MOS kapasitörün elektriksel özellikleri üzerine gama radyasyonun etkileri
The effects of gamma radiation on the electrical properties of MOS capacitor
- Tez No: 450667
- Danışmanlar: DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2015
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 49
Özet
Bu çalışmada, Au/SnO2/n-Si (MOS) kapasitörün elektriksel özellikleri üzerine gama radyasyonun etkileri araştırıldı. MOS kapasitörün gama radyasyonundan önce ve sonra kapasitans-voltaj (C-V) ve iletkenlik-voltaj (G/ω-V) ölçümleri, sırasıyla 1 kHz - 1 MHz frekans ve 0-100 kGy radyasyon doz aralığında gerçekleştirildi. Deneysel sonuçlar kapasitörün kapasitans ve iletkenlik değerlerinin artan frekans ve radyasyon dozu ile azaldığını gösterdi. Ayrıca, arayüzey durumları (Nss) ve seri direnç (Rs) değerleri bu ölçümler kullanılarak belirlendi. Seri direnç değerleri, radyasyonun oluşturduğu tuzak yüklerinin sonucu olarak artan radyasyon dozu ile artmaktadır. Arayüzey durumlarının değeri oksit-yarıiletken arayüzeyindeki rekombinasyon merkezlerinin sayısındaki azalma nedeniyle artan radyasyon dozu ile azalmaktadır. Elde edilen sonuçlar MOS kapasitörün elektriksel özelliklerinin gama radyasyonuna bağlı olduğunu göstermiştir.
Özet (Çeviri)
In this work, the effects of gamma radiation on the electrical characteristics of metal-oxide-semiconductor (MOS) capacitors were investigated. The capacitance-voltage (C-V) and conductance-voltage (G/ω-V) measurements of Au/SnO2/n-Si (MOS) capacitor before and after exposure to gamma radiation were carried out in the frequency range of 1 kHz-1 MHz and in a total radiation dose range of 0-100 kGy, respectively. Experimental results show that capacitance and conductance values of the capacitor decrease with the increasing frequency and radiation dose. Also, the values of the interface states (Nss) and series resistance (Rs) were determined by using these measurements. The values of series resistance increase with the increasing radiation dose as a result of radiation-generated trapped charges. The values of interface states decrease with the increase in radiation dose due to the decrease in the number of recombination centers at oxide/semiconductor. The obtained results indicate that the electrical characteristics of the MOS capacitor depend on gamma radiation.
Benzer Tezler
- Bükülebilir Al/Al2O3/ZnSe metal oksit yarı iletken aygıtın üretimi, yapısal, optik ve elektriksel karakterizasyonu
Production of flexible Al/Al2O3/ZnSe metal oxide semiconductor device and its structural, optical and electrical characterization
HALİL GÜRSOY
Yüksek Lisans
Türkçe
2022
Fizik ve Fizik MühendisliğiYıldız Teknik ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. MURAT ÇALIŞKAN
- Capacitance voltage spectroscopy in metal-tantalum pentoxide (Ta250)-silicon MOS capacitors
Metal-tantalyum pentoksit (Ta250)-silisyum MOS kapasitörlerin kapasite-gerilim tekniğiyle incelenmesi
PINAR ÖZDAĞ
Yüksek Lisans
İngilizce
2005
Fizik ve Fizik Mühendisliğiİzmir Yüksek Teknoloji EnstitüsüFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ.DR. MEHMET GÜNEŞ
- Au/SnO2/p-InP (Mos) kapasitörün elektrik ve dielektriközelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi
Investigation of frequency-dependent electrical and dielectric properties of Au/SnO2/p-InP (Mos) capacitor
ÖNDER GÜNGÖR
Yüksek Lisans
Türkçe
2024
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. ADEM TATAROĞLU
- Gözenekli silisyum/organik yarıiletken eklemlerin fiziksel özelliklerinin incelenmesi
Investigation of physical properties of porous silicon/organic semiconductor junction
ORHAN ŞENTÜRK
Yüksek Lisans
Türkçe
2023
Fizik ve Fizik MühendisliğiBursa Uludağ ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SERTAN KEMAL AKAY
DOÇ. DR. SÜREYYA AYDIN YÜKSEL
- AuGe/SiO2/p-Si/AuGe (MOS) kapasitörün elektrik ve dielektrik özelliklerinin incelenmesi
Investigated of electric and dielectric properties of AuGe/SiO2/p-Si/AuGe (MOS) capacitor
AYSEL BÜYÜKBAŞ
Yüksek Lisans
Türkçe
2015
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU