Geri Dön

Kaynak geometrisinin transistor performansı üzerindeki etkisi

Effect of source geometry on transistor performance

  1. Tez No: 467406
  2. Yazar: BİLAL İSTANBULLU
  3. Danışmanlar: PROF. DR. MAHMUT KUŞ
  4. Tez Türü: Yüksek Lisans
  5. Konular: Kimya, Chemistry
  6. Anahtar Kelimeler: Belirtilmemiş.
  7. Yıl: 2017
  8. Dil: Türkçe
  9. Üniversite: Selçuk Üniversitesi
  10. Enstitü: Fen Bilimleri Enstitüsü
  11. Ana Bilim Dalı: Nanoteknoloji ve İleri Malzemeler Ana Bilim Dalı
  12. Bilim Dalı: Belirtilmemiş.
  13. Sayfa Sayısı: 61

Özet

Bu yüksek lisans tezinde, organik alan etkili transistör performansa etkisinin araştırılması amacıyla, fotolitografi yöntemi aracılığıyla farklı geometrilere sahip organik alan etkili transistörler üretilmiştir. Silikon altlık üzerine fiziksel buhar biriktirme yöntemi ile kaplanan altın, maskesiz fotolitografi yöntemi kullanılarak desenlenmiştir. Organik alan etkili transistörler için düzlemsel ve iç içe geçmiş kaynak-akaç elektrotları desenlenmiş daha sonra 2,7-Dioctyl [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene (C8-BTBT) yarı iletken malzeme kaplanarak organik alan etkili transistör üretimi tamamlanmıştır. Elektriksel karakterizasyonları yapılan organik alan etkili transistörlerin performansları birbirleri ile karşılaştırılmıştır. Aynı zamanda temel geometrileri aynı fakat kanal uzunluk ve genişlikleri farklı organik alan etkili transistörler de üretilerek elektriksel karakterizasyonları yapıldıktan sonra, kanal geometrisindeki değişimin transistör performansını nasıl etkilediği araştırılmıştır. İç içe geçmiş geometriye sahip OFET'lerin genel olarak düzlemsel geometriye sahip OFET'lere göre daha performanslı çalıştığı gözlemlenmiştir.

Özet (Çeviri)

In this master thesis work, organic field effect transistors with different geometries were fabricated by using maskless photolithography method, in order to investigate effect of transistor geometry on transistor performance. Thermally evaporated gold on silicon wafers was patterned by using maskless photolithography method. Two different geometries were patterned for organic field effect transistors which are linear and interdigitated and finally 2,7-Dioctyl [1] benzothieno [3,2-b] [1] benzothiophene (C8-BTBT) semiconductor was spin coated. Electrical characterizations of organic thin film transistors were carried out and their performances were compered to each other. At the same time, organic field effect transistors with same general geometry but different channel length and width were fabricated and effect of different channel dimentions on transistor performance was investigated. It was observed that OFETs with interdigitated geometry work better than OFETs with linear geometry.

Benzer Tezler

  1. P3HT tabanlı farklı yalıtkan tabakalı ofet karakteristiklerinin incelenmesi

    Investigation of P3HT based ofet fabricated with different gate dielectrics

    DİLEK TAŞKIN GAZİOĞLU

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGebze Teknik Üniversitesi

    Fizik Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MİRHASAN SEYİTSOY

    PROF. DR. FATİH DUMLUDAĞ

  2. Hibrit üç yönlü periyodik minimal yüzeyli üç boyutlu grafen yapıların mekaniği ve tasarımı

    The mechanics and design of hybrid triply periodic minimal surfaces of three dimensional graphene

    OSMAN FURKAN YILMAZ

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2022

    Makine Mühendisliğiİstanbul Teknik Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    DOÇ. DR. MESUT KIRCA

  3. HPGe dedektörlerde marinelli kaynak geometrisinin Monte Carlo yöntemi ile modellenmesi

    Modelling of marinelli source geometry in HPGe detectors using Monte Carlo method

    GÜLPER AKSOY

    Doktora

    Türkçe

    Türkçe

    2023

    Fizik ve Fizik MühendisliğiGazi Üniversitesi

    İleri Teknolojiler Ana Bilim Dalı

    PROF. DR. MUSTAFA HİCABİ BÖLÜKDEMİR

  4. Fault based probabilistic seismic hazard assessment at different tectonic regimes and data sampling conditions: Emphasis on sensitivity of seismic source characterization

    Farklı tektonik rejimlerde ve veri toplama durumlarında fay kaynaklı olasılıksal sismik tehlike analizi: Sismik kaynak karakterizasyonunun duyarlılığına vurgu

    SYED TANVIR SHAH

    Doktora

    İngilizce

    İngilizce

    2019

    Jeoloji MühendisliğiOrta Doğu Teknik Üniversitesi

    Jeoloji Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. ATİLLA ARDA ÖZACAR

    DOÇ. DR. ZEYNEP GÜLERCE

  5. Kaynaklı bağlantıların yorulma dayanımını etkileyen faktörler

    Factor effecting fatigue strength of welding joint

    KENAN AYDOĞDU

    Yüksek Lisans

    Türkçe

    Türkçe

    2002

    Makine MühendisliğiSakarya Üniversitesi

    Makine Mühendisliği Ana Bilim Dalı

    YRD. DOÇ. DR. KENAN GENEL