InxGa1-xAs(GaAs (x=0,15) süperörgüsünün MBE ile büyütülmesi ve elektriksel-yapısal özelliklerinin belirlenmesi
Determination of electrical and structural properties of InxGa1-xAs(GaAs (x=0,15) superlattice grown by MBE
- Tez No: 166075
- Danışmanlar: PROF.DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK
- Tez Türü: Yüksek Lisans
- Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
- Anahtar Kelimeler: MBE, InGaAs, süperörgü, XRD, seri direnç, arayüzey durumları, sıcaklığa bağlılık, MBE, XRD, InGaAs, superlattices, series resistance, interface states, temperature dependent
- Yıl: 2005
- Dil: Türkçe
- Üniversite: Gazi Üniversitesi
- Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
- Ana Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
- Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
- Sayfa Sayısı: Belirtilmemiş.
Özet
m InxGa1-xAs / GaAs (x=0,15) SÜPERÖRGÜSUNUN MBE İLE BÜYÜTÜLMESİ VE ELEKTRİKSEL - YAPISAL ÖZELLİKLERİNİN BELİRLENMESİ (Yüksek Lisans Tezi) Beyza SARIKAVAK GAZİ ÜNİVERSİTESİ FEN BİLİMLERİ ENSTİTÜSÜ Temmuz 2005 ÖZET Yüksek kaliteli InxGaı.xAs/GaAs süperörgüsü (SL) x=0,15 için V80H-MBE sistemi ile 560 C de büyütüldü. Büyütülen numune toplam 5 periyoda (10 o tabakaya) sahiptir. GaAs tabaka kalınlığı 250 A ve Ino,ısGao,8sAs tabakaları 50 o A ' dur. GaAs büyüme oranı 1 um/saat olarak RHEED kullanılarak ayarlandı. Tabaka kalınlığı ve yapısal analizi X-ışınları difraksiyonu yolu ile belirlendi. Evaporasyon sistemde numunenin alt kısmına bütünüyle, üst tarafına ise noktasal olarak 400°C de Au kontak yapıldı. Diyot yapıları I-V ölçüm metoduyla karakterize edildi. I-V ölçümlerinden idealite faktörü (n), potansiyel engel yüksekliği (tj>B) ve arayüzey durumları belirlendi. C-V, (G/W) -V ölçümlerinden katkı atomlarının yoğunluğu, difüzyon potansiyeli, potansiyel engel yüksekliği (0B), seri direnç (Rs), Fermi enerjisi (Ep) belirlendi. Bilim Kodu : 404.05.01
Özet (Çeviri)
IV DETERMINATION OF ELECTRICAL AND STRUCTURAL PROPERTIES OF InxGalxAs/GaAs (x=0,15) SUPERLATTICE GROWN BY MBE (M.Sc. Thesis) Beyza SARIKAVAK GAZI UNIVERSITY INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY July 2005 ABSTRACT High quality InxGai_xAs / GaAs superlattice x=0,15 has been grown by V80H- MBE system at 560 C. This sample has a total of 10 layers (5 periods) with GaAs layers of ~ 250 A and Ino^sGa^ssAs layers of ~ 50 A. The growth rate of GaAs is 1 fxm I hour and it is arranged by using RHEED. This structure' s layer thicknesses and structural analysis were determined by X - Ray diffraction. Bottom of the sample was wholly contacted with Au at 400 C by evaporation system and the top of the sample is spotty contacted at the same conditions. Diode structures were characterized by I-V measurements. From this measurements the ideality factor (n), barrier height (®B) and interface states (Ngs) were defined. With the help of C-V measurements barrier height (<DB), series Resistance (Rs), Fermi energy (Ep), density of doped atoms, diffusion potential were found. I-V and C-V measurements were made at different temperatures. Science Code : 404.05.01
Benzer Tezler
- Yüksek katkılı InxGa1-xAs alaşım yarıiletkenlerin sıcaklık bağımlı elektriksel özellikleri
Temperature dependent electrical properties of high doped InxGa1-xAs alloy semiconductor
ELİF YAZBAHAR
Yüksek Lisans
Türkçe
2012
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesiİleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı
PROF. DR. MEHMET KASAP
- Electrical characterization of GaInP/InGaAs/GaAs modulation doped field effect transistor structures
GaInP/InGaAs/GaAs modüle katkılı alan etkili transistör yapılarının elektriksel karakterizasyonu
YAVUZ CİVAN
Yüksek Lisans
İngilizce
1998
Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik ÜniversitesiElektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı
YRD. DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ
- GaAs/InxGa1-xAs kuantum kuyularının elektronik enerji spektrumu
GaAs/ InxGa1-xAs quantum wells electronic energy spectrum
MEHMET ALİ TOPRAK
Yüksek Lisans
Türkçe
2013
Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ
- InxGa1-xAs / GaAs çoklu kuantum kuyu yapısının mbe tekniği ile büyütülmesi: Yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi
The growth of InxGa1-xAs / GaAs multi quantum well structure with mbe technique: The investigation of the structural, optical and electrical properties
BARIŞ KINACI
Yüksek Lisans
Türkçe
2009
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Bölümü
YRD.DOÇ.DR. MEHMET BAHAT
- AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini
Optical and structural analysis of AlxGa1-xAs and InxGa1-xN layered semiconductor structures
SABİT KORCAK
Doktora
Türkçe
2007
Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi ÜniversitesiFizik Ana Bilim Dalı
PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK