Au/SnO2/p-InP (Mos) kapasitörün elektrik ve dielektriközelliklerinin frekansa bağlı incelenmesi
Investigation of frequency-dependent electrical and dielectric properties of Au/SnO2/p-InP (Mos) capacitor
- Tez No: 884720
- Danışmanlar: PROF. DR. ADEM TATAROĞLU
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
- Yıl: 2024
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
Metal-oksit-yarıiletken (MOS) temelli yapılar, elektronik cihazlarda MOS kapasitör, MOS alan etkili transistör ve MOS sensör gibi uygulamalarda kullanılmaktadır. Bu çalışmada, Au/SnO2/p-InP (MOS) kondansatörü hazırlanmış ve kapasitans (C) ve iletkenlik (G) içeren giriş (Y=G+iωC) ölçümleri kullanılarak elektriksel ve dielektrik özellikleri analiz edilmiştir. Bu ölçümler 1 kHz ile 1 MHz arasındaki frekans aralığında ve oda sıcaklığında gerçekleştirildi. Bu sonuç arayüz durumlarının frekans bağımlılığı ile ilgilidir. Kompleks dielektrik geçirgenliğin (*), kompleks elektrik modülüsün (M*) ve kompleks empedansın (Z*) reel ve imajiner kısımlarının yanı sıra ac elektrik iletkenlik (σac) ölçülen C ve G/ω verileri kullanılarak hesaplandı. Frekans arttıkça dielektrik sabitinin (ε′) ve dielektrik kaybın (ε″) azaldığı, ac iletkenliğin arttığı görüldü. ε' ve ε″'nün frekansla değişimi polarizasyon mekanizmalarıyla açıklanabilir. Düşük frekanslarda ε' ve ε″'nün yüksek değeri uzay yükü polarizasyonundan ileri gelmektedir. Daha yüksek frekanslarda yük taşıyıcılarının sıçramasının artması iletkenliğin artmasına katkıda bulunur. Ayrıca, elektriksel modülüs ve empedans frekansın fonksiyonu olarak elde edildi. Sonuç olarak, hazırlanan MOS kapasitörün elektrik yüklerini depolayan bir devre elemanı olarak kullanılabileceği görülmüştür.
Özet (Çeviri)
The metal-oxide semiconductor (MOS)-based structures are used in applications such as MOS capacitor, MOS field-effect transistor and MOS sensor in electronic devices. In this study, the Au/SnO2/p-InP (MOS) capacitor was prepared and its electrical and dielectric characteristics were analyzed by using admittance (Y=G+iωC) measurements, containing capacitance (C) and conductance (G/ω). These measurements were performed in the frequency range between 1 kHz and 1 MHz and at room temperature. The value of C and G/ω of the MOS capacitor is decreased with increase in frequency. This result is related to the frequency dependence of interface states. The real and imaginary parts of complex dielectric permittivity (*), complex electric modulus (M*) and complex impedance (Z*), and as well as ac electrical conductivity (σac) were calculated using the measured C and G/ω data. It was seen that the dielectric constant (ε′) and dielectric loss (ε″) decreased with increasing frequency and the ac conductivity increased. Variation of ε′ and ε″ with frequency can be explained on the basis of polarization mechanisms. The high value of ε' and ε″ at low frequencies comes from space charge polarization. Increased hopping of charge carriers at higher frequencies contributes to increase of conductivity. Besides, electrical modulus and impedance were obtained as functions of frequency. As a result, it has been seen that the prepared MOS capacitor can be used as a circuit element that stores electrical charges.
Benzer Tezler
- Cam ve plastik seraların sonbahar domates üretimi yönünden karşılaştırılması
Başlık çevirisi yok
ERGUN DURAN
- Kuyruk modelleri ve analizi üzerine bir uygulama
Başlık çevirisi yok
DİDEM ÖZPULAT
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
İstatistikEge ÜniversitesiBilgisayar Bilimleri ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. FİKRET İKİZ
- Landsat uydusu aracılığı ile elde edilen görüntülerin sınıflandırılmaları ve bunlara ilişkin bilgisayar programlarının hazırlanması
Başlık çevirisi yok
G. FERZAN KÜÇÜKA
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Bilgisayar Mühendisliği Bilimleri-Bilgisayar ve KontrolEge ÜniversitesiBilgisayar Bilimleri ve Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. HALİS PÜSKÜLCÜ
- Dokuma kumaşlarda örgü tipinin ham kumaşın boyutları ve geometrik özellikleri üzerindeki etkilerinin araştırılması
Başlık çevirisi yok
EMEL ÖNDER
Yüksek Lisans
Türkçe
1985
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
DOÇ. DR. GÜNGÖR BAŞER
- Ege bölgesi keçi liflerinin bazı önemli fiziksel, kimyasal özellikleri ve değerlendirme imkanları
Başlık çevirisi yok
NİLÜFER ERDEM
Doktora
Türkçe
1985
Tekstil ve Tekstil MühendisliğiEge ÜniversitesiTekstil Mühendisliği Ana Bilim Dalı
PROF. DR. GÜLSEREN YAZICIOĞLU