Geri Dön

InxGa1-xAs/InyAl1-yAs tabanlı kuantum çağlayan lazer yapılarının büyütülmesi ve karakterizasyonu

Growth and characterization of InxGa1-xAs/InyAl1-yAs based quantum cascade laser structures

PDF İndir

  1. Tez No: 457695
  2. Yazar: İLKAY DEMİR
  3. Danışmanlar: PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
  4. Tez Türü: Doktora
  5. Konular: Elektrik ve Elektronik Mühendisliği, Fizik ve Fizik Mühendisliği, Electrical and Electronics Engineering, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Cumhuriyet Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 228

Özet

Bu çalışmada Metal Organik Kimyasal Buhar Depolama (MOCVD) tekniği kullanılarak InxGa1-xAs/InyAl1-yAs tabanlı kuantum çağlayan lazer yapıları epitaksiyel olarak büyütmüş ve detaylı karakterizasyonları yapılmıştır. Yapılan çalışmalarda InP alttaşa örgü uyumlu ve örgü uyumsuz-gerilme dengeli olarak tek tabaka InxGa1-xAs ve InyAl1-yAs üçlü alaşımları optimize edilerek büyütülmüştür. Optimizasyon aşamasında sıcaklık, V/III oranı, büyüme oranı vb. birçok büyütme parametresi göz önüne alınmıştır. Daha sonra, tüm tek tabakalar n-tipi katkılanarak maksimum mobilite elde edilecek şekilde büyütülmüştür. Tek tabaka büyütme ve optimizasyonundan sonra tabakaların süperörgü yapıları içindeki kalınlık ve büyüme oranı yüksek çözünürlüklü X-ışını kırınımı (HRXRD) ölçümleri ile geliştirilen teknik yardımıyla çok hassas bir biçimde belirlenmiştir. Ayrıca kuantum çağlayan lazer yapısının aktif bölgesi büyütülürken tabakalar arası geçişte bekleme süresinin etkileri detaylı bir şekilde incelenmiştir. Sonuç olarak örgü uyumsuz ve gerilme dengeli yapılar ile kısa (4µm) kızılötesi bölgede, örgü uyumlu yapılar ile de orta kızılötesi (10µm) bölgede ışınım yapacak kuantum çağlayan lazer yapıları MOCVD tekniği ile başarılı bir şekilde büyütülmüştür.

Özet (Çeviri)

In this study, InxGa1-xAs/InyAl1-yAs based quantum cascade laser structures were grown epitaxially by means of Metal Organic Chemical Vapor Deposition technique and they were characterized in detail. Single layer ternary alloys of InxGa1-xAs and InyAl1-yAs were grown with optimized parameters as lattice matched and lattice mismatched. During the optimization, growth parameters such as temperature, V/III ratio, growth rate etc were considered. Then all single layers were doped as an n-type to have maximum mobility. After the growth and optimization of single layers, thickness and growth rate of the layers in the structure were determined very precisely by the technique which was developed by means of high resolution X-ray diffraction measurements with growing superlattices. Additionally, interruption time effects were investigated during the growth of active region of quantum cascade lasers As a conclusion, shortwave (4µm) infrared region quantum cascade lasers were grown by lattice mismatch and strain balanced layers, midwave (10µm) infrared region quantum cascade lasers were grown by lattice matched layers by means of MOCVD technique successfully.

Benzer Tezler

  1. Tez No

    779298

    Örgü uyumsuz (x≠0.53, y≠0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs kuantum heteroyapılarının movpe ile büyütülmesi ve optik karakterizasyonu

    Growth and optical characterization of lattice mismatch (x≠0.53, y≠0.52) InxGa1-xAs/InyAl1-yAs quantum heterostructures by movpe

    İZEL PERKİTEL

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Bilim ve TeknolojiSivas Cumhuriyet Üniversitesi

    Nanoteknoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. İLKAY DEMİR

    PROF. DR. YÜKSEL ERGÜN

  2. Tez No

    619827

    Identification and characterization of traps in InGaAs short wavelength infrared photodetectors by deep level transient spectroscopy

    InGaAs kısa dalgaboyu kızılötesi fotodedektörlerdeki tuzakların derin seviye geçici spektroskopi yöntemiyle belirlenmesi ve karakterizasyonu

    NARDIN AVISHAN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2016

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. CENGİZ BEŞİKCİ

  3. Tez No

    245626

    InxGa1-xAs / GaAs çoklu kuantum kuyu yapısının mbe tekniği ile büyütülmesi: Yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

    The growth of InxGa1-xAs / GaAs multi quantum well structure with mbe technique: The investigation of the structural, optical and electrical properties

    BARIŞ KINACI

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2009

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Bölümü

    YRD.DOÇ.DR. MEHMET BAHAT

  4. Tez No

    166075

    InxGa1-xAs(GaAs (x=0,15) süperörgüsünün MBE ile büyütülmesi ve elektriksel-yapısal özelliklerinin belirlenmesi

    Determination of electrical and structural properties of InxGa1-xAs(GaAs (x=0,15) superlattice grown by MBE

    BEYZA SARIKAVAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

  5. Tez No

    354389

    GaAs/InxGa1-xAs kuantum kuyularının elektronik enerji spektrumu

    GaAs/ InxGa1-xAs quantum wells electronic energy spectrum

    MEHMET ALİ TOPRAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

Geri Dön