınlıklı tek tabaka grafene 1.8 MeV enerjiye sahip proton radyasyonu gönderilerek onun bu radyasyondan nasıl etkilendiği incelendi. Proton-grafen/SiC etkileşimleri ile ilgili atom dağılımları, iyon dağılımları, hedef iyonizasyonları, fononlar ve hasar durumları gibi bazı parametreler incelendi.

Özet (Çeviri)

Graphene is a two-dimensional material in the form of honey combs created by arranged in a single layer of carbon atoms. It excellently conducts electricity and heat. Although it is a very durable material, it is very flexible. It can be squirmed easily without losing its properties. Graphene, which is the remarkable material, is one of the most studied semiconductor because of these characteristics, recently. Conducted researches aim to better analyzing and synthesising of its properties. In addition to all these properties, graphene's reaction to radiation is also object of interest. Effects of 1.8 MeV proton radiation to 4.5 mm thickness monolayer graphene on the SiC substrate were investigated by SRIM (stopping and range of ions in matter) Monte Carlo programme. Regarding that proton-graphene/SiC interactions several parameters were given such atom distrubutions, ion distrubutions, target ionization, phonons and damage events were simulated.

Benzer Tezler

  1. SiC preform üretimi

    Production of SiC preforms

    GÜNEŞ RIZA TANDOĞAN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Metalurji MühendisliğiYıldız Teknik Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. NİLGÜN KUŞKONMAZ

  2. SiC/B4C takviyeli metal matriks kompozit üretimi ve mekanik özelliklerinin incelenmesi

    Manufacturing of SiC/B4C reinforced metal matrix composites and investigation of mechanical properties

    UĞUR SOY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Metalurji MühendisliğiSakarya Üniversitesi

    Metal Eğitimi Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. ADEM DEMİR

  3. SİC ve grafen takviyeli AL6061 matrisli hibrit kompozitlerin mekanik ve tribolojik özelliklerinin araştırılması

    Investigation of mechanical and tribological properties of SIC and graphene reinforced AL6061 matrix hybrid composites

    CANBERK SÖVÜT

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2024

    Makine MühendisliğiOndokuz Mayıs Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MAHMUT CAN ŞENEL

  4. Investigation of structural and electrical caracterisation of Sc2O3 dielectric layer in SiC base MOS technology

    SiC tabanlı MOS teknolojilerinde Sc2O3 dielektrik tabakanın yapısal ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    NZIENGUI NZIENGUI DARIUS

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2025

    Fizik ve Fizik MühendisliğiBolu Abant İzzet Baysal Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CABİR TERZİOĞLU

    DOÇ. DR. ŞENOL KAYA

  5. SIC ve WC takviyeli kompozit kaplamalarin Nd: YAG lazeriyle geliştirilmesi ve karakterizasyonu

    The development and characterization of SIC and WC reinforced composite coatings with Nd: YAG laser

    SAMET ŞEN

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2019

    Metalurji MühendisliğiManisa Celal Bayar Üniversitesi

    Metalurji ve Malzeme Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. HÜLYA DURMUŞ