Au/SnO2/p-InP (Mos) kapasitörün elektrik ve dielektriközelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi
Investigation of frequency-dependent electrical and dielectric properties of Au/SnO2/p-InP (Mos) capacitor
- Tez No: 884720
- Danışmanlar: PROF. DR. ADEM TATAROĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: 83
Özet
Metal-oksit-yarıiletken (MOS) temelli yapılar, elektronik cihazlarda MOS kapasitör, MOS alan etkili transistör ve MOS sensör gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. Bu çalışmada, Au/SnO2/p-InP (MOS) kondansatörü hazırlanmış ve kapasitans (C) ve iletkenlik (G) içeren giriş (Y=G+iωC) ölçümleri kullanılarak elektriksel ve dielektrik özellikleri analiz edilmiştir. Bu ölçümler 1 kHz ile 1 MHz arasındaki frekans aralığında ve oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Bu sonuç arayüz durumlarının frekans bağımlılığı ile ilgilidir. Kompleks dielektrik geçirgenliğin (*), kompleks elektrik modülüsün (M*) ve kompleks empedansın (Z*) reel ve imajiner kısımlarının yanı sıra ac elektrik iletkenlik (σac) ölçülen C ve G/ω verileri kullanılarak hesaplandı. Frekans arttıkça dielektrik sabitinin (ε′) ve dielektrik kaybın (ε″) azaldığı, ac iletkenliğin arttığı görüldü. ε' ve ε″'nün frekansla değişimi polarizasyon mekanizmalarıyla açıklanabilir. Düşük frekanslarda ε' ve ε″'nün yüksek değeri uzay yükü polarizasyonundan ileri gelmektedir. Daha yüksek frekanslarda yük taşıyıcılarının sıçramasının artması iletkenliğin artmasına katkıda bulunur. Ayrıca, elektriksel modülüs ve empedans frekansın fonksiyonu olarak elde edildi. Sonuç olarak, hazırlanan MOS kapasitörün elektrik yüklerini depolayan bir devre elemanı olarak kullanılabileceği görülmüştür.
Özet (Çeviri)
The metal-oxide semiconductor (MOS)-based structures are used in applications such as MOS capacitor, MOS field-effect transistor and MOS sensor in electronic devices. In this study, the Au/SnO2/p-InP (MOS) capacitor was prepared and its electrical and dielectric characteristics were analyzed by using admittance (Y=G+iωC) measurements, containing capacitance (C) and conductance (G/ω). These measurements were performed in the frequency range between 1 kHz and 1 MHz and at room temperature. The value of C and G/ω of the MOS capacitor is decreased with increase in frequency. This result is related to the frequency dependence of interface states. The real and imaginary parts of complex dielectric permittivity (*), complex electric modulus (M*) and complex impedance (Z*), and as well as ac electrical conductivity (σac) were calculated using the measured C and G/ω data. It was seen that the dielectric constant (ε′) and dielectric loss (ε″) decreased with increasing frequency and the ac conductivity increased. Variation of ε′ and ε″ with frequency can be explained on the basis of polarization mechanisms. The high value of ε' and ε″ at low frequencies comes from space charge polarization. Increased hopping of charge carriers at higher frequencies contributes to increase of conductivity. Besides, electrical modulus and impedance were obtained as functions of frequency. As a result, it has been seen that the prepared MOS capacitor can be used as a circuit element that stores electrical charges.
Benzer Tezler
- Zein or gelatin nanofibers loaded with au nanospheres, SnO2 or black elderberry extract used as active and smart packaging layers for various fish fillets
Altın nanokürecikleri, SnO2 veya kara mürver ekstresi ile yüklenen zein ve jelatin nanoliflerinin farklı balık filetoları için aktif ve akıllı ambalaj katmanı olarak kullanılması
TURGAY ÇETİNKAYA
Doktora
İngilizce
2022
Gıda Mühendisliğiİstanbul Teknik ÜniversitesiGıda Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. FİLİZ ALTAY
DOÇ. DR. ZAFER CEYLAN
- Development of dopant-free hole transport and passivation materials for high-performance perovskite solar cells
Yüksek performanslı perovskit güneş hücreleri için dopant gerektirmeyen boşluk geçirgen ve pasivasyon malzemelerinin geliştirilmesi
FİGEN VARLIOĞLU YAYLALI
Doktora
İngilizce
2023
Polimer Bilim ve TeknolojisiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiPolimer Bilim ve Teknolojisi Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. EMRULLAH GÖRKEM GÜNBAŞ
PROF. DR. HÜSNÜ EMRAH ÜNALAN
- Au/SnO2/n-Si/Au schottky diyotlarda akım-gerilim karakteristikleri üzerine gama radyasyonunun etkisi
Effect of gamma radiation on current-voltage characteristics in Au/SnO2/n-Si/Au schottky diodes
FATİME DUYGU AKGÜL
Yüksek Lisans
Türkçe
2021
EnerjiGiresun ÜniversitesiEnerji Sistemleri Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. NİHAT TUĞLUOĞLU
- MIS yapıların dielektrik özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigetion of frequency and temperature dependence of dielectric properties of MIS structures
HİLAL ERBAŞ ARAL
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ADEM TATAROĞLU
- Metal-yalıtkan-yarıiletken yapıların elektriksel özelliklerinin frekans ve sıcaklığa bağlı incelenmesi
The investigetion of frequency and temperature dependence of electrical properties of metal-insulator-semiconductor structures
FARUK KİRAZOĞLU
Yüksek Lisans
Türkçe
2010
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. ADNAN TATAROĞLU