Geri Dön

InxGa1-xAs / GaAs çoklu kuantum kuyu yapısının mbe tekniği ile büyütülmesi: Yapısal, optik ve elektriksel özelliklerinin incelenmesi

The growth of InxGa1-xAs / GaAs multi quantum well structure with mbe technique: The investigation of the structural, optical and electrical properties

  1. Tez No: 245626
  2. Yazar: BARIŞ KINACI
  3. Danışmanlar: YRD.DOÇ.DR. MEHMET BAHAT
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Fizik ve Fizik Mühendisliği, Physics and Physics Engineering
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2009
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Gazi Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Fizik Bölümü
  12. Bilim Dalı: Fizik Ana Bilim Dalı
  13. Sayfa Sayısı: 85

Özet

Bu çalışmada Semicon VG80H Moleküler Demet Epitaksi sistemi kullanılarak InxGa1-xAs/GaAs çoklu kuantum kuyu yapısı büyütüldü. Büyütülen bu yapının yapısal analizi X-ışını kırınımı yöntemi kullanılarak yapıldı. Elde edilen Rocking eğrileri malzemede yer alan çoklu tabakaların ara yüzey pürüzlülüğünün az olduğunu ve tabakaların homojen olarak büyütüldüğü gözlendi. Yapının sıcaklığa bağlı optiksel analizi Fotolüminesans yöntemi ile yapıldı. Oda sıcaklığında yapılan ölçümlerden malzemenin yasak bant aralığı ve In kompozisyon oranı tayin edildi. Düşük sıcaklık ölçümlerinden ise pik enerjisi, aktivasyon enerjisi ve pik yarı genişliği hesabı yapıldı. Büyütülen çoklu kuantum kuyu yapısının elektriksel karakteristiklerinin incelenebilmesi için Au kontaklar yapıldı ve sıcaklık bağımlı (80-295 K) akım-gerilim özellikleri incelenmiştir. Yapılan analizler sonucunda, idealite faktörünün sıcaklıkla azalırken sıfır-beslem engel yüksekliğinin sıcaklıkla arttığı gözlemlendi.

Özet (Çeviri)

In this work InxGa1-xAs/GaAs multi quantum well structure was grown by Semicon VG80H Molecular Beam Epitaxy system. The structural analysis was performed by X-ray diffraction method. The obtained Rocking curves shows that the the multi layer interface smoothess are small and the growth epilayers have enough thickness and homogeneity. The temperature dependent optical analyses were performed by photoluminescence method. The forbidden band gap and the In composition was obtained from room temperature optical measurements and the peak energy, activation energy and the full width at half maximum values were obtained from temperature dependent optical measurements. For the electrical analysis of the multi quantum well structure, Au Schottky contacts were formed and the current-voltage measurements were taken in the wide temperature range (80-295 K). According to the electrical analysis, the decrease in the ideality factor and the increase in the zero-bias barrier height with temperature was observed.

Benzer Tezler

  1. GaAs/InxGa1-xAs kuantum kuyularının elektronik enerji spektrumu

    GaAs/ InxGa1-xAs quantum wells electronic energy spectrum

    MEHMET ALİ TOPRAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2013

    Fizik ve Fizik MühendisliğiCumhuriyet Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SEZAİ ELAGÖZ

  2. AlxGa1-xAs ve InxGa1-xN tabakalı yarı iletken yapıların optik ve yapısal özelliklerinin tayini

    Optical and structural analysis of AlxGa1-xAs and InxGa1-xN layered semiconductor structures

    SABİT KORCAK

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2007

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

  3. Tabakalı bazı ince filmlerin mikroyapılarının elektron mikroskopisi ile incelenmesi

    Investigation of microstructures of some layered thin films by electron microscopy

    KÖKSAL YILDIZ

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2011

    Fizik ve Fizik MühendisliğiFırat Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. YUSUF ATICI

  4. InxGa1-xAs(GaAs (x=0,15) süperörgüsünün MBE ile büyütülmesi ve elektriksel-yapısal özelliklerinin belirlenmesi

    Determination of electrical and structural properties of InxGa1-xAs(GaAs (x=0,15) superlattice grown by MBE

    BEYZA SARIKAVAK

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2005

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF.DR. SÜLEYMAN ÖZÇELİK

  5. Fabrication and characterization of GaInP/InGuAs/GuAs modulation doped field effect transistors

    GaInP/InGuits/GuAs modüle katkılı alan etkili transistörlerin fabrikasyonu ve karakterizasyonu

    TOLGA YALÇIN

    Yüksek Lisans

    İngilizce

    İngilizce

    2000

    Elektrik ve Elektronik MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Elektrik-Elektronik Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. CENGİZ BEŞİKÇİ